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106年 - 106 公務升官等考試_簡任_電子工程、電信工程：高等電子電路學研究（包括類比與數位）#66349

科目：高等電子電路學 | 年份：106年 | 選擇題數：0 | 申論題數：9

試卷資訊

所屬科目：高等電子電路學

選擇題 (0)

申論題 (9)

⑴電晶體參數 rπ =？（10 分）
⑵電壓增益 AV = vo/vs =？（10 分）
⑶電流增益 Ai = io/is =？（10 分）
⑴輸出阻抗 Ro =？（10 分）
⑵開路差動模式之電壓增益（open-circuit differential-mode voltage gain）？（10 分）
⑴ vo =？（10 分）
⑵ vGSX及 vGSY分別為何？（10 分）
⑴試設計繪製一具有該邏輯函數之 CMOS 電路圖。（20 分）
⑵如果一基本 CMOS 反相器（inverter）之電晶體參數值：(W/L)n = 2、(W/L)p = 4，如 欲使⑴之 CMOS 電路具有對稱之切換時間、且兩倍於該基本 CMOS 反相器之切換 速度，試求⑴之 CMOS 電路中，每一 NMOS 及 PMOS 電晶體之(W/L)值，分別為 何？（10 分）