108年 - 108 地方政府特種考試_五等_電子工程：電子學大意#81313

1 某FET 工作在飽和區（Saturation Region），其|iD|-vGS 關係如圖所示，|iD|是汲極電流之大小，則此 FET 為： (A)增強型 NMOS (B)增強型 PMOS (C)空乏型 NMOS (D)空乏型 PMOS

4 如圖所示為一 CMOS 反相器，在輸入端與輸出端之間接上 1 MΩ 之電阻作為放大器之用。若電晶體QN 之小信號轉導 gm = 1 mA/V，ro = 30 kΩ；而電晶體 QP 之小信號轉導 gm = 0.5 mA/V，ro = 20 kΩ， 求小信號增益 vo/vi（選最接近之值）。 (A)-10 (B)-18 (C)-30 (D)-75

5 如圖所示之電路，OP AMP 為理想。求 vi/i。 (A)R/2 (B)3R/2(C)2R (D)3R

6 如圖，CMOS 場效電晶體的輸入端 vI 接地時，其輸出端 vo 是處於下列何種狀態？ (A)拉上（pull-up）至 VDD (C)V_DD/2 (B)拉下（pull-down）至地 (D)QP 與 QN 皆關閉，輸出浮接

9 有一放大器電路如圖所示，放大器 U1 為理想運算放大器，其輸出電壓範圍侷限在+10 V 與-10 V 之間，二極體 D1、D2 順向電壓均為VD＝0.7 V，電阻 R1、R2、R3 均為 1 kΩ，電源VI＝ -5 V，試問兩個二極體導通的狀態為何？ (A)二極體 D1、D2 均導通 (B)二極體 D1、D2 均不導通 (C)二極體 D1 導通、二極體 D2 不導通 (D)二極體 D1 不導通、二極體 D2 導通

10 如圖所示之電路，運算放大器為理想，求此電路之輸入阻抗值為何？ (A)2.5 kΩ (B)55 kΩ (C)7.5 kΩ (D)10 kΩ

13 圖示的二極體-電容器倍壓電路於穩定狀態時電容器 C1 所跨電壓VC1=10 V，下列有關VC2，D1 及 D2 之峰值逆向電壓 PIV1 與PIV2 的敘述何者錯誤？ (A)V_C2=10 V (B)PIV1=20 V (C)PIV2=20 V (D)V_C2+PIV2=40 

15 如下圖所示，若稽納二極體（Zener diode）的 VZ＝10 V，輸入電壓 Vi 為多少才可使此稽納二極體箝位電路正常工作？ (A)16 V (B)14 V (C)12 V(D)10 V

17 下圖為一整流器，若各二極體之導通電壓皆為0 V，導通電阻皆為0 Ω，輸入信號為弦波，vs (t)= 5 sin (10πt) V， 若輸出漣波電壓< 0.1 V，C=100 μF，則電阻 R 之最小值為何？ (A)50 kΩ (B)500 kΩ (C)5 MΩ (D)50 MΩ

18 下圖中二極體 D1 與 D2 之導通電壓為 0.7 V，導通電阻為 0 Ω，稽納二極體 Z1 及 Z2 之導通電壓皆為 0.7 V，崩潰電壓皆為 5 V，導通電阻為 0 Ω。輸入信號為弦波，vi (t)= 10 sin 10t V，下列敘述何者正確？ (A)vo(t)之振幅為 10 V (B)vo(t)之振幅為 5.7 V (C)vo(t)之振幅為 4.3 V (D)vo(t)之振幅為 0.7 V

19 理想箝位電路及其輸入信號 vi(t)如圖，則該二極體 D 承受的最大逆向電壓 PIV 約為多少伏特（V）？ (A)6 (B)8 (C)10 (D)12

20 圖示由理想二極體構成電路，若電阻 R 為 1 kΩ，則電流 I 為多少毫安（mA）？ (A)7 mA (B)4 mA (C)2 mA (D)1 mA

21 雙極性電晶體（BJT）共基極電流增益 α 與共射極電流增益β，兩者之關係為： (A)β=α/(α-1) (B)β= (α-1)/α (C)β=α/(1-α) (D)β=α/(1+α) 

22 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓 VD=0.7 V。已知電壓 vs(t)為方波，波形如下右圖所示、C=47 μF、VDC=3 V、R 為無窮大，在穩態時，輸出 vO 電壓的最大負值約為多少？ (A)-3.7 V (B)-4.3 V (C)-6.3 V (D)-8.3 V

23 請問如圖所示放大器之集極電流 IC 為何？假設電晶體之電流增益 β 為 100，基極與射極導通壓降為0.7 V。 (A)0.3 mA (B)3 mA (C)0.7 mA (D)7 mA

25 圖中電晶體 M1 之 μnCox(W/L)=0.5 mA/V²，臨界電壓 VT =0.8 V，若忽略通道調變效應且M1 維持操作在飽和區，Vo= 4V，則R 值為何？ (A)1 kΩ (B)1.8 kΩ (C)2.2 kΩ (D)4 kΩ

26 圖中電晶體 M1 之 μnCox(W/L)1= 0.5 [ μnCox(W/L)₂]= 0.5 mA/V²，臨界電壓VT=0.8 V，若忽略通道調變效應，則Vo =？ (A)4.9 V (B)4.8 V (C)2.8 V(D)0.1 V

27 圖中電晶體 M1 操作在飽和區，輸出阻抗 ro= 10 kΩ，轉導值 gm=10 mA/V，電流源 I 為理想，則 | vo / vs | =？ (A)100 (B)10 (C)90/11 (D)5

28 將圖示放大電路的電晶體輸入特性以定壓降 0.5 V 模型化後，如果想要得到 5 V 的輸出直流工作點， 該電阻 RB 約為多少？已知 RC = 1 kΩ。 (A)1.5 kΩ (B)10 kΩ (C)15 kΩ (D)40 kΩ

29 圖示之增強型 MOSFET 放大器中，MOSFET 的輸出直流偏壓 VDSQ 等於多少？電晶體的臨界電壓 Vth= 1 V 且 μnCox(W/L) =2 mA/V2。 (A)8 V (B)6 V (C)5 V (D)4 V

30 增強型MOSFET 分壓式偏壓共閘極放大器中，MOSFET 的 μnCox(W/L) = 4 mA/V2，電阻值 R1 = 800 kΩ、R2 = 400 kΩ、R3 = 1.5 kΩ 及 R4 = 3 kΩ，測得流經電阻 R3 的直流偏壓電流為 2 mA 及輸出弦波信號振幅 3 V，求輸入小信號之振幅約為多少？其中，該放大器之偏壓電路等可提供該 MOSFET 正確的放大工作區。 (A)0.03 V (B)0.06 V (C)0.25 V(D)0.5 V

31 圖示雙極性接面電晶體（BJT）電路，其中 I_O 為輸出電流，電晶體 Q₁ 與 Q₂ 特性相同，此電路不能作為電流源的主要原因為何？

(A)阻抗 R_O 太小 (B)阻抗 R_REF 太大 (C)電流 I_O 與 I_REF 相差太大  (D)Q₁ 不在主動區（Active Region）工作

32 如圖為共集（CC）放大器（其偏壓電路未繪示），設電晶體工作於主動模式（active mode），其小訊號參數 g_m、r_e 、r_π  均為已知，輸出電阻 r_o→∞，電壓增益為：

(A)R_L/(r_e + R_L) (B)R_L/(r_π+ R_L) (C)R_L/[(r_π + (β + 1) R_L)] (D)R_L/( β + 1)(r_e + R_L)

33 如圖所示為非反相施密特觸發電路，其 OPA 為理想並使用±10 V 的電源電壓，於 OPA 反相輸入端加一偏壓電源 VR =2 V，若此電路 vI 先輸入 10 V 一段時間後，vI 再改輸入為 0 V，則最終輸出電壓約為多少伏特（V）？ (A)-10 V (B)0 V (C)5 V (D)10 V

34 變壓器耦合串級放大電路中第 1、第 2 級放大電路具有相同的基極偏壓電流 IB1=IB2=10 μA，其中熱電 壓 VT = 25 mV ， Q1 與 Q2 的 β 值與爾利電壓（ Early voltage ） 均相同。若欲使電壓增益 Av1=vo1/vi1=Av2=vo2/vi2，求負載 RL 約為多少？ (A)2 kΩ (B)1.6 kΩ (C)600 Ω (D)200 Ω

35 R1=R2 且 C1=C2 的韋恩電橋（Wien-bridge）振盪電路如圖，當該電路發生等幅振盪時，若能測得 Vf 的振幅為 2 V 時，則輸出 vO 的有效值 vO,rms 約為多少伏特（V）？其中理想OPA 的輸入電源為±12 V。 (A)1.414 V (B)2 V (C)4.24 V (D)8.48 V

36 RC 串級放大電路於未耦合前的各單級放大電路示意圖含輸出/輸入電阻、電壓增益及負載如圖所示， 忽略電容效應，求該串級放大電路的總電壓增益？ (A)4000 (B)2000 (C)800 (D)400

38 某電路之轉移函數：下列有關 T(s)之敘述，何者正確？(A)低通響應 (C)高頻增益為 10 dB (B)直流增益為 0 (D)增益為 10 dB 時的頻率為 100 rad/s

39 圖示電路，當電路正常工作時，問電壓 v1 的波形為何？ (A)弦波 (B)方波 (C)三角波 (D)階梯波

40 如圖為一共射（CE）放大器電路 放大器電路，在一般情況下，此三個外加電容以及電晶體的內部極際電容 此三個外加電容以及電晶體的內部極際電容（Cπ、 Cμ）中，以何者對放大器的低頻響應影響最大 以何者對放大器的低頻響應影響最大？ (A)C_c1 (B)C_c2 (C)C_E(D)C_π