106年 - 106 地方政府特種考試_五等_電子工程：電子學大意#67133

3 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度， 此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為|V_th| = 0.5 V。V_D1 = 2 V，V_D2 = -2 V，V_D = 2 V， V_E = -2 V。試研判此電晶體在目前的偏壓條件下通道電流（Channel current）的主要流動方向？ (A)由右向左水平流動 (B)由左向右水平流動 (C)由上往下垂直流動 (D)由下往上垂直流動

10 如圖所示電路，U1 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓 VD0 = 0.7 V。已知電阻 R1 = 1 kΩ、R2 = 2 kΩ、R3 = 1 kΩ、V_CC = -5 V。當 v_I = 3 V 時，下列敘述何者正確？ (A)D1 導通、D2 不導通 (B)D1、D2 都導通 (C)D1、D2 都不導通 (D)D1 不導通、D2 導通

11 如圖所示電路，A_o = 10⁵ ，求此電路之閉迴路電壓增益約為何？ (A)1 (B)100 (C)1000 (D)100000

13 理想變壓器中負載電阻為 R₂ = 2 Ω 如圖，測得輸入等效電阻 R₁ = 8 Ω，則次級電壓（V₂）、初級電流 /次級電流比（I₁/I₂）及線圈匝數比（N₁：N₂）等有關之敘述，何者正確？ (A)V₂ = 2 V₁, I₁/I₂ = 2/1 (B)V₂ = 16 V, N₁：N₂ = 1：2 (C)I₁/I₂ = 2/1, V₂ = 4 V (D)N₁：N₂ = 2：1, I₁/I₂ = 1/2

14 橋式整流電路中，理想二極體之逆向峰值電壓（PIV）為電源峰值的多少倍？ (A)3 (B)2 (C) (D)1

15 如下圖所示，若輸入電壓 V_i = 20 V 且稽納二極體的 V_Z = 10 V，則輸出 V_o為： (A)20 V (B)13.3 V (C)10 V (D)8 V

16 下圖整流電路中，當變壓器一次側之輸入電壓 v_i為振幅 110 V 的正弦波且 C 值很大時，則輸出電壓 V_o約為： (A)5.5 V (B)11 V (C)22 V (D)44 V

17 下圖為全波整流器。輸入信號為弦波，v_s(t) = 5sin10t 伏特，各二極體 D₁～D₄ 之導通電壓皆為 0.7 V， 導通電阻為 0 Ω。則輸出 v_o(t)之最大值為何？ (A)5 V (B)4.3 V (C)3.6 V (D)2.5 V

18 下圖為一整流器，若二極體之導通電壓為 0 V，導通電阻為 0 Ω，輸入信號為弦波 v_i(t) = 5sin(10πt) V， 若輸出 v_o漣波電壓＜0.1 V，R = 100 kΩ，則電容 C 之最小值為何？ (A)1 μF (B)10 μF (C)100 μF (D)1000 μF

19 下圖電路中二極體 D1 之導通電壓為 0.7 V，導通電阻為 0 Ω。電容 C 兩端之初始跨壓為 0 V，則其穩 態跨壓 v_C為何？ (A)6 V (B)3.3 V (C)2.7 V (D)1.3 V 

20 下圖中二極體 D1 與 D2 之導通電壓為 0.7 V，導通電阻為 0 Ω，輸入信號為弦波 vi(t) = 5sin10t 伏特， R1，R2，R3 皆為 10 Ω，則電阻 R1 之最大電流值為何？ (A)530 mA (B)330 mA (C)165 mA (D)115 mA

21 關於圖(a)與(b)電路之敘述，若二極體為理想，Vp1 與 Vp2 為 Vo1 與 Vo2 之峰值電壓，下列何者正 確？ (A)Vp1 = 5 V，Vp2 = -5 V (B)Vp1 = 5 V，Vp2 = 5 V (C)Vp1 = -5 V，Vp2 = 5 V (D)Vp1 = -5 V，Vp2 = -5 V

23 圖中電晶體 M1 與 M2 之寬長比為(W/L)₁：(W/L)₂ = 4：1，臨界電壓（VT）皆為 0.8 V，若 V_ol = 1 V， 則 V_o2 =？ (A)0.8 V (B)0.9 V (C)1 V (D)1.2 V

24 圖中為雙載子電晶體放大器之等效模型，輸入為 v_s，輸出為 v_o。關於本放大器的敘述下列何者正確？ (A)為共基級放大器 (B)R_L越大則輸入阻抗越小 (C)R_L越大則增益越大 (D) |v_o/v_s|＞1 

25 具有臨界電壓 V_th = 1.5 V 且 μ_nC_ox(W/L) = 1 mA/V²的增強型 MOSFET 放大器中，電晶體的輸出直流 電壓為 V_DSQ = 5 V，直流電源 V_GG約為多少？ (A)2.5 V (B)3.5 V (C)5 V (D)5.5 V

26 臨界電壓 V_th = 1.5 V 的增強型 MOSFET 所構成如圖之放大器中，流經 R₂ = 50 kΩ 及 1.5 kΩ 的直流偏 壓電流分別為 0.15 mA 及 4 mA，該放大器的小信號電壓增益為何？ (A)-100 (B)-50 (C)-20 (D)-6

28 如圖為 MOS 電晶體操作於飽和模式（Saturation mode）之 π 型小訊號等效電路，其中參數轉導 g_m與 汲極電流 I_D的關係約為：(A)gm正比於 1/ID (B)gm正比於1/(C)gm正比於 (D)gm正比於 ID 

30 如圖示電路，V_CC = +10 V，R_B1 = 200 kΩ，R_B2 = 200 kΩ，R_C = 5 kΩ，R_E = 1 kΩ，電晶體電流放大 率 β = 100，則此電晶體工作在： (A)截止區 (B)主動區（active region） (C)飽和區（saturation region） (D)逆向主動區（reverse active region）

31 如圖所示為一波形產生電路，該電路在正常運作中並於某一瞬時間得知該電容器 C 處於放電狀態， 則在此瞬時間，下列那一敘述為正確？其中施加於理想 OPA 之電壓為 ± 12 V。 (A)v_O = 12 V (B)Vf = -4 V (C)v_C = 6 V (D)i_R = 1.2 mA

32 三角波產生電路中各個元件的電性數值如圖中所示，並且測得其輸出頻率為 f，則下列那一種組合的 改變可使其輸出頻率為原來的 4 倍＝4f？兩 OPA 可視為理想。 (A)R₁增為 2 倍、R₂增為 2 倍 (B)R 減半、R₁減半 (C)C 減半、R₂減半 (D)C 減為四分之一、R 增為 2 倍

33 由 β₁ = 80 及 β₂ = 100 的電晶體 Q1 及 Q2 所構成 RC 串級放大電路如圖，第 1、第 2 單級放大電路的 基極直流偏壓電流 I_B1 與 I_B2均為 25 μA，且測得 R_i2 = 4 kΩ，決定該串級放大電路的總電壓增益大小 約為多少？熱電壓 V_T = 25 mV。 (A)64 (B)80 (C)124 (D)160

34 如圖為一雙極性電晶體電路。雙極性電晶體的 β = 100，V_BEactive = 0.7 V，忽略爾利效應。V_T = 25 mV， 求低頻 3 dB 頻率（選最接近之值）？ (A)15.9 Hz (B)100 Hz (C)3.18 kHz (D)20 kHz

35 如圖雙穩態電路，其 R₁ = 10 kΩ 且 R₂ = 20 kΩ，若在 t =0 時輸出電壓 vo 飽和在-10 V；當在 t＞0 時， 輸出電壓 v_o突然由-10 V 轉態並飽和在+10 V；試問在 t ＞ 0 時，引起輸出電壓 vo突然轉態的輸入電 壓 v_I狀態為何？ (A)vI ＜ -5 V (B)vI ＞ +5 V (C)vI ＞ -5 V (D)vI ＜ +5 V

36 有一放大器電路的轉移函數（Transfer function）F(s)=VO(s)/VI(s)如下所示，其中 s=jω=j2πf： ，今製作相角∠F(s)的波德曲線圖（Bode plot），欲估計在頻率 f = 3 kHz 時的相 角，下列何者正確？ (A)大於 60° (B)落於 30°至 60°之間 (C)落於-30°至 30°之間 (D)小於-30° 

37 如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，I_C = 0.838 mA，V_T = 26 mV，β = 100，C_π = 24 pF， C_μ = 3 pF，忽略爾利（Early）與所有其他電容效應，求相關於輸出端之 3 dB 頻率為何？ (A)28.4 MHz (B)38.4 MHz (C)48.4 MHz (D)58.4 MHz

38 如圖之電路，L₁ = L₂ = 1 mH，C = 30 pF，若不考慮 R₁對回授網路之負載效應，振盪發生時其振盪頻 率為何？ (A)0.65 MHz (B)0.85 MHz (C)1.05 MHz (D)1.25 MHz