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初等/五等/佐級◆電子學大意
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101年 - 101 初等考試_電子工程：電子學大意#21257
科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意 |
年份：
101年 |
選擇題數：
40 |
申論題數：
0
試卷資訊
所屬科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意
選擇題 (40)
1 矽二極體與鍺二極體在室溫的順向導通電壓分別約為： (A) 0.7 V，0.7 V (B) 0.7 V，0.2 V (C) 0.2 V，0.7 V (D) 0.2 V，0.2 V
2 逆向偏壓的pn接面，其接面電容隨逆向偏壓VR的增大而： (A)增大 (B)減小 (C)不變 (D)先增大再減小
3 下列何種二極體通常工作於逆向偏壓？ (A)蕭特基（Schottky）二極體 (B)發光二極體 (C)雷射二極體 (D)變容二極體
4 輸入方波訊號v
i
經過圖中電路處理後（二極體是理想二極體），輸出電壓v
o
波形中的V
X
為何？
(A) 1 V (B) 2 V (C) 3 V (D) 4 V
5 如圖的全波整流器電路，各二極體導通時之V
D
= 0.7 V。若輸入電壓v
I
之峰對峰為 10 V之正弦波，則 輸出電壓v
O
之最大值為：
(A) 10 V (B) 9.3 V (C) 8.6 V (D) 7.2 V (E)一律送分
6 共射極電晶體電路在高頻時，電壓放大率Av(f)下降的原因是由於： (A)電晶體內部電容的高頻響應 (B)外接基極耦合電容的高頻響應 (C)電晶體的歐萊效應（Early Effect） (D)外接基極電阻效應
7 雙極性接面電晶體（BJT）若作小訊號放大用，則工作於： (A)截止區（Cut-off Region） (B)飽和區（Saturation Region） (C)主動區（Active Region） (D)截止區和飽和區
8 如圖所示的電路為何種邏輯閘？
(A) NOR (B) OR (C) NAND (D) AND
9 假設電晶體的I
B
= 20 μA及I
C
= 2 mA，已知熱電壓（Thermal Voltage）V
T
= 25 mV，則中頻電晶體小 訊號模型的r
π
及g
m
分別約為： (A) 1.25 kΩ、80 mA/V (B) 2.5 kΩ、100 mA/V (C) 3 kΩ、120 mA/V (D) 4 kΩ、150 mA/V
10 若圖中電晶體的V
BE
= 0.7 V，β= 100，則I
E
之值約為：
(A) 2.52 mA (B) 1.43 mA (C) 1.05 mA (D) 0.83 mA
11 下列何者為能正常工作的數位電路參數？ (A)V
OH
= 3.2 V、V
IH
= 1.8 V、V
OL
= 0.3 V、V
IL
= 0.8 V (B)V
OH
= 1.8 V、V
IH
= 3.2 V、V
OL
= 0.3 V、V
IL
= 0.8 V (C)V
OH
= 1.8 V、V
IH
= 3.2 V、V
OL
= 0.8 V、V
IL
= 0.3 V (D)V
OH
= 3.2 V、V
IH
= 1.8 V、V
OL
= 0.8 V、V
IL
= 0.3 V
12 增強型N通道MOSFET之臨限電壓 |V
t
| = 3 V，欲使之導通，則閘極和源極間的電壓V
GS
應加何種偏壓 ？ (A) 0 V (B) 2 V (C) 4 V (D)-4 V
13 一N通道增強型MOSFET的V
t
= 1 V，μ
n
c
ox
(W/L) = 1 mA/V
2
，則工作點在I
D
= 0.5 mA，V
GS
= 3 V時的互 導gm之值約為： (A) 2 mA/V (B) 4 mA/V (C) 6 mA/V (D) 8 mA/V
14 雙極性接面電晶體（BJT）共射極接線組態時，射極-地間的電阻常並聯一電容，此電容之目的為： (A)改善電壓增益 (B)降低射極的直流電壓 (C)升高射極的直流電壓 (D)濾除雜訊
15 下列何種記憶體需要更新（Refresh）的動作？ (A)快取記憶體（Cache） (B)靜態隨機存取記憶體（SRAM, Static Random-Access Memory） (C)唯讀記憶體（ROM, Read Only Memory） (D)動態隨機存取記憶體（DRAM, Dynamic Random-Access Memory）
16 雙極性接面電晶體（BJT）中，下列何種電路組態其小訊號輸出阻抗為最低？ (A)共射極組態 (B)共基極組態 (C)共集極組態 (D)共閘極組態
17 如圖所示之雙極性接面電晶體（BJT）放大器，已知電晶體參數β(= I
c
/I
b
)為 100，以及電晶體集極到 射極的交流輸出阻抗r
o
為 50 kΩ，則此放大器的輸入阻抗Z
i
(= V
i
/I
i
)約為多少？
(A) 560 kΩ (B) 37 kΩ (C) 22 kΩ (D) 2 kΩ
18 對動態隨機存取記憶體（DRAM, Dynamic Random-Access Memory）而言，如果其位址線有 8 條，則 其記憶位址有： (A) 8 個 (B) 16 個 (C) 8K 個 (D) 64K 個
19 圖為由電阻R
1
、R
2
、R
3
、R
4
和理想運算放大器組成的差分放大器（Difference Amplifier），其中 R
2
= R
4
= 1 MΩ，由於誤差，R
1
= 9.9 kΩ，R
3
= 10 kΩ，其共模電壓增益（Common Mode Voltage Gain，V
O
/V
CM
）約為：
(A)-1 (B)-0.1 (C)-0.01 (D)-0.001
20 圖為差動放大器（Differential Amplifier）。其中V
DD
為電壓源，I為偏置電流源（Bias Current Source ），I = 1 mA。R
D1
=2 kΩ+ΔR
D
/2，R
D2
=2 kΩ-ΔR
D
/2，電晶體Q
1
、Q
2
的驅使電壓（Overdrive Voltage ，V
GS
-V
TH
）為 0.2 V，並且Q
1
、Q
2
完全匹配。此放大器輸入偏移電壓（Offset Voltage）為 1 mV 。則ΔR
D
約為：
(A) 20 Ω (B) 10 Ω (C) 2 Ω (D) 1 Ω
21 某差動放大器的共模增益A
CM
= 0.1，差模增益A
dm
= 100，則其共模拒斥比（Commom Mode Rejection Ratio）為多少dB？ (A) 20 (B) 40 (C) 60 (D) 100
22 如圖所示為達靈頓（Darlington）電路，若電晶體Q
1
與Q
2
之特性參數各自為V
BE1
、β
1
及V
BE2
、β
2
，則下 列何者有誤？
23 圖中電路，若輸出（V
o
）與輸入（V
i
）之電壓增益為 -4，則其輸入端之等效電容值（C
in
）為何？
(A) 0.2 pF (B) 1 pF (C) 1.25 pF (D) 5 pF
24 圖中之電路，若運算放大器為理想，則V
o
為何？
(A) 2 V (B)-2 V (C) 3 V (D)-3 V
25 圖為由電阻R
1
、R
2
、R
3
以及理想運算放大器組成的電路，其中R
1
= R
2
，則此電路輸入電阻R
IN
為：
(A) 2 R
3
(B)R
3
(C)-R
3
(D)-0.5 R
3
26 下列何種放大器電路組態不會改善頻寬？ (A) CC-CE (B) CC-CB (C)達靈頓組態（Darlington Configuration） (D)疊接組態（Cascode Configuration）
27 如圖所示電路，下列何者為非？
(A)當輸入訊號V
i
的頻率f極小時（f ≅ 0），電壓增益的最大值
(B)當輸入訊號V
i
的頻率f極大時（f ≅∞），電壓增益
(C)當輸入訊號V
i
的頻率
時，電壓增益衰減為
(D)此電路高頻截止頻率為
28 有一濾波器之轉移函數（Transfer Function）
，當角頻率 ω= 2 rad/sec 時，則 |T(jω)|約為： (A) 1.0 (B) 0.7 (C) 0.5 (D) 0.2
29 有一單級放大器，其低頻截止頻率為 640 Hz而高頻截止頻率為 10 kHz，若將相同兩個放大器串接在一起，則此系統之低頻截止頻率為f
L
及高頻截止頻率為f
H
，試問系統之頻寬BW = f
H
-f
L
約為何值？（ 註：
） (A) 2.70 kHz (B) 4.14 kHz (C) 5.40 kHz (D) 9.36 kHz
30 圖中雙穩態多諧振盪器（Bistable Multivibrator），假設R
1
= 10 kΩ，輸出電壓範圍為 ±5 V。若觸發 電壓V
TH
= -V
TL
= 0.5 V，則R
2
等於：
(A) 100 kΩ (B) 20 kΩ (C) 10 kΩ (D) 1 kΩ
31 圖中之電路，若運算放大器為理想，且V
i
= -4 V，則輸出電壓V
o
約為何？
(A)-8 V (B)-6 V (C) 6 V (D) 8 V
32 一般市電之 60 Hz 弦波訊號常干擾授控系統或量測系統，因此可設計下列何種濾波器以消除此干擾 的影響？ (A)低通濾波器（Low Pass Filter） (B)高通濾波器（High Pass Filter） (C)帶通濾波器（Band Pass Filter） (D)帶拒濾波器（Band Reject Filter）
33 某振盪電路之迴路增益為A(jω)β，β為正實數，A(jω) = 100/(1+ jω/ωc)
3
，ωc為實數。若β選得適當，此電 路可振盪產生弦波，振盪頻率ω為何？ (A) 0.866 ωc (B) 1.41 ωc (C) 1.73 ωc (D) 3.14 ωc
34 圖中為射極耦合邏輯（Emitter-Coupled Logic, ECL）電路。其中V
I
為輸入，V
O1
、V
O2
為輸出， V
CC
= 0 V，參考電壓V
R
= -1.32 V，偏置電流源（Bias Current Source）I = 4 mA，R
C
= 200 Ω。當輸 出為邏輯低位準時，其電壓約為：
(A)-1 V (B)-0.8 V (C)-0.5 V (D)-0.1 V
35 如圖所示之互斥或閘（Exclusive OR Gate），若輸入訊號之一被強制為 1，則輸出訊號為何？
(A) 1 (B) 0 (C) A (D)
36 下列邏輯圖，若以布林代數表示（Boolean expression），其表示式為：
37 下列那一個元件之特性與光線無關？ (A)光敏電阻 (B)太陽能電池 (C)光遮斷器 (D)熱敏電阻
38 圖中分別顯示邏輯電路輸出（Output）與輸入（Input）之「1」與「0」狀態的電壓位階範圍，此系 統之「雜訊容限」（Noise margin）NM
H
及NM
L
為：
(A)NM
H
= V
1
-V
2
，NM
L
= V
3
-V
4
(B)NM
H
= V
6
-V
2
，NM
L
= V
3
-V
7
(C)NM
H
= V
2
-V
3
，NM
L
= V
6
-V
7
(D)NM
H
= V
5
-V
6
，NM
L
= V
7
-V
8
39是那一類的放大器？ (A) A 類（Class A） (B) B 類（Class B） (C) AB 類（Class AB） (D) C 類（Class C）
40 承上題，若電晶體飽和之V
CEsat
= 0.2 V，則輸出電壓v
O
之最大值為v
Omax
為： (A)+V
CC
(B)+V
CC
- 0.2 V (C)v
Imax
- 0.7 V (D)I·R
L
申論題 (0)
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(B)當輸入訊號Vi的頻率f極大時（f ≅∞），電壓增益 
(C)當輸入訊號Vi的頻率
時，電壓增益衰減為
(D)此電路高頻截止頻率為
，當角頻率 ω= 2 rad/sec 時，則 |T(jω)|約為：
(A) 1.0 (B) 0.7 (C) 0.5 (D) 0.2
）
(A) 2.70 kHz (B) 4.14 kHz (C) 5.40 kHz (D) 9.36 kHz
