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101年 - 101 台灣中油股份有限公司_雇用人員甄選_儀電類：電工原理、電子概論#71754

科目：A.電工原理、B.電子概論 | 年份：101年 | 選擇題數：65 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：A.電工原理、B.電子概論

選擇題 (65)

1.有一 150 V 之直流電壓表，其內阻為 18 KΩ，今若串聯一 54 KΩ 電阻，則量度範圍將可擴大到： (A)300 V (B)450 V (C)600 V (D) 750 V
2. 100 歐姆電阻器，通過 2 安培電流 1 分鐘，則產生的熱量 H 為： (A) 96 卡 (B) 400 卡 (C) 5760 卡  (D)24000 卡

3.如【圖 3】所示，通過 2KΩ 電阻的電流為： (A) 0 (B) 3 mA (C) 6 mA (D) 12 mA phpi7jz45

4.如【圖 4】所示，電流源與電壓源之轉換，E 的大小為： (A)3 V (B) 6 V (C) 12 V (D) 18 V phpv27gmm
5.將一 3 庫倫電荷置於電場中的某一點，受到 18 牛頓的作用力，則電荷在該點的電場強度為何 ？ (A)4 牛頓/庫倫 (B) 6 牛頓/庫倫 (C)18 牛頓/庫倫 (D) 54 牛頓/庫倫

6.如【圖 6】所示，導體的運動方向為何 ？ (A)向上 (B)向下 (C)向左 (D)向右 phpoD4HzQ
7.有一線圈的自感量為 0.5 亨利，若通過了 4 安培的電流，則線圈所儲存的能量為多少焦耳 ？ (A) 2 (B) 4 (C) 16 (D) 20

8.如【圖 8】所示電路中，開關閉合前，電容器沒有儲存能量，在開關 S 閉合後的瞬間， 電流 I 為多少安培 ？ (A) 0 (B)3 (C) 5 (D) 10phpX05bPX
9. 將 4 庫倫正電荷由 B 點移至 A 點，作功 60 焦耳，若 A 點對地電位為 30 伏特，則 B 點對地為多少伏特 ？ (A) 15 (B)30 (C) 45 (D) 60

10.平衡三相 Y 接電源，相序為正相序(a-b-c)，若線路電壓phpxoIs4s ，則：

 (A)phpAXWziL (B) phpFcEJMT(C)phpfNJzFJ (D)php4tpJje
11.小明家客廳有六顆 100 瓦的電燈泡，如果這六顆電燈泡每天點亮 8 小時，每月點 30 天，假設每度（千瓦．小時）電 費為 5 元，請問使用此六顆電燈泡，每月須繳多少電費 ？ (A) 600 元 (B) 720 元 (C) 900 元 (D) 1,200 元
12.一般而言，當溫度升高時，大部分的金屬其電阻值將： (A)不變 (B)減少 (C)增加 (D)不確定
13.有一電熱器之額定為 100 V/1250 W，則其等效電阻為多少歐姆 ？ (A) 16 (B) 12.5 (C) 8 (D) 2.5
14.額定為 200 V/2000 W 之均勻電熱線，平均剪成 3 段後再並接於 50 V 的電源，則其總消耗功率為何 ？ (A)667 W (B) 875 W (C) 1125 W  (D)1350 W
15.將一電容器加上 12 伏特電源，儲存了6 ×10-4 庫倫的電荷，則此電容器之電容量為： (A) 20 微法拉 (B) 40 微法拉 (C) 50 微法拉 (D) 72 微法拉
16.下列何者不是磁通Φ的單位 ？  (A)線 (B)馬克斯威 (C)高斯(Gauss) (D)韋伯(Wb)
17.一理想電流源，其內阻應該為：  (A)零 (B)無限大 (C)隨負載電阻而定 (D)任意值
18.一陶瓷電容器標示 103 M，則其電容器為： (A) 0.01 µF±20% (B) 0.01 µF±10% (C) 0.1 µF±20% (D) 1.03 µF
19.有兩個交流訊號分別為 v(t)＝60sin(377t＋30°) V 和 i(t)＝40sin(377t－10°) A，此兩個交流訊號的相位關係為何 ？ (A) v 領先 i 20° (B) v 滯後 i 20° (C) v 領先 i 40° (D) v 滯後 i 40°
20. R － C 串聯電路中，若 R ＝400 kΩ，C ＝0.5 µF，則時間常數 τ 為何 ？ (A)5 秒 (B) 0.5 秒 (C)0.2 秒  (D)0.02 秒
21.有一個電源的瞬時電壓表示式為 V(t) ＝110 sin(377t+50°)V，則下列何者錯誤 ？ (A)頻率為 60 Hz (B)波形為正弦波 (C)有效值為 110 V (D)角速度為 377 弳/秒
22.有一波形電壓峰對峰值 VP-P (Peak-to-Peak Value) 為 311 V 之正弦波，則此波形的有效值為： (A) 110 V (B) 155.5 V (C) 220 V (D) 311 V
23.有一電源的電壓瞬時式方程式為 V(t) ＝200sin(377t －120°) V，則 t＝(1/60)秒時的瞬間電壓為多少 ？ (A)100 V (B) -100 V (C) 173.2 V (D) -173.2 V
24.有關半導體摻雜(doping)的敘述，下列何者錯誤 ？ (A)摻雜濃度越高的半導體導電性越好 (B)摻雜 3 價的半導體中，自由電子的數量＞電洞的數量 (C)摻雜 3 價的元素：硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In) (D)摻雜 3 價的受體(Acceptor)後，會形成 P 型半導體
25. RC 耦合的串級放大器中，造成低頻響應不良的原因為何 ？ (A)電晶體的極際電容所造成 (B)電路的雜散電容所造成 (C)耦合電容與旁路電容 (D)線路電壓降過大
26.有關二極體的逆向飽和電流(Reverse Saturation Current)之相關敘述，下列何者正確 ？ (A)是由少數載子及多數載子所形成 (B)逆向飽和電流的大小與外加的偏壓有關 (C)溫度越高逆向飽和電流越小 (D)溫度每上升 10℃，電流增加 100%
27.橋式整流器會有幾隻接腳？內部又有幾個二極體所組成 ？ (A) 3 支接腳；2 個二極體 (B) 3 支接腳；4 個二極體 (C) 4 支接腳；4 個二極體  (D)4 支接腳；5 個二極體
28.雙極性電晶體（Biopolar Junction Transistor 簡稱 BJT）的構造中，何者的濃度最高 ？ (A)集極(Collector) (B)射極(Emitter) (C)閘極(Gate) (D)基極(Base)
29.雙極性電晶體（Biopolar Junction Transistor 簡稱 BJT）的共基極組態(CB)放大電路之交流輸入接腳，其中一支輸入接 腳為共用腳，而另一支輸入接腳是哪一極 ？ (A)集極(Collector) (B)射極(Emitter) (C)基極(Base) (D)閘極(Gate)

30.如【圖 30】的金氧半場效應電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Tranisitor，簡稱 MOSFET），若要操作在 飽和區，則下列何者的偏壓方式可以達到 ？ 

(A)VGS＜ 0，VDS＜ 0 (B)VGS＞ 0，VDS＞ 0 (C)VGS＜ 0，VDS＞ 0 (D) VGS＞ 0，VDS＜ 0phproYcK9

31. 如【圖 31】所示為一 OPA 振盪電路，下列敘述何者錯誤 ？ (A)輸出點 Vo 可得一方波訊號 (B)當電容值C 增大時，可以增加振盪週期 (C)當電阻值R2 增大時，振盪頻率增加 (D)當電阻值R1 增大時，振盪頻率增加phpYzGgge

32.如【圖 32】所示之電路中，電容器 CE的主要功能為何 ？ (A)穩定直流工作點 (B)減少電晶體的漏電流 (C)提高電路的交流增益 (D)提供電晶體溫度補償phpzc2HJs
33.有一個二極體半波整流電路，輸入訊號為 V(t)=10sin6280t 伏特，則輸出平均值電壓約為多少伏特 ？ (A) 0 V (B) 3.18 V (C)6.36 V  (D)10 V
34.接合面場效應電晶體（Juntion Field Effect Tranisitor 簡稱 JFET）欲控制通道的電流大小，主要是控制下列何者 ？ (A)通道中載子的濃度 (B)通道之導電係數 (C)通道的寬度 (D)由閘極感應的電荷形成通道
35.已知 MOSFET 的特性之敘述，下列何者錯誤 ？ (A)N 通道增強型 MOSFET 當閘源極電壓VGS ＞ 臨界電壓 Vt 時，產生 ID 電流 (B) P 通道空乏型 MOSFET 之閘源極電壓VGS 可接負電壓或正電壓 (C)N 通道增強型 MOSFET 之臨界電壓(Vt)為負值 (D)增強型 MOSFET 半導體結構上沒有預設通道
36.有關運算放大器(OPA)之敘述，下列何者錯誤 ？ (A)理想運算放大器的開迴路增益為無窮大 (B)理想運算放大器的輸入阻抗為無窮大 (C)理想運算放大器在正回授系統中具有虛短路的特性 (D)理想運算放大器的輸入抵補電壓為零

37.如【圖 37】所示之二極體截波電路，倘若二極體視為理想，Vi(t)=5sin6280t 伏特，V1 = 6V，V2 = 4V，請問輸出電壓 Vo 範圍 ？ (A)-4 V~6 V (B) -6V~4V (C) -4 V~5 V (D)-5V~6VphpvwFbkz
38.有關 PN 接面的半導體敘述，下列何者錯誤 ？ (A) P 型半導體的濃度高於 N 型半導體的濃度時，其 P 型側的空乏區寬度較寬 (B)PN 接面的空乏區內P 型側內含有負離子 (C)在逆向偏壓下，PN 接面會形成一空乏電容，其大小與偏壓成反比 (D) PN 接合時，所產生的空乏區將抑制擴散電流
39.溫度每上升 1 oC 時，矽二極體的順向偏壓會： (A)下降 1 mV (B)下降 2.5 mV (C)上升 1 mV (D)上升 2.5 mV
40.某電晶體 的 α 值為 0.98，請問 β 值為多少 ？ (A) 9 (B) 29 (C) 49 (D) 98 
第二部分：【第 41-65 題，每題 2 分，共計 25 題，佔 50 分】
41.有一台 3 馬力的電動機，若已知其損失為 250 瓦特，則此電動機之輸入功率為多少瓦特 ？ (A) 2238 (B) 2488 (C) 1988 (D)750
42.三只電阻器的色碼分別為：甲：黃紫紅金；乙：綠藍金金；丙：棕黑棕金，則三者的電阻值大小為： (A)甲＞乙＞丙 (B)乙＞甲＞丙 (C)甲＞丙＞乙 (D)丙＞乙＞甲

43.如【圖 43】所示 ∆ － Y 互換，圖中 Ra 之電阻值應為： (A) 0.6 Ω (B) 1 Ω (C) 1.5 Ω (D)5 Ω phplnb6hK
44.交流 RLC 串聯電路，若電感抗 XL大於電容抗 XC，則此電路的性質為： (A)電阻性 (B)電感性 (C)電容性 (D)純電容
45.有一捲規格為 2 mm 2配線用的導線，長度 100 公尺，材料為標準韌銅（電阻係數 1.724 ×10-8 Ω-m），則此導線之電阻值為： (A)0.862 Ω (B) 1.724 Ω (C)8.62 Ω (D)17.24 Ω
46.電池有內電阻，將 4 個相同的電池串聯，其最大輸出功率為 20 W，若將電池改為並聯，則最大輸出功率為何 ？ (A)5 W (B)20 W (C)40 W (D) 80 W
47.如【圖 47】所示電路中，若要使電阻 R 得到最大功率，則其值為： 

5bf5425625b95.jpg

(A)2 Ω (B) 3 Ω (C) 4 Ω (D) 7 Ω
48.如【圖 48】所示，流經 6Ω 電阻之電流為：5bf542818e8ed.jpg (A) 2 A (B)3 A (C)4 A (D) 6 A
49.某電感性負載消耗之平均功率為 1600 W，負載之功率因數為 0.8，則虛功率為多少 ？ (A)800 KVAR (B)1200 KVAR (C) 1600 KVAR (D) 2000 KVAR
50.如【圖 50】所示，電路供給之平均功率為多少瓦特 ？5bf542d5f1230.jpg (A) 800 (B)1400 (C) 2000  (D)2400
51.如【圖 51】所示之直流電路，請問其中 12 V 電源供給之電功率 P 為多少 ？5bf5391f93079.jpg (A)180 W (B)168 W (C) 156 W  (D)144 W
52.有甲、乙兩個燈，額定電壓均是 110 V，甲燈泡額定功率 100 W，乙燈泡額定功率 10 W，今將兩燈泡串聯後，接在 220 V 的電源上，則下列何者情況最可能發生 ？ (A)甲燈泡先燒壞 (B)乙燈泡先燒壞 (C)甲、乙兩燈泡同時燒壞 (D)甲、乙兩燈泡可正常使用，都不會燒壞
53.如【圖 53】所示之電路，電流 I 為何 ？5bf5431279fb2.jpg
 (A)1.5 A (B) 3 A (C) 5 A (D) 6 A
54.如【圖 54】所示為電晶體偏壓電路，若 Vc 的電壓為 5 V，則下列何者可將 Vc 電壓提高至 6 V ？5bf5434e68639.jpg (A)電阻RB加大一些 (B)電阻RE減小一些 (C)電阻RC加大一些 (D)換電晶體β值較大些
55.如【圖 55】電路中變壓器為減極性，當輸入 Vi為負半週時，輸出 V O的波形無任何波形輸出， 則下列敘述何者正確 ？5bf5438b1ccd2.jpg (A)D2或D3 故障 (B)D1或D3 故障 (C)D3或D4 故障 (D) D2或D4 故障
56.若將雙極性電晶體（Biopolar Junction Transistor 簡稱 BJT）當成線性放大器來使用時，電晶體應該要操作於下列何種 工作區域 ？ (A)主動區 (B)飽和區 (C)截止區 (D)定電流區
57.雙極性電晶體交流放大電路中，三種基本組態（共射極組態 CE、共集極組態 CC、共基極組態 CB）的敘述，下列 何 者正確 ？ (A) CE 組態的電流增益最大 (B)CB 組態的輸入阻抗最大 (C) CC 組態的電壓增益略小於 1  (D)CE 組態的輸入信號與輸出信號同相位

58.如【圖 58】所示，已知稽納二極體 ZD 的崩潰電壓 Vz = 20 V，Iz = 5 mA ～20 mA，若稽納二極體正常穩壓動作，則 IL = 0 ～IL(max)，請問電阻值 R 與最大負載電流 IL(max)為：

(A) R = 16 kΩ，IL(max) = 20 mA (B)R = 16 kΩ，IL(max) = 15 mA (C) R = 4 kΩ，IL(max) = 20 mA (D) R = 4 kΩ，IL(max) = 15 mA
59.如【圖 59】所示為二極體倍壓電路，請問輸出電壓 Vo 為幾倍 Vm ？5bf543d52b46a.jpg (A) 0 Vm (B)1 Vm (C) 2 Vm (D) 3 Vm
60.如【圖 60】所示為 MOSFET 放大電路，Q1的特性為 Vt = 2 V，K1 = 4 mA/V 2，Q2的特性為 Vt = 2 V，K2 = 1 mA/V2 ，請問此電路之輸出直流準位 Vo 與電壓增益 Av = Vo/Vi 為多少 ？5bf5443e22abc.jpg  (A)Vo = 7 V，Av = –4 (B) Vo = 7 V，Av = –2 (C)Vo = 4 V，Av = –4 (D) Vo = 4 V，Av = –2
61.如【圖 61】所示，已知二極體障壁電壓為 0.7 V，請問輸出 Vo 為多少伏特 ？5bf5448065a44.jpg (A)2 V (B) 2.67 V (C) 3 V  (D)6 V
62.有一接合面場效應電晶體（Juntion Field Effect Tranisitor 簡稱 JFET）的汲極飽和電流 IDSS ＝16 mA，夾止電壓 VGS（off） ＝-4 V，請問此 JFET 為何種通道？當 VGS ＝-3 V 時的汲極電流 ID 為多少 ？ (A) P 通道，ID＝4 mA (B)P 通道，ID＝1 mA (C) N 通道，ID＝4 mA (D) N 通道，ID＝1 mA
63. N 通道增強型場效應電晶體（簡稱 MOSFET）的臨界電壓(Threshold Voltage)VT＝3 V，若電路中的 VGS ＝4 V 時 ID ＝ 2 mA，且 MOSFET 工作於飽和區，則 MOSFET 交流小信號模型中的轉移電導 g m為多少 ？ (A)1 mS (B) 2 mS (C) 3 mS  (D)4 mS
64.如【圖 64】所示之理想運算放大器放大電路，若 R1 = 1 kΩ，R2 = 2 kΩ，輸入訊號 Vi=2 V，則輸出電壓 Vo 為何 ？5bf544b470233.jpg (A) -4 V (B) 1 V (C) 4 V  (D)6 V
65.某一個三級串級放大電路，各級的電壓增益分別為 20、50、10，請問總電壓增益之分貝值為多少 ？ (A)0 dB (B)40 dB (C) 80 dB (D) 10000 dB

申論題 (0)