所屬科目:統測◆(一)電子學、基本電學
6. 如圖(一)所示之截波電路,若D1為理想二極體,則Vi與Vo之轉移曲線為何?(A) (B) (C) (D)
8. 如圖(二)所示之電路,若電晶體之β=100,VBE=0.7V,VCE(sat)=0.2V,則集極電流大小為何? (A) 0.43mA (B) 0.92mA (C) 9.8mA (D) 43mA
9. 如圖(三)所示之放大器電路,MOSFET之IDSS =12mA,夾止電壓(pinch-off voltage)VP=– 2V, 其工作點之ID =3mA,則此放大器之小信號電壓增益Av=vo / vi及其輸出電阻Ro各約為何? (A) Av=7.5,Ro=1.25k (B) Av=12.5,Ro=1.25k (C) Av=7.5,Ro=2.5 k (D) Av=12.5,Ro=2.5k
10. 如圖 ( 四 ) 所示之放大器電路,JFET 之 g m = 40 mA / V,則此放大器之小信號電壓增益 Av=vo / vi約為何? (A) – 0.5 (B) 0.5 (C) – 1 (D) 1
11. 如圖(五)所示之理想運算放大器(OPA)電路,輸入電壓信號vs為對稱方波,且電路操作於 未飽和狀態下,則其輸出電壓vo應為何種波形? (A) 突波 (B) 三角波 (C) 弦波 (D) 方波
12. 如圖(六)所示之電路,欲使電壓增益為 – 11,且輸入電阻為30kΩ。則R1及R2之值各約為何? (A) R1=2.5 kΩ,R2=27.5 kΩ (B) R1=27.5 kΩ,R2=2.5 kΩ (C) R1=30 kΩ,R2=330 k (D) R1=30 kΩ,R2=2.73 kΩ
13. 如圖(七)所示之電路,已知V1=1V,V2=2V,V3=4V,則Vo為何? (A) 5V (B) 7V (C) 9V (D) 11V
16. 如圖(八)所示之理想振盪器電路,下列敘述何者錯誤? (A) v o之波形為三角波(B) 電路可產生週期性信號 (C) 電容C 兩端之電壓波形近似三角波 (D) v o之頻率與電阻R 及電容C 有關
18. 如圖(九)所示之電路,若VCC = 12 V,RC = 1 k Ω,β = 100,VBE = 0.7 V,電晶體飽和電壓 VCE(sat)=0.2V,vi為5V電壓,則此電路操作於飽和區時之最大電阻RB約為何? (A) 18.2 kΩ (B) 26.5 kΩ (C) 36.4 kΩ (D) 42.2 kΩ
19. 下列有關BJT放大器小信號模型分析之敘述,何者正確? (A) 輸入耦合電容應視為開路 (B) 混合 π 模型之rπ參數可由直流工作點條件求出 (C) T模型之r e無法由直流工作點條件求出 (D) 射極旁路電容應視為斷路
20. 如圖(十)所示操作於作用區(active region)之電路,若RB1=120kΩ,RB2=60kΩ,RE=1kΩ, β=119,π 模型參數rπ=1.25 kΩ,則交流輸入電阻Ri約為何? (A) 18.2 kΩ(B) 24.3 kΩ (C) 30.1 kΩ (D) 36.5 kΩ
21. 如圖(十一)所示操作於作用區之電路,若工作點之基極電壓VB =2.2V,VBE=0.7V,熱電壓 (thermal voltage )VT=25mV,RE =1kΩ,RC =3.3kΩ,β=119,則電壓增益vo / vi約為何? (A) – 196.4 (B) – 168.8 (C) – 141.2 (D) – 121.4
23. 如圖(十二)所示操作於作用區之電路,若直流偏壓電流IE =1.25mA,熱電壓VT=25mV, β=150,負載喇叭阻抗RL=30Ω,則電壓增益vo / vi約為何? (A) – 149 (B) – 14.9 (C) 14.9 (D) 149
24. 如圖(十三)所示之JFET電路,VDD = 12 V,RG1 = 600 k Ω,RG2 = 120 k Ω,RD = 4.7 k Ω, RS=3 kΩ,若汲極電壓VD =6V,則G、S 兩端之電壓VGS約為何? (A) – 1.83V (B) – 0.64V (C) 0.24V (D) 1.22V
25. 如圖(十四)所示之增強型MOSFET電路,其臨界電壓(threshold voltage )VT=2.25V,參數 K=0.8mA/V 2,VDD =15V,RG1=900kΩ,RG2=300 kΩ,RD =3.3kΩ,則VDS約為何? (A) 10.14V (B) 9.06V (C) 7.56V (D) 4.12V
第二部份:基本電學 (第 26 至 50 題,每題 2 分,共 50 分)26. 如圖(十五)所示之電路,若所有電容之初值電壓皆為零,開關與電容皆視為理想,Ca為 0~10μF之可變電容器。若將Ca調整在4μF,開關SW打開時Vab=40V,而開關SW閉合時, Vab=80V。當開關SW閉合狀態下,若欲使Vab與Vbc相同,則電容Ca之值應調整為多少 μF? (A) 8 (B) 4 (C) 2 (D) 1
27. 如圖(十六)所示之平行板電容器C,已知兩極板之面積為10m 2,間距d=1mm,介質相對 介電係數 εr =100 / 8.85。若此電容器初始儲能為零,則當開關SW閉合後0.1秒時,電容器 兩極板間之電場強度(V/m)約為何?( e 2.718) (A) 6320 (B) 3680(C) 2880 (D) 1440
30. 如圖 ( 十七 ) 所示之電路,電路之時間常數為 τ,若電容之初值電壓為零,在 t = 0 時 將開關 SW切 入 位 置 1,並 在 t = 5 τ 時 ,再將開關 SW切 回 位 置 2。則t = 0之 後 vR ( τ )+vC ( τ )+vR ( 6τ )+vC ( 6 τ )之值為何? (A) E (B) 0.5E (C) 0.368E (D) 0.144E
31. 如圖 ( 十八 ) 所示之電路,開關 SW 閉合一段時間達穩態後,在 t = 0 時將開關 SW 切離, 則切離瞬間電感器兩端之電壓vL為何? (A) 10V (B) 20V (C) 40V (D) 50V
33. 如圖(十九)所示之電路,若v (t)=20 sin ( 5 t)V,則電路總電流i(t)為何? (A) 2 sin ( 5 t+45° )A (B) 2 sin ( 5 t –45° )A (C) 2sin ( 5t – 45° )A (D) 2 sin (5 t+45° )A
34. 如圖 ( 二十 ) 所示之電路,若 R、 XL、 X C 1、 X C 2之阻抗值皆為 2 Ω,則電路中電感抗 XL 兩端之電壓大小為何? (A) 5V 圖(二十) (B) 15V (C) 20V (D) 30V
35. 如圖(二十一)所示之電路,已知電路之功率因數為0.6,XL=6Ω,則電路之R 為何? (A) 8Ω (B) 12Ω (C) 15Ω (D) 18Ω
36. 有一交流電源v(t)=100sin(377t– 10°)V供應某負載,若負載電流i(t)=10 sin(377t+50°)A, 則此負載的平均功率P 及虛功率Q 分別為何? (A) P=1000W,Q=500VAR(電感性) (B) P=1000W,Q=866VAR(電感性) (C) P=500W,Q=500VAR(電容性) (D) P=500W,Q=866VAR(電容性)
37. 如圖(二十二)所示之RLC 負載電路,若v(t)=100 sin(377t)V,負載R=6Ω,XL=8Ω, XC =5Ω,則負載的平均功率P 與虛功率Q 分別為何? (A) P=600W,Q=1200VAR(電容性) (B) P=866W,Q=1600VAR(電容性) (C) P=600W,Q=600VAR(電感性) (D) P=866W,Q=866VAR(電感性)
45. 如圖(二十三)所示之電路,當開關SW打開(off) 時之a、b兩端電壓Vab(off)與SW閉合(on)時 之a、b 兩端電壓Vab (on )之關係為何? (A) Vab (off)=12Vab (on ) (B) Vab (off)=4.5Vab (on ) (C) Vab (off)=Vab (on ) (D) Vab (off)=0.5Vab (on )
46. 如圖(二十四)所示之電路,則E 和I 之值各為何? (A) 36V,54A (B) 36V,36A (C) 54V,54A (D) 54V,36A
47. 如圖(二十五)所示之電路,則I1與I2之關係為何? (A) I1=12 I2 (B) I1=6 I2 (C) I1=3 I2 (D) I1=I2
48. 如圖(二十六)所示之電路,則由a、b兩端看入之戴維寧等效電路之電壓Eth和電阻Rth各為何? (A) Eth=– 18V,Rth=10Ω (B) Eth=24V,Rth=10Ω (C) Eth=– 18V,Rth=24Ω (D) Eth=24V,Rth=24Ω
49. 如圖(二十七)所示之電路,若於a、b 兩端接24Ω 之負載,則此負載消耗之功率為何? (A) 36.0W (B) 48.5W (C) 62.8W (D) 73.5W
50. 如圖(二十八)所示之電 路,求 Rx為多少 時可由電源獲得最大功率及所獲得的最大功率 Pmax 為何?(A) Rx=4Ω,Pmax=100W (B) Rx=10Ω,Pmax=100W (C) Rx=4Ω,Pmax=120W (D) Rx=10Ω,Pmax=120W