38 如圖所示為閘極和源極接在一起的 n 通道空乏型（Depletion mode）MOSFET 電路，其參數值如下： VDD＝5 V，ID＝0.5 mA，Vtn（臨限電壓）＝－2 V，若此電晶體被偏壓在非飽和區工作，則電阻 Rs 至少須為多少？
(A) 6 kΩ
(B) 5 kΩ
(C) 4 kΩ
(D) 3 kΩ

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統計： A(35), B(1), C(10), D(4), E(0) #781895

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#2673189
題目訂在非飽和區工作----> V...
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