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高等電子電路學
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106年 - 106 公務升官等考試_簡任_電子工程、電信工程:高等電子電路學研究(包括類比與數位)#66349
科目:
高等電子電路學 |
年份:
106年 |
選擇題數:
0 |
申論題數:
9
試卷資訊
所屬科目:
高等電子電路學
選擇題 (0)
申論題 (9)
⑴電晶體參數 r
π
=?(10 分)
⑵電壓增益 A
V
= v
o
/v
s
=?(10 分)
⑶電流增益 A
i
= i
o
/i
s
=?(10 分)
⑴輸出阻抗 R
o
=?(10 分)
⑵開路差動模式之電壓增益(open-circuit differential-mode voltage gain)?(10 分)
⑴ v
o
=?(10 分)
⑵ v
GSX
及 v
GSY
分別為何?(10 分)
⑴試設計繪製一具有該邏輯函數之 CMOS 電路圖。(20 分)
⑵如果一基本 CMOS 反相器(inverter)之電晶體參數值:(W/L)
n
= 2、(W/L)
p
= 4,如 欲使⑴之 CMOS 電路具有對稱之切換時間、且兩倍於該基本 CMOS 反相器之切換 速度,試求⑴之 CMOS 電路中,每一 NMOS 及 PMOS 電晶體之(W/L)值,分別為 何?(10 分)