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105年 - 11700 數位電子 乙級 工作項目 07：電子學及電子電路 1-100#38776

科目：技檢◆數位電子-乙級 | 年份：105年 | 選擇題數：100 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：技檢◆數位電子-乙級

選擇題 (100)

1.N 型半導體中，有較多的自由電子，因此其帶電性為(A)帶有正電(B)帶有負電(C)偶而帶電(D)電中性。
2.有一共集極電晶體放大電路之負載電阻 RL ＝1KΩ，且電流增益 hfe(或 β 值)為 100，假設電晶體的 hie 可忽 略不計，則此放大電路輸入阻抗為(A)10KΩ(B)11KΩ(C)101KΩ(D)1MΩ。
3.欲使 P 通道增強型 MOSFET 導通，其閘極偏壓Vgs 應加(A)正電壓(B)負電壓(C)正、負電壓均可(D)零電壓。
4.一般放大器之頻率響應曲線，在截止頻率處之電壓增益為最大電壓增益之(A)0.707(B)0.632(C)0.5(D)0.25 倍。
5.在三級 RC 相移振盪器中，其電路增益Ａ必須(A)小於 29(B)大於 29(C)等於 0(D)近似於無限大。
6.一個理想運算放大器共模訊號之拒斥能力以 CMRR 來表示，一般為(A)小於 1(B)等於 0(C)近似於 1(D)近似於無 限大。
7.如下圖電路，若採用理想的運算放大器，則輸出電壓為(A)-2V(B)-1.5V(C)1.5V(D)2V。
8.全波整流電路中，輸出電壓的平均值為峰值的幾倍(A)1/π(B)2/π(C)3/π(D)4/π。
9.一個理想的互導放大器，其輸入阻抗 Ri 與輸出阻抗 Ro 應為(A)Ri＝∞，Ro＝0(B)Ri＝0，Ro＝∞(C)Ri＝0，Ro ＝0(D)Ri＝∞，Ro＝∞。
10.某電台所發射的電波頻率為 1500 仟赫，其電波的波長為(A)2 公尺(B)20 公尺(C)200 公尺(D)2 公里。
11.共射極電晶體電路中，射極電流為 5mA，基極電流為 0.1mA，則其電流增益為(A)39(B)49(C)59(D)69。
12.巴克豪生振盪準則(BarkhausenCriterion)是(A)βＡ＜1∠0°(B)βＡ＝1∠0°(C)βＡ＝1∠180°(D)βＡ＜1∠90°。
13.放大器中加入負回授之主要目的是(A)增加穩定度(B)提高增益(C)產生振盪(D)增加功率。
14.一個理想電壓放大器，其輸入電流 Ii 及輸入阻抗 Ri 分別為(A)Ii＝∞，Ri＝0(B)Ii＝0，Ri＝0(C)Ii＝∞，Ri＝∞ (D)Ii＝0，Ri＝∞。
15.如下圖為 CE 放大電路之交流等效電路，hfe＝50，hie＝1KΩ，則基極的輸入阻抗為(A)1KΩ(B)10KΩ(C)52KΩ (D)104KΩ。
16.在 CE 放大器上使用的射極旁路電容器，其作用是(A)阻止直流電壓通過射極電阻(B)濾波(C)使電壓增益不致因 射極電阻而大為降低(D)抑制振盪。
17.電晶體的 Ico 為 10nA，而其 Iceo 為 1μA 由此可估計此電晶體的 β 約為(A)1(B)10(C)50(D)100。
18.飽和型電晶體開關電路比非飽和型開關電路速度慢，其主要原因為前者(A)儲存時間較長(B)上昇時間較長(C) 下降時間較長(D)延遲時間較長。
19.如下圖之截波(Clipper)電路，若-6V≦Vi≦6V，二極體為理想二極體，則 Vo 的大小為(A)1.5V≦Vo≦3V(B)3V≦Vo≦6V(C)-3V≦Vo≦-1.5V(D)-6V≦Vo≦-3V。
20.如下圖電路，欲使電晶體飽和，則 Rb 之值應小於(A)βRc(B)Rc(C)2βRc(D)Rc/β。
21.就達靈頓對(Darlington-Pair)而言(A)輸出阻抗低，電流增益小於 1(B)輸出阻抗低，電流增益等於 1(C)輸出阻抗 低，電流增益甚高(D)輸出阻抗及電流增益皆甚高。
22.如下列四種電路連接法，哪一種為非達靈頓連接？
23.電晶體 CE 放大之混合參數(h 參數)等效之輸入電壓可等於：(A)V ＝hoeI ＋hoeV (B)V ＝hieI ＋hoeV (C)V ＝hoeI ＋hreV (D)V ＝hieI ＋hreV 。
24.如下圖電路，依據米勒定理(Miller'sTheoren)，兩圖為等效電路，設  ，則 Z 及 Z 分別為：
25.當共射極放大器之集極電流增大時，其集極功率損耗(A)視工作點的位置決定增加或減少(B)必然隨之增加(C) 必然隨之減少(D)必將導致熱跑脫。
26.有一電晶體 β＝100，測得基極電流 IB ＝0.4mA，集極電流 IC ＝4mA，則此電晶體工作於何區(A)工作區(B)飽 和區(C)截止區(D)電阻區。
27.靴帶式(Bootstrap)射極隨耦器的主要特點為(A)輸出阻抗極高(B)輸入阻抗極高(C)電壓增益極高(D)輸入阻抗極 低。
28.如下圖所示的箝位電路，當輸入為 10sinωt 時，則輸出 Vo 為何？
29.達靈頓對(Darlington-Pair)的總電流增益約為
30.電晶體放大電路中，下列何者是影響放大器高頻響應的主因(A)電晶體的極際電容(B)耦合電容(C)射極傍路電 容(D)反耦合電容。
31.產生 B 類推挽放大器交叉失真的原因為(A)輸入信號過大(B)阻抗不匹配(C)功率放大倍數過大(D)電晶體 B-E 偏 壓過低。
32.在工作中之功率電晶體，若已知其接合面溫度 Tj=120℃，週圍溫度 Ta=20℃，接合面消耗功率 Pd=40W，則 其熱阻 θja 為(A)2℃/W(B)2.5℃/W(C)3.5℃/W(D)4℃/W。
33.輸入信號為 5Sin10t+6Sin20t，而輸出信號為 20Sin10t+18Sin20t，則此放大器具有下列何種失真﹖(A)頻率失真 (B)非線性失真(C)波幅失真(D)互調失真。
34.下列何者不會影響放大器的低頻響應？(A)輸入端的交連電容(B)輸出端的交連電容(C)電晶體電極間的極際電 容(D)射極旁路電容。
35.放大器在其高頻或低頻截止頻率時的功率增益，為其中頻段功率增益的若干倍？(A) (B)2(C)1/ (D)1/2。
36.FET 的 是在下列何種條件下所測得的VDS ﹖(A)IDS =0V(B) VGS=0V(C)VGG =0V(D) VDD=0V。
37.某一放大器其頻帶寬為 20KHz，若加上負回授使其雜訊衰減了 10 倍，則此放大器的頻寬變為多少？(A)40K Hz(B)100KHz(C)120KHz(D)200KHz。
38.電流串聯負回授，會使電路的輸入阻抗 Ri、及輸出阻抗 Ro 產生何種變化？(A)Ri 增加、Ro 增加(B)Ri 增加、 Ro 減低(C)Ri 減低、Ro 增加(D)Ri 減低、Ro 減低。
39.如下圖所示電路為何種負回授電路？(A)電壓串聯負回授電路(B)電壓並聯負回授電路(C)電流串聯負回授電路 (D)電流並聯負回授電路。
40.下列何者較適合做互導放大器？(A)電壓串聯負回授電路(B)電壓並聯負回授電路(C)電流串聯負回授電路(D)電 流並聯負回授電路。
41.如下圖所示電路，其振盪頻率 f 為何？(A)1/(2πRC)(B)1/(2π(√3 )RC)(C)1/(2π(√6 )RC)(D)1/(2π(√10 )RC)。
42.有關維恩電橋振盪器之敘述，下列何者不正確﹖(A)正回授量 β=1/3(B)同時具有正、負回授(C)屬於 RC 振盪電 路的一種(D)其負回授是經由電抗臂完成。
43.石英晶體振盪器較 LC 振盪器之優點為何﹖(A)振盪頻率範圍較廣(B)振盪頻率較穩定(C)振盪頻率較於調整(D) 振盪器信號的振幅較大。
44.採用電容分壓方式來做正回授的是下列何種振盪器﹖(A)考畢子振盪器(B)哈特萊振盪器(C)阿姆斯壯振盪器(D) 負電阻振盪器。
45.如下圖所示電路，若 Q1、Q2 導通時之 Vbe=0.5V，飽和時 Vce(sat)=0V，則此電路之上限觸發電壓為(A)0.5V (B)2.5V(C)4.5V(D)6.5V。
46.如下圖所示之無穩態多諧振盪器，電晶體的 β、Rb、及 Rc 間的關係為何﹖(A)Rc＜βRb(B)Rc＞Rb(C)βRc＜ Rb(D)βRc＞Rb。
47.如下圖所示為 IC555 所構成的電路，下列敘述何者不正確﹖(A)為一無穩態多諧振盪器(B)振盪週期 T=0.7(Ra+2Rb)C(C)Vo 為高電位的時間 th=0.7(Ra+Rb)C(D)Vo 為低電位的時間 tl=0.7RaC。
48.如下圖所示電路，其 h 參數中的 h11 為(A)5KΩ(B)10KΩ(C)15KΩ(D)20KΩ。
49.如下圖所示為電晶體之 re'參數模型 。關於電晶體之 h 參數（忽略 hr 及 ho）與 re'參數間的關係，下列敘述 何者正確﹖(A)β=hie，βre'=hfe(B)β=hfe，βre'=hie(C)β=hie，re'=hfe(D)β=hfe，re'=hie。
50.如下圖所示之偏壓電路，其熱穩定因數 S T為(A)0(B)1(C)Rc/Rb(D)1+β。
51.一個二極體的直流工作電流為 Id，則在常溫下，此二極體對交流小信號而言所呈現的交流動態電阻 r 約為 (A)25mv/Id(B)25mv×Id(C)Id/25mv(D)25mv(Id+1)。
52.在光電效應中，欲增加所放射出光電子的動能，則需增大下列何種因素？(A)入射光的頻率(B)入射光的強度 (C)光電作用的表面積(D)光電材料的功函數。
53.如下圖所示電路，若 Vo(sat)=±12V，則此電路的上限電壓Ｖut、及下限電壓Ｖet 為(A)±1V(B)±4V(C)±9V(D)±12 V。
54.如下圖所示電路，若 V1＝3V、V2＝-1V，則 Vo 為(A)-8V(B)-4V(C)4V(D)8V。
55.如下圖所示振盪電路，其振盪頻率為(R3+R4)(C1+C2)。
56.如下圖所示穩壓電路，設電晶體 B 與 E 間的順向壓降為 Vbe，稽納二極體的稽納電壓為 Vz，則其輸出電壓 Vout 為(A)Vout=Vin+Vz-Vbe(B)Vout=Vbe(1+R1/R2)(C)Vout=Vz(1+R1/R2)(D)Vout=(Vz+Vbe)(1+R1/R2)。
57.如下圖所示為一相鎖 PLL 迴路，其輸出信號的頻率 fout 與輸入信號的頻率 fin 之間的關係為何？(A)fout=fin． N(B)fout=fin/N(C)fout=fin(D)fout=2(fin)N。
58.如下圖所示為一定電流源電路，流經 RL 的電流 I 恆為(A)5mA(B)10mA(C)15mA(D)20mA。
59.超外差接收機的頻率選擇性，主要是由接收機中的哪一個電路來決定？(A)射頻放大器(B)本地振盪器(C)變頻 電路(D)中頻放大器。
60.如下圖所示為一個低通主動濾波器電路，下列敘述何者正確？(A)其低頻截止頻率 fL=1/(2πRC)(B)其高頻截止 頻率 fH=1/(2πRC)(C)其高頻截止頻率 fH=1/(2π )(D)其低頻截止頻率 fL=1/(2π )。
61.已知電阻器(R)之 V-i 特性曲線為 ，二極體(D)之 V-i 特性曲線為 時，如下圖所示之電路 的 V-i 特性曲線為
62.如下圖所示電路，其二極體 D 的作用為(A)補償 Ico 的變化(B)補償 Vbe 的變化(C)保護電晶體(D)整流用。
63.如下圖所示電路，下列敘述何者有誤：(A)RE 開路時電晶體截止(B)RE 開路時 VC=VCC(C)R2 短路時，VE =0V(D) R1 開路時，VC=0V。
64.電晶體放大電路中會影響低頻響應的電容器，下列何者為正確？(A)交連電容(B)傍路電容(C)交連與傍路電容 (D)雜散電容。
65.如下圖所示之電路為(A)對數放大器(B)指數放大器(C)均值檢出器(D)峰值檢出器。
66.如下圖所示之電路的輸入阻抗(Rin)與輸出阻抗(Rout)分別為(A)Rin→∞，Rout→∞(B)Rin→∞，Rout→０(C)Rin →０，Rout→∞(D)Rin→０，Rout→０。
67.如下圖所示電路為單極點放大器，已知 0dB 時頻寬為 500KHz，則閉迴路頻寬為(A)500KHz(B)400KHz(C)125K Hz(D)100KHz。
68.下列何項不是振盪所必要的條件(A)必須是正回授(B)回授因數 βA 必須為≧1(C)必須有電感器(D)必須有維持 振盪的足夠能量。
69.下列何者不是負回授的優點？(A)降低諧波失真(B)增進放大器穩定度(C)減少相位失真(D)較佳的低輸入阻抗。
70.如下圖所示電路，這是一個典型的(A)低通濾波器(B)高通濾波器(C)峰值檢出器(D)對數電路。
71.輸送線之入射波振幅為 25V，反射波振幅為 5V，其駐波比(VSWR)為(A)5(B)1/5(C)3/2(D)2/3。
72.有一放大電路，其輸入阻抗為 100KΩ，輸出阻抗為 1KΩ，當輸入 2mV 信號而輸出為 2V 的狀況下，則此放 大電路的功率增益為(A)30dB(B)58dB(C)80dB(D)100dB。
73.半導體在-273℃(即絕對溫度 0°K)時，其特性為(A)純導體(B)絕緣體(C)負電阻性(D)正電阻性。
74.目前台灣的有線電視，其鎖碼台的解碼器實係一種(A)低通濾波器(B)高通濾波器(C)解調制器(D)陷波器。
75.若積分電路中，T 為信號周期，TS 為電路中之時間常數，若欲得到較佳之積分特性則(A)TS ＞＞T(B)TS ＜＜T (C)TS =T(D)兩者無關。
76.已知一電晶體 β=10，則 α 為(A)0.95(B)0.909(C)0.99(D)1.1。
77.FET 在低的VDS 時，可視為(A)定電流器(B)定電壓器(C)電阻(D)電感器。
78.一個 80W 的電晶體（在 25℃下的額定），其衰減因素為 0.5W/℃，則在 125℃溫度下，其最大功率消耗值為 (A)30W(B)40W(C)50W(D)60W。
79.如下圖電路中，若該矽電晶體之 hfe =30，ICBO =0，則此電晶體動作為(A)截止(B)飽和(C)工作(D)不動作。
80.如下圖之放大器中，若 Vi=2V，則 Vo 為(A)2V(B)4V(C)8V(D)12V。
81.電壓增益+6dB，相當於電壓放大(A)2 倍(B)3 倍(C)4 倍(D)6 倍。
82.某放大器增益為 40，若加上負回授電路，回授量是輸入信號的 10%，則其總增益為(A)4(B)8(C)12(D)24。
83.如下圖所示高通濾波器，若輸入正弦波之頻率恰等於此電路之-3dB 頻率時（截止頻率），則輸出波形的相 位比輸入波形(A)落後 90°(B)領先 90°(C)落後 45°(D)領先 45°。
84.在史密特觸發電路中，若加入一規則的三角波之觸發信號（如正弦波），則其輸出波形為(A)方波(B)正弦波 (C)不規則矩形波(D)鋸齒波。
85.如下圖電路中，其電流 I 為(A)1A(B)2A(C)3A(D)4A。
86.若 5KΩ、5W 與 5KΩ、2W 之兩個電阻器相串聯，則其等值電阻與瓦特數各為(A)5KΩ、7W(B)10KΩ、7W(C)10KΩ、6W(D)10KΩ、4W。
87.如下圖所示，在 1Ω 兩端之壓降為何？（圖中電阻的單位均為 Ω）(A)1V(B)1.2V(C)1.5V(D)2V。
88.如下圖，設 ＝±12V，求臨界電壓上限 VO(sat) 為若干？(A)+6V(B)-6V(C)+12V(D)-12V。
89.如下圖，設稽納二極體iz(mic) =0mA，VZ =10V，PZ =400mW，求達到正常穩壓時之 RL 最大值為若干？(A)100 Ω(B)250Ω(C)500Ω(D)1000Ω。
90.如下圖，倍壓電路中，設 VD 為理想二極體，求直流平均輸出電壓 VO 為若干？(A)0V(B)+5V(C)-5V(D)+10V。
91.若某電路的頻率轉移函數 H(f)呈-20dB/decade 衰減，是表示其轉換增益隨頻率每增加 10 倍，其增益下降為原 來的(A)0.01(B)0.1(C)10(D)100。
92.具有線性相位響應的主動濾波器電路為(A)巴特沃斯(Butterworth)濾波器(B)契比謝夫(Chebyshev)濾波器(C)貝索 (Bessel)濾波器(D)匹配(Matching)濾波器。
93.如下圖，Q1與 Q2 的VBE 均視為 0.6V，求IOUT 的限流值為(A)0.5mA(B)1mA(C)0.5A(D)1A。
94.某電壓調節電路，當空載(I =0)時，輸出 V 為 10V，當滿載(I =100mA)時，輸出 V 為 9.5V，則其負載調 整率為多少？(A)+5%(B)+5.26%(C)-5%(D)-5.26%。
95.如下圖，電路的電壓增益為 100 倍，求電路有效輸入電容量CIN 約為若干？(A)0.1pF(B)1pF(C)10pF(D)100pF。
96.如下圖，電路中 Ib =0，VBE =0.6V，求電路 IC 值約為若干？(A)2.1mA(B)3.1mA(C)4.1mA(D)5.1mA。
97.關於熱阻(thermalresistance)愈大的電晶體，下列敘述何者正確？(A)接合面的溫度愈低(B)容許外殼溫度愈高(C) 接合面與外殼溫差愈大(D)集極容許消耗功率愈大。
98.設差動放大器的共模增益 AC 為 0.01，差模增益 AD 為 100，則此差動放大器的共模拒斥比 CMRR 應為若干？ (A)+10dB(B)+20dB(C)+40dB(D)+80dB。
99.如下圖達靈頓對(Darlingtonpair)，其電路特質為？(A)異型 PNP 靈頓對(B)同型 PNP 靈頓對(C)異型 NPN 靈頓對 (D)同型 NPN 靈頓對。
100.某甲類功率放大器，以變壓器耦合輸出到負載時，若 VCC=20V，NP :NS =5，喇叭阻抗為 8Ω，則最大理想輸 出功率為？(A)0.25W(B)0.5W(C)0.75W(D)1W。

申論題 (0)