106年 - 106 鐵路特種考試_佐級_電子工程：電子學大意#62347

1 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為 |V_th| = 0.5 V。V_D1 = 2 V，V_D2 = -2 V，V_D = 2 V， V_E = -2 V。試由此結構剖面判斷此電晶體的類型為下列何者？

(A)N-channel MOSFET（N 通道金氧半場效電晶體） (B)P-channel MOSFET（P 通道金氧半場效電晶體） (C)CMOSFET（互補式金氧半場效電晶體） (D)FIN FET（鰭式場效電晶體）

7 如圖所示為雙極性電晶體 Q 接成共射極組態，若逆向飽和電流為 ICBO且電流增益為 β，試問電晶體 Q 的截止條件為何？

(A)i_B = 0，i_C = 0，i_E = -I_CBO 

(B)i_E = 0，i_C = I_CBO，i_B = -I_CBO 

(C) i_B = 0，i_C =βI_CBO，i_E = -(1+β)I_CBO

(D) i_B = -I_CBO，i_C = I_CBO，i_E = (1+β)I_CBO

11 有 一放大器電路如圖所示，放大器 U1 為理想運算放大器，其輸出電壓範圍侷限在+10 V 與-10 V 之 間，二極體 D1 順向電壓 V_D0＝0.7 V。若電阻 R1＝1 kΩ，電源 V_I＝-5 V，試問節點 B 的電壓 VB應落 在下列何範圍內？

(A)V_B ≧ -4.0V (B)-4.0V ＞ V_B ≧ -4.5V (C)-4.5V ＞ V_B ≧ -5.0V (D)-5.0V ＞ V_B 

12 如圖所示之電路，運算放大器為理想，求此電路之輸出電壓值為何？ (A)8 V (B)10 V (C) 12 V (D) 14 V

13 如圖之箝位電路（D 為理想二極體，RC 時間常數為無限大），輸入矩形週期波 v_i(t)後，得到直流準 位為 2 伏特之輸出信號，則偏壓電源 V_R應為多少？ (A)-3 V (B)-2 V (C) 2 V (D) 3 V

14 如圖所示之電路，假設輸入電壓 V_in為-5 V，且所有的二極體皆為理想，輸出電壓 V_out為何？ (A)0 V (B)-5 V (C)-3 V (D)-2 V

15 如圖所示為一箝位電路，若 PD(max)為稽納二極體可承受的最大消耗功率值，則稽納二極體最大容許電 流 I_{Z (max)}為何？ (A)10 mA (B)25 mA (C) 50 mA (D) 500 mA 

17 圖中二極體 D1 之導通電壓為 0.7 V，導通電阻為 0 Ω，若輸入電壓 v_s(t)= 3 sin 5t 伏特，R_s = 100 Ω， 則 t = (3π/10) 時，i =？ (A)37 mA (B)23 mA (C)-23 mA (D)-37 mA 

18 如圖所示之電路，假設二極體之壓降為 0.7 V，則此電路之輸入電壓 vin -輸出電壓 vout 之特性曲線最 有可能為下列何者？

(A)(B) (C) (D)

19 如圖所示之電路，若二極體之壓降為 0.7 V 且 RC 時間常數很大，則其穩態輸出電壓之最低電壓值為 何？ (A)4.3 V (B)5.7 V (C)-14.3 V (D)-15.7 V

20 圖示理想運算放大器電路中，二極體導通的電壓降為 0.7 V，電壓 v_O為若干？ (A)-3 V (B)-1.5 V (C) 0 V (D) 3 V

22 如圖所示電路，U1 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓 V_D0=0.7 V。已知電阻 R1=1 kΩ、R2=2 kΩ。 對於輸出與輸入電壓之間的轉移特性，下列何者正確？

(A)(B) (C) (D)

23 如圖所示之電路，其中電晶體之參數為 β=100，V_T = 26 mV 且 V_BE(on) = 0.7 V，求其小信號輸入電阻 R_i之值為何？ (A)0.069 kΩ (B)1.369 kΩ (C) 1.769 kΩ (D) 2.169 kΩ 

26 圖中電晶體 M1 操作在飽和區 （saturation region），輸出阻抗 r_o=10 kΩ，轉導值 g_m = 10 mA/V 。電 流源 I 的內阻為 10 kΩ，且負載電阻 R_L亦為 10 kΩ 。則 |v_o / v_s | =？ (A)100/103 (B)1 (C) 9/10 (D) 100/3

27 圖中電晶體操作在主動區（forward active region），β = 99 。直流偏壓為 VB ，交流輸入信號為 vs， 輸出信號為 v_o1及 v_o2 。下列敘述何者正確？ (A)v_o1 及 v_o2 為同相 （in phase）輸出 (B)|v_o1 / v_o2 | = 100/99 (C)|v_o1 / v_o2 | = 99/100 (D)|v_o1 / v_o2 | = 1

28 如圖所示之電晶體放大器電路中增強型 MOSFET 的相關參數為 μ_nC_ox(W/L) =2 mA/V² 和臨界電壓 V_th =1 V，測得輸出直流偏壓電壓 V_o = V_DSQ = 6 V，該偏壓下電晶體的小信號互導 g_m 約為多少？ (A)0.4 mA/V (B)2 mA/V (C) 4 mA/V (D) 10 mA/V

29 固定偏壓電路中電晶體基-射極導通時所跨定壓降為V_BEQ = 0.7 V，求該電晶體的輸出直流電壓V_CEQ 約 為多少？ (A)8 V (B)6 V (C) 5 V (D) 4 V

32 如圖之差動對電路，電晶體之 β = 100，r_o→∞，R_C = 4 kΩ，I = 2 mA，V_CC = -V_EE=10 V，取 V_BE(on) = 0.7 V， V_CE(sat) = 0.3 V，VT = 25 mV，此差動對的差動電壓增益 |Ad |約為多大？ (A)0 (B)80 V/V (C) 160 V/V (D) 200 V/V

34 如圖所示由兩個理想 OPA 構成的波形產生電路，測得 vO₁ 的頻率與振幅分別為 f₁ 與 V_m1，而 v_O2 的頻 率與振幅則分別為 f₂與 V_m2，如果只有 R2的阻值變為原來的 2 倍，則下列敘述何者正確？ (A)v_O1的頻率仍為 f₁ (B)v_O1的振幅為 2 V_m1 (C) v_O2的頻率仍為 f₂ (D) v_O2的振幅為 2 V_m2

35 CB-CE 串級放大電路中電晶體之 β₁ = β₂ = 100，各級放大電路中的射極直流偏壓電流均為 2.5 mA，且 第 2 級放大電路的輸入電阻 R_i2 = 20 kΩ，決定該串級放大電路的總電壓增益大小約為多少？熱電壓 V_T = 25 mV。 (A)80 (B)200 (C) 240 (D)360

36 如圖變壓器交連電晶體放大器，若電晶體 Q 的電流增益為 β = 100，I_s = 10 mA，熱電壓（thermal voltage）V_T = 25 mV，圈數比 n = 10；試求由負載端 R_L側看入的輸出阻抗 R_o約為多少？ (A)250 mΩ (B)25 mΩ (C) 2.5 mΩ (D) 0.25 mΩ

37 如圖直接耦合串級放大器電路中，已知電晶體 Q₁和 Q₂的電流增益分別為 β₁ = 50 和 β₂ = 100，若 Q₁ 和 Q₂的 V_BE都是 0.7 V 且輸出阻抗 r_o不計，試求電晶體 Q₁的射極電流 I_E1約為多少？ (A)50 μA (B)100 μA (C) 5 mA (D) 10 mA

38 如圖所示為一施密特（Schmitt）觸發器。OP AMP 輸出的上下限為±12 V。若要使輸出由正轉負時， v_in應到達何值？ (A)-2.4 V (B)0 V (C) 1.2 V (D) 2.4 V

40 圖示放大器電路中的電容 C_S 主要功用為何？ (A)提升輸入阻抗 (B)提升電壓增益 (C)提升高頻 3 dB 截止頻率 (D)頻率補償