所屬科目:初等/五等/佐級◆電子學大意
3 圖示 MOS 場效電晶體電路,電晶體之,若電晶體在飽和區工作,則電壓的最小值為若干 V? (A)1 (B)2 (C)3(D)4
4 圖示電路中場效電晶體(FET)之 Vt = −0.7 V,下列電壓何者可使電晶體工作在三極管區(Triode Region)? (A) (B) (C) (D)
5 有一運算放大器如下圖所示,已知其轉移方程式(transfer function)為 V3=1002×V2−998×V1,請問其 共模排斥比 CMRR(common-mode rejection ratio)約為多少? (A)24 dB (B)36 dB (C)48 dB (D)60 dB
6 如圖為定電流源電路,若 Q1和 Q2電晶體的輸出阻抗 ro 和電流增益 β 所引起的效應不計,已知, ,欲使電流為 Io = 1mA,試求電阻 R =? (A)5.7 kΩ (B)4.7 kΩ (C)4.3 kΩ R (D)3.3 kΩ
8 有一矽雙極性接面電晶體(Si-BJT)電路及輸入接腳的電壓波形如下所示,,R1 = R2 = 1 kΩ, R3 = R4 = 100 Ω,,電晶體電流增益。試研判輸出接腳在高準位輸出(Vo@HI) 時最可能的工作電壓。 (A) Vo@HI= 5 V(B) Vo@HI~ 4.8 V (C) 4.8 V> Vo@HI> 4.3 V (D) Vo@HI< 4.3 V
9 CMOS 反相器結構係由一個 n 通道增強型 MOSFET 與一個 p 通道增強型 MOSFET 組成,p 通道 MOSFET 之源極接,n 通道 MOSFET 之源極接地。下列何者正確? (A)若閘極輸入電位為0,p 通道 MOSFET 導通 (B)若閘極輸入電位為 ,輸出電位將為 /2 (C)若 CMOS 輸出電位為0,n 通道 MOSFET 關閉 (D)若 CMOS 輸出電位為 ,將有電流持續通過兩個 MOSFET
10 如圖所示為一 CMOS 反相器在輸入端與輸出端之間接上1 MΩ 之電阻作為放大器之用。兩個電晶體特性相同;。若 = 5 V, 則電晶體的汲極直流偏壓電流為多少? (A)100 μA (B)200 μA (C)400 μA (D)1.6 mA
11 一個 OP AMP 的輸出的上下限為±10 V,迴轉率(slew rate)為1 V/μs,單增益頻寬。若輸 出訊號為正弦波,其振幅為10 V,所能操作的最大頻寬最接近下列何值? (A)16 kHz (B)100 kHz (C)160 kHz (D)1 MHz
13 如圖所示為一箝位電路,若為35 V 時,整個迴路的電流 I 是多少? (A)3.5 mA R (B)5 mA (C)10 mA (D)35 mA
14 圖示為箝位電路及其輸入信號,其中 D 為理想二極體且 RC 時間常數遠大於輸入信號之週期,決定輸 出信號的直流準位為多少伏特? (A)−15 V (B)−5 V (C)5 V (D)15 V
15 電容器及理想二極體所構成之倍壓電路如圖,輸入信號且電容器 C3於穩定狀態 時所跨電壓= 30 volt,下列敘述何者正確? (A)(B) (C) (D)
16 如圖所示的兩不同截波電路中,二極體均視為理想且輸入信號均為 vi(t) = 8sin(ωt) volt,, 則輸出最大值與輸出最小值之間的電壓差為多少伏特? (A)4 V (B)6 V (C)10 V D V (D)12 V
17 如圖所示之電路,假如二極體為理想,求其輸出電壓之平均值為何? (A)11.6 V (B)21.6 V (C)24.6 V (D)110 V
18 如圖所示電路之主要功能為何? (A)運算 (B)放大 (C)整流 (D)倍壓
19 如圖所示之電路,為一正弦波(DC 值為0 V,振幅= 10 V),假設 = 1 kΩ,求為何? (A)10 V(B)20 V(C)30 V (D)40 V
20 如圖所示之電路,最高與最低輸出電壓各為何?假設 D1與 D2為理想且 (峰值),R1 = 1 kΩ,。 (A)正6 V 與負6.5 V (B)正1 V 與負1.5 V (C)正4 V 與負3.5 V (D)正6 V 與負3.5 V
22 的小訊號交流電源經過橋式整流電路後,其輸出漣波頻率約為: (A)30 Hz (B)60 Hz (C)120 Hz (D)377 Hz
23 電路上某 npn 雙極性接面電晶體(BJT)工作在截止區(Cutoff) ,已知電路之電源電壓= 10 V, 下列何者正確? (A) (B) (C) (D)
24 如圖所示之放大器電路,假設其直流偏壓電流(直流偏壓電路未示於圖中) ,電晶體 M 之參數如下:,且 λ = 0;求此放大器電路之小信號電壓增益之值為何? (A)−9.43 (B)−11.43 (C)−13.43 (D)−15.43
25 如圖所示之電路,假設電晶體之參數如下:且 λ = 0;跨在電晶體上之 直流電壓最接近下列何值? (A)−4.95 V (B)−5.75V (C)4.95 V (D)5.75 V
26 如圖所示之電路,假設電晶體 M1之參數如下:且 λ1 = 0;電晶體 M2之參數如下:且 λ2 = 0;求 之值為何? (A)2 V (B)4 V (C)6 V (D)8 V
27 如圖所示之放大器電路,電晶體 J 之參數如下:,求此電路之小信號電壓增益值為何? (A)0.67 (B)0.77 (C)0.87 (D)0.97
28 如圖所示具有射極電阻之共射極放大器,其輸入電阻 RIN 約為何?假設電晶體之 gm 為10 mA/V,β = 100。 (A)10 kΩ (B)20 kΩ (C)30 kΩ (D)40 kΩ
29 如圖所示之小訊號模型為一共源極放大器,其等效輸入電容為何? (A) (B) (C) (D)
32 某雙極性電晶體(BJT)的為2 μA,其 β 值為50,則其應為: (A)50 μA (B)70 μA (C)100 μA (D)120 μA
33 如圖所示的相移振盪電路中的,決定該電路發生等幅振盪時之正弦波頻率約為多少 Hz? (A)13 kHz (B)21 kHz (C)50 kHz (D)62 kHz
34 圖示電路為 CMOS 運算放大器,則下列敘述何者正確? (A) Q1與 Q2是 AB 類功率放大器 (B) Q3與 Q4提供主動負載 (C) Q5為共閘極放大器 (D) Q6與 Q8提供保護電路
35 某電路之轉移函數: ,當頻率遠大於此電路的轉角頻率(Corner Frequency) ,頻率與增益的變化關係,下列何者正確? (A)頻率每增大十倍,增益減少10 dB (B)頻率每增大十倍,增益減少20 dB (C)頻率每增大二倍,增益減少10 dB (D)頻率每增大二倍,增益減少20 dB
36 如圖所示為一個由五個反相器所構成的環形振盪器(ring oscillator) 。若每一個反相器的延遲時間為50 ns, 問環形振盪器的振盪頻率? (A)318 kHz (B)2 MHz (C)4 MHz (D)10 MHz
37 如圖為 RC 耦合串級放大器電路的典型接法,試問 RC 耦合會造成什麼影響? (A)低頻響應變差 (B)中頻響應變差 (C)高頻響應變差 (D)沒有影響
38 如圖所示為一 MOS 放大器,MOS 電晶體之。求小信號增益 vo/vi? (A)−1 (B)−8 (C)−16 (D)−100
40 如圖電路,已知 R = 10 kΩ 和 C = 0.01 μF,輸入為±5 V 對稱方波,為使輸出三角波電壓具對稱且振幅 亦為±5 V,則信號頻率應選在多少? (A)1.00 kHz (B)1.25 kHz (C)2.50 kHz (D)5.00 kHz