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電子學
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102年 - 102 高等考試_三級_電力工程、電子工程、電信工程：電子學#44063
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題組內容
二、圖二(a)MOSFET 之 W/L 註明於各晶體旁側，k
n
'=k
p
'=100 μA/V
2
，臨界電壓 V
tn
=|V
tp
|=1 V，NMOS 之電流電壓關係式如圖二(b)，
⑴求算 V
1
、V
2
。（10 分）
其他申論題
四、⑴請說明食品產生腐敗與微生物數量之關係。（10 分）
#143866
⑵請說明造成肉品腐敗之內、外在因素。（10 分）
#143867
五、請說明 ATP 光度測定法（ATP photometry）之原理、分析流程及其可能產生之問題。 （20 分）
#143868
【已刪除】一、圖一(a)NPN 電晶體之埃伯斯莫爾（Ebers-Moll）模型如圖一(b)，電流之數學式與電流 增益βF、βR、αF 與αR 之關係如圖一(c)，其中 IES、ICS 分別為 E-B 與 C-B 接面之飽和電 流（saturation current），VT =25 mV 為熱能電壓（thermal voltage）。當電晶體工作 於主動區，推導電晶體在偏壓點 VBEQ、ICQ 之小信號轉導（transconductance）gm。 （10 分）
#143869
⑵求算 V3。（10 分）
#143871
【已刪除】三、圖三電路中 Rsig =R1 =R2 =R4 =10 kΩ，R3 =5 kΩ，Ao = –103 V/V，C=20 pF， 求 Av(s)=Vo /Vsig。（10 分）
#143872
⑴求算放大器電壓增益 Avf = Vo /Vs。（5 分）
#143873
⑵求算由 Rs 往右側看之迴授放大器輸入電阻 Rif。（5 分）
#143874
⑶求算由 RL 往左側看之迴授放大器輸出電阻 Rof。（10 分）
#143875
【已刪除】五、圖五(a)與圖五(b)之 AB 類放大器中，±VCC =±5 V，QN 與 QP 在飽和時|VCE |=0.3 V，且 其|VBE|達 0.7 V 始導通，以 vI 為橫軸，vO 為縱軸，在–6 V 至+6 V 之間，畫出圖五(a) 與圖五(b)電路之 vI -vO 轉換特性（transfer characteristic），標示特性曲線之各轉折點。 （20 分）
#143876
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