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102年 - 102 公務升官等考試_簡任_電子工程：積體電路技術研究#43806

科目：積體電路技術 | 年份：102年 | 選擇題數：0 | 申論題數：5

試卷資訊

所屬科目：積體電路技術

選擇題 (0)

申論題 (5)

一、何謂 CMOS n-well 技術？試繪剖面圖（cross-sectional view）說明 NMOS 及 PMOS 的結構。同時將兩者均採操作於 Saturation Mode 之下畫出其通道形式。注意通道 厚度、長度並標示出 Source 及 Drain 兩端點的位置。（20 分）
二、討論 N 型 Si 基板與金屬的 Heterojunction 接面，因為製程上有什麼差異，因此而 會形成肖基二極體（Schottky Barrier Diode）或歐姆接觸（Ohmic Contact）兩種不 同的元件行為。（20 分）
三、為了製程可靠度的要求，CMOS 製程可能在製作過程面臨 Antenna effects issue（天 線效應）問題，請簡要敘述該問題及其解決方法。（20 分）
四、請分別敘述半導體中兩種摻雜技術的特性及不同處。若要形成 MOS 元件的 Source /Drain 應採何者較合宜？（20 分）
五、矽晶體之晶格常數為 5.43 埃，請依此計算出矽晶體之體積密度，即一立方公分的矽 晶體約有多少個矽原子？並說明矽晶體摻雜 Nd 及 Na 時，合理的濃度值範圍應為多 少較合宜？（20 分）