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103年 - 103 地方政府特種考試_五等_電子工程：電子學大意#28882

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意 | 年份：103年 | 選擇題數：40 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

選擇題 (40)

1 下圖為一個理想積分器電路，假設電容在一開始時無電荷。當一個 +0.25 V 的步級（Step）脈衝接到輸入 vI 時，在 t = 1.2 s 時輸出電壓 vO = -5 V，請問電路中 RC 時間常數為何？ (A) 60 ms(B) 70 ms(C) 80 ms(D) 90 ms
2 考慮下圖理想運算放大器電路，圖中 R1 = 20 kΩ，R2 = 10 kΩ，R3 = 10 kΩ，RL = 10 kΩ，假設輸入電壓 vI = 5 V， 則 i3為多少？ (A)-0.25 mA(B) 0.25 mA(C) 0.5 mA(D) 1 mA
下圖理想運算放大器電路中，若輸入 vI1 = 4 + 0.125 sinωt (V)、vI2 = -4 (V)時輸出 vo = -0.5 sinωt (V)，則下列敘述何者正確? 
..(A)R1 = 10 kΩ，R2 = 10 kΩ (B)R1 = 15 kΩ，R2 = 10 kΩ (C)R1 = 20 kΩ，R2 = 15 kΩ (D)R1 = 25 kΩ，R2 = 25 kΩ
4 在閘源極間未加偏壓下，增強型 MOSFET 之汲極與源極間的導通狀態是： (A)相通 (B)視通道種類而定(C) 不通 (D)處在飽和區
5 某增強型 NMOS 場效電晶體的 Vt = 0.7 V、μnCox(W/L) = 25 μA/V2，今若其源極（Source）電壓 0.5 V，閘極 （Gate）電壓 1.0 V，汲極（Drain）電壓 1.5 V，則此電晶體工作在： (A)飽和區（Saturation region）(B) 截止區（Cutoff region） (C)三極體區（Triode region）(D) 主動區（Active region）
6 若 BJT 之 IC < βIB，則該 BJT 操作在： (A)主動模式(B) 截止模式 (C)飽和模式(D) 崩潰模式
7 某電路中的 npn 雙極性接面電晶體（BJT），經實驗量測其基極 B 之電壓為 0 V，射極 E 的電壓為 +2 V， 集極 C 電壓為 +5 V，請問此電晶體在何工作區？ (A)主動區（Active region）(B) 飽和區（Saturation region） (C)截止（Cutoff）(D) 逆向主動區（Reverse active region）
8 在下列選項中，那一項最不影響 p+ n 接面二極體的逆向飽和電流 IS？ (A)p 型區的雜質濃度 NA(B) n 型區的雜質濃度 ND (C)pn 接面的接面面積 A(D) 溫度 T
9 在一矽本質半導體中加入五價的元素，若所加雜質濃度為 2 × 1015/cm3，且矽在室溫的本質濃度為1.45 × 1010/cm3，則此半導體在室溫時的電子濃度約為： (A) 2 × 1015/cm3 (B)2 × 1013/cm3 (C)1.45× 1010/cm3 (D)1.0× 105/cm3 .
10 如圖所示電路，U1 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓 VD = 0.7 V。已知電阻 R1 = 1 kΩ、R2 = 2 kΩ、 R3 = 1 kΩ、VCC = -5 V。當 vI = 3 V 時，對於輸出電壓 vO，下列敘述何者正確？(A)Vo > 2.5 V 

(B) 0V < Vo  phpSQqGAY 2.5 V

(C)-2.5 V < Vo  phpZWgHz6 0 V

(D)Vo  phpM3DYAA -2.5 V.
11 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓 VD = 0.7 V，已知電壓 vs(t) = 12 sin (120πt) V、R = 2 kΩ。試求輸 出電壓 vO絕對值的最大電壓約為多少？ (A) 12 V(B) 11.3 V(C) 10.6 V(D) 9.2 V
12 如圖所示之電路，變壓器圈數比 N1：N2 = 2：1，輸入電壓 vi為一交流弦波，峰值為 100 V，頻率為 60 Hz， 二極體皆為理想，求輸出之平均直流電壓值約為何？ (A)8 V(B) 12 V(C) 16 V(D) 25 V
13 有一放大器電路如下圖所示，放大器 U1 為理想運算放大器，其輸出電壓範圍侷限在 +10 V 與 -10 V 之間 ，二極體 D1、D2 順向電壓均為 0.7 V，電阻 R1、R2、R3 均為 1 kΩ，交流電源 V1 = 5 V，試問節點 C 的輸 出電壓 VC應落在下列何範圍內？ (A) 5.0 V VC(B) 4.2 V VC < 5 V(C) 3.5 V VC < 4.2 V (D)VC < 3.5 V
14 若要維持二極體導通時的電流 ID為定值而不隨溫度變化，則二極體兩端的電壓 VD應如何？ (A)應維持定值(B) 應隨溫度的升高而微幅下降 (C)應隨溫度的升高而微幅上升 (D)應避免產生熱跑脫（Thermal Runaway）
15 如圖示電路，各二極體均為理想二極體，V1 = 5 V，V2 = 10 V，R = 5 kΩ，則電流 I 為多大？ (A)0 (B)1 mA (C)2 mA (D)3 mA
16 如圖所示之電路，假設二極體導通之壓降為 0.7 V，輸入電壓 vi為一峰值 10 V 之交流正弦波，試求輸出電壓 之最大值為何？ (A) 0.7 V(B) 4.3 V(C) 5.7 V(D) 10.7 V
17 下列關於二極體截波電路的敘述何者錯誤？ (A)當輸入電壓大於某特定電壓值時，輸出波形會被截掉 (B)當輸入電壓小於某特定電壓值時，輸出波形會被截掉 (C)在被動截波電路中，未截波電壓輸入範圍的輸出增益可大於 1 (D)藉由電路設計，可任意調整未截波電壓輸入範圍
18 BJT 單級放大器架構中，小訊號特性電流增益接近於 1 的是那種？ (A)共射極 (B)射極隨耦 (C)共基極(D) 共集極
19 BJT 單級放大器架構中，小訊號特性輸出阻抗低的是那種？ (A)共射極 (B)射極隨耦(C) 共基極(D) 具有射極電阻之共射極
20 空乏型 n-MOSFET，下列何種偏壓將使元件不導通？ (A)VGS >> 0(B) VGS > 0(C) VGS = 0(D) VGS << 0
21 關於 n-MOSFET，其臨界電壓為 Vt，下列敘述何者錯誤？ (A)空乏型者可工作於 VGS < 0(B) 增強型通常工作於 VGS > Vt (C)空乏型之 Vt > 0(D) 增強型之 Vt > 0
22 分析下圖之電路，若 MOSFET 之轉導值 gm = 1 mA/V 且操作於飽和區，忽略元件之輸出阻抗 ro，RS = 1 kΩ， RD = 10 kΩ，Ri = 1 kΩ，試求 Vo / Vi =？ (A)10/3(B) 5 (C)-10/3(D) -10
23 一個空乏型的 n-MOSFET，其 Vt = -1 V，請問當 VGS為下列何值時，會有通道？ (A) 0 V(B) -1 V(C) -2 V(D) -3 V
24 某電路中的 npn 雙極性接面電晶體（BJT），經實驗量測其基極 B 之電壓為 3 V，射極 E 的電壓 2.3 V，集 極 C 電壓 2.4 V，請問此電晶體在何工作區？ (A)主動區（Active region）(B) 飽和區（Saturation region） (C)截止（Cutoff）(D) 逆向主動區（Reverse active region）
25 關於 BJT 電晶體之敘述，下列何者錯誤？ (A)若電晶體操作於主動區，其基極與射極之接面電容 Cπ較基極與集極之接面電容 Cμ為大 (B)若電晶體操作於飽和區，其基極與集極之接面電容 Cμ較操作於主動區時為大 (C)若電晶體操作於主動區時，其電流增益 ic /ib較操作於飽和區時為大 (D)爾利電壓 VA（Early voltage）與電晶體操作於主動區時之輸出阻抗成反比
26 一般 MOSFET 單級放大器架構中，小訊號特性輸入阻抗較低的是那一種？ (A)共源極 (B)共汲極(C) 共閘極 (D)具源極電阻之共源極
27 如圖所示之電路，假設 MOS 電晶體操作在飽和區， mA/V 2，λ = 0，CGS = 15 pF，CGD = 4 pF 且 VGS – VTH = 350 mV，求輸出端之 -3dB 頻率為何？ (A) 7.9 MHz(B) 17.9 MHz(C) 27.9 MHz(D) 37.9 MHz
28 圖示電路中場效電晶體之 Vt = 1 V、μnCox(W/L) = 0.125 mA/V2，若電晶體在飽和區工作，則電阻 RD的最大值 為若干 kΩ？ (A) 0.5(B) 1(C) 1.5(D) 2
29 如圖電路為一共源放大器的簡圖，若電晶體之 gm = 0.5 mA/V，VA = ∞，RD = 5 kΩ，則此放大器的輸出電阻 Ro為： (A) 0(B) 2 kΩ(C) 5 kΩ(D) ∞
30 若 Acm為差動放大器的共模增益（Common-mode gain），Ad為其差模增益（Differential-mode gain），其 CMRR （Common-mode rejection ratio）定義為： (A) (B) (C) (D)
31 如圖所示為一 BJT 差動對（Differential-Pair）電路。Q1 = Q2，並設工作於主動模式（active-mode）。當 VB1 = VB2 = 0 V 時，射極電壓 VE為何？ (A) 0 V (B)-0.7 V(C)(D)
32 若某一放大器之最大電壓增益為 100，則在-3dB 頻率點的電壓增益為多少？ (A)141.4(B) 70.7(C) 63.6 (D)50
33 如圖所示之理想運算放大器振盪電路，R = 10 kΩ，C = 20 nF，當電路振盪時其振盪頻率為何？ (A)125 Hz(B) 225 Hz(C) 325 Hz(D) 425 Hz
34 如圖所示電路，U1 為理想運算放大器。已知電阻 R1= 1 kΩ、R2 = 3 kΩ、R3 = 1 kΩ、R4 = 3 kΩ。當 vI1 = 3 V、 vI2 = 2 V 時，試求輸出端 vO的電壓約為多少？ (A) 3 V(B) 1 V(C) -1 V (D)-3 V
35 試分析下列之全差動式（Fully Differential）放大器電路，若電晶體之轉導值 gm為 1 mA/V，其電壓增益值 約為何？ (A)5 V/V(B) 10 V/V(C) 20 V/V(D) 30 V/V
36 下列關於切換式電容（Switched-Capacitor）濾波器的敘述，何者正確？ (A)等效電阻和電容成反比 (B)等效電阻和電容成正比 (C)等效電阻和時脈頻率成正比(D) 等效電阻和電容無關
37 如圖為由雙極性接面電晶體所構成的等電流源電路，其可提供等電流 I。設兩電晶體 Q1、Q2 具相同特性， 其 β>>1。則下列敘述何者錯誤？ (A)IR = 4.3 mA (B)電晶體 Q1之作用相當於一個二極體 (C)電晶體 Q1必然操作於主動模式（active -mode） (D)當電晶體 Q2操作於飽和模式（Saturation-mode）時，I = IR
38 分析下列之電路，若 BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值 gm為 10 mA/V，電晶體之 β = 50。 忽略元件之輸出阻抗，試求 RO =？ (A)10 kΩ (B)5 kΩ (C)3.5 kΩ(D) 0.5 kΩ
39 如圖為一個疊接（Cascode）放大器（偏壓電路未顯示），此疊接放大器相較一個共源（CS）放大器，具有： (A)較小的輸入電阻(B) 較大的輸出電阻(C) 較小的電壓增益 (D)較小的頻寬
40 圖示電流源電路，已知 IREF = 40 μA，電晶體 Q1特性與 Q2完全相同：Vt = 0.5 V、μnCox(W/L) = 20 μA/V2，若 電路能正常工作，則電壓 VO之最小值應為若干伏特？ (A) 2.5(B) 2.0(C) 1.5 (D)0.5

申論題 (0)