35. MOSFET之gm為何？ (A)1 mA/V (B)1.8 mA/V (C)2.2 mA/V (D)2.5 mA/V

35. MOSFET之g_m為何？
(A)1 mA/V
(B)1.8 mA/V
(C)2.2 mA/V
(D)2.5 mA/V

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私人筆記 (共 1 筆)

黃良友

2026/04/28

私人筆記#8024470

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並設計直流工作點（即設計適當之閘極偏壓電...

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46. 如圖(二十九)(a)所示之2N7000 MOSFET放大實驗電路，F.G.為信號產生器。已調整\( R_{G1} \)使電路之直流操作點\( V_D=6 \)V。以示波器之CH1與CH2分別測量\( v_i \)、\( v_o \)波形。示波器CH1、CH2之輸入耦合皆設定於DC檔位、波形反向(INV)功能皆為關閉(OFF)，且水平與垂直檔位均設置於適當檔位。若CH1測得波形如圖(二十九)(b)所示，則CH2所測得波形可能為何？ (A)( A )圖所示波形 (B)( B )圖所示波形 (C)( C )圖所示波形 (D)( D )圖所示波形

35. MOSFET之g_m為何？
(A)1 mA/V
(B)1.8 mA/V
(C)2.2 mA/V
(D)2.5 mA/V

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