108年 - 108 鐵路特種考試_佐級_電子工程：電子學大意#76842

1 下圖中輸入信號為弦波 vi (t)= 5 sin 10t 伏特，二極體 D1 之導通電壓為 0.7 V，導通電阻為 0 Ω。放 大器（Amp）之增益為 9 V/V，輸入阻抗為無限大，輸出阻抗為 0，則輸出 vo(t)之最大值為何？ (A) 5 V (B) 4.57 V (C) 4.43 V (D) 4.3 V 

5 如圖所示為一系列的方形脈波，其頻率為？ (A) 300 kHz (B) 250 kHz (C) 200 kHz (D) 150 kHz v(t) (V) t (μ sec)

9 如圖所示為一個理想 CMOS 開關電路，若輸入電壓 Vi為負電壓（包含 0 伏特）時，則輸出電壓 Vo 應為多少伏特？ (A) VDD (B) VDD/2 (C) VDD/3 (D) 0

10 圖為使用理想運算放大器之電路，若電壓增益 Av =vO / vI = -100，R2 = R4 = 100 kΩ，R3 = 200 kΩ，則 R1為多少？ (A) 5 kΩ (B) 10 kΩ (C) 15 kΩ (D) 20 kΩ

12 如圖所示電路，U1為理想運算放大器。已知電阻 R1=1 kΩ、R2=3 kΩ、R3=1 kΩ、R4=3 kΩ。求在輸入 端 vI2的等效輸入電阻 Rin2約為多少？ (A) 1 kΩ (B) 3 kΩ (C) 4 kΩ (D) 8 kΩ

14 如圖所示電路，若圖中輸入電壓為 V_i = 5 V，假設二極體皆為理想二極體，則輸出電壓 V_O為多少？ (A) 5 V (B) 2.5 V (C)- 2.5 V (D)- 5 V

15 如圖所示之電路，假設二極體之壓降皆為 0.7 V，求其輸出電壓 vout之漣波電壓（ripple voltage）值 為何？ (A) 12 V (B) 3.51 V (C) 2.92 V (D) 0.324 V

17 圖示電路中，A₁及 A₂為理想運算放大器，v_I = 5sinωt（V），問 v_O的平均電壓約為若干？ (A) 1.6 V (B) 3.2 V (C) 4.8 V (D) 6.4 V

18 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓 VD0=0.7 V。已知電壓 vS (t)=12 sin(120πt) V、R=10 kΩ、 C=47 μF。試求輸出電壓 vO的漣波電壓（ripple voltage）值約為多少？ (A) 2 V (B) 1 V (C) 0.4 V (D) 0.1 V

19 如圖所示二極體電路，假設二極體導通電壓 VD0=0.7 V。已知電壓 vS (t)=12 sin(120πt) V、R1=10 kΩ、 VDC = 5 V。若 R2=20 kΩ，對於輸出電壓 vO的正及負電壓峰值（V+及 V-）約為多少？ (A) V+＝5.7 V，V-＝-12 V (B) V+＝12 V，V-＝-5.7 V (C) V+＝5.7 V，V-＝-8 V (D) V+＝8 V，V-＝-5.7 V

20 如圖所示之電路，輸入電壓 vi 為一交流弦波，有效值為 100 V，頻率為 60 Hz，二極體皆為理想，求 輸出之平均直流電壓值約為何？ (A) 7 V (B) 8 V (C) 9 V (D) 10 V

21 如圖所示之電路，二極體皆為理想，有關此電路之敘述，下列何者正確？ (A) C1 的耐壓為 2 Vm (B) D1 的峰值反向電壓為 Vm (C) VO之值為 2 Vm (D) D2 的峰值反向電壓為 2 Vm

22 如圖所示之電路，二極體導通之壓降為 0.7 V， RC ＞＞ vi 之週期，求電路穩態時之 V3為何？ (A) 4.3 V (B) 5.7 V (C) 9.3 V (D) 12.7 V

23 如圖所示之電路，其中電晶體之參數為 β=100 ，VA = ∞， VT = 26 mV 且 VBE(on) = 0.7 V，求其小信 號電壓增益值為何？ (A)-2.02 (B)-4.02 (C)-6.02 (D)-8.02

24 假設圖中電晶體操作於飽和區，閘極與源極之壓差為 0.7 V，且臨界電壓 VTH= 0.6 V。請問圖中共閘 極放大器之小訊號輸入電阻 RIN為何？ (A) 10 Ω (B) 20 Ω (C) 30 Ω (D) 40 Ω

25 圖中電晶體之 μnCox(W/L)1 = μnCox(W/L)2 = 0.5 mA/V2 ，臨界電壓 VT = 0.8 V ，若忽略通道調變效應， 則 Vo = ？ (A) 0.54 V (B) 0.84 V (C) 1.24 V (D) 2.24 V

26 關於金氧半場效電晶體 （MOSFET）的小信號模型，下列敘述何者錯誤 ？ (A)在特定（W/L）的條件下，ro與偏壓電流成正比 (B)在特定（W/L）的條件下，偏壓電流越大則 gm越大 (C)在特定（W/L）的條件下，元件的直流偏壓 VGS越大則 gm越大 (D)對共源級（common source）放大器而言，輸入阻抗為無窮大

27 圖中電晶體操作在主動區 （active region），β=99 ，gm=10 mA/V 。直流偏壓為 VB ，交流輸入信號 為 vs，輸出信號為 vo。下列敘述何者正確 ？ (A)屬共射級（common emitter）放大器 (B)為同相放大器 (C)|vo/vs | = 100 (D)輸入阻抗 ＜ 10 kΩ

30 如圖所示為操作於主動模式（active mode）的雙極接面電晶體的 π 型小訊號等效電路，若 gm值增為 兩倍，則 rπ值會如何？ (A)增為 √2 倍vbe ro (B)增為 2 倍 rπ gmvbe (C)減為一半 (D)不變

32 分析如圖之電路，若 MOSFET 皆操作在飽和區且轉導值 gm為 1 mA/V，忽略元件之輸出阻抗 ro，試 求其共模增益 Vo/Vicm = ？ VDD

33 圖中電晶體 M1 操作在飽和區（saturation region），輸出阻抗 ro =10 kΩ， 轉導值 gm = 10 mA/V。 若電阻 R=10 kΩ，下列敘述何者正確？ (A)小信號增益 | vo / vs | = 10 (B)屬共汲極（common drain）放大器 (C) Rout = 5 kΩ (D)若電阻 R 值增加且電晶體 M1 維持操作在飽和區，| vo / vs |降低

34 圖示 RC 耦合串級放大電路的總電壓增益為 60 dB，將第 1 級放大電路的偏壓電阻值 R1 與 R2 均變 為原來的 2 倍後，假設各級放大電路仍正常工作，總電壓增益約為多少？ (A) 200 (B) 400 (C) 500 (D) 1000

35 如圖所示為一 CMOS 反相器，其負載為電容 CL。若輸入的信號 vi為方波，其高電位為 VDD、低電位 為 0，頻率為 f，下列何者正確？ (A)反相器負載電容 CL愈大功率消耗愈低 (B)反相器操作頻率愈快，功率消耗愈大 (C)反相器電晶體通道長度愈長，功率消耗愈小 (D)反相器電源電壓 VDD愈低，功率消耗愈大

36 如圖電路，若輸入 vi(t)為方波電壓，則輸出 vo(t)是什麼波形？ (A)正弦波 (B)三角波 (C)脈波 (D)矩形波

38 圖電路中雙極性接面電晶體之增益 β = 100，小訊號參數 rπ = 1.44 kΩ，則此電路之轉角頻率（corner frequency）約為多少？ (A) 23.2 Hz (B) 30.2 Hz (C) 37.2 Hz (D) 44.2 Hz

39 如圖為哈特來振盪器（Hartley Oscillator），已知 L1 = 0.05 mH 和 L2 = 0.01 mH 和 C = 60 nF，試求振 盪頻率 fo約為多少？ (A) 1.414 MHz (B) 527 kHz (C) 225 kHz (D) 84 kHz

40 如圖所示之電路，其為何種濾波器？ (A)低通 (B)帶通 (C)高通 (D)全通