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技檢◆儀表電子-甲級
> 114年 - 11500 儀表電子 甲級 工作項目 06:電子電路 51-73(2025/11/04 更新)#133281
114年 - 11500 儀表電子 甲級 工作項目 06:電子電路 51-73(2025/11/04 更新)#133281
科目:
技檢◆儀表電子-甲級 |
年份:
114年 |
選擇題數:
23 |
申論題數:
0
試卷資訊
所屬科目:
技檢◆儀表電子-甲級
選擇題 (23)
複選題
51. 如下圖電路所示,下列敘述哪些正確?
(A)C
2
會使電壓增益值降低 (B)C
1
、C
4
為耦合電容 (C)C
1
、C
3
可使小訊號通過 (D)C
2
、C
3
為旁路電容 。
複選題
52. 關於空乏型場效電晶體(Depletion FET),下列敘述哪些正確? (A)輸入阻抗相當高,所以閘極(Gate)與源極(Source)間可以視為開路(Open) (B)接面場效電晶體(Junction FET)不需外加電壓就已經有通道存在 (C)所有類型的金氧半場效電晶體(MOSFET)都需外加電壓才會有通道存在 (D)P 通道的MOSFET,其基體(Substrate)是使用 N 型材質 。
複選題
53. 有關 dBm 之定義特性,其中的 P
o
為輸出功率,則下列敘述哪些正確? (A)
(B)1 毫瓦的功率消耗 (C)若特性阻抗 600Ω,其參考電壓為 0.775V
rms
(D)
。
複選題
54. 有一個三級串接的放大器電路,第一級電壓增益為 20dB,第二級電壓增益為 40dB,第三級輸出為 100mW。如第一級的輸入 V
i
為 1μV,且於第三級接有一個輸出阻抗 R
L
=1kΩ,則下列敘述哪些正確? (A)第三級輸出功率 P
3
為 20mW (B)第二級輸出電壓 V
2
為 1mV (C)第三級輸出電壓 V
3
為10V (D)放大器的總增益為 140dB 。
複選題
55. 如下圖電路所示,Z
1
=2MΩ,下列敘述哪些正確?
(A)電流增益(i
o
/i
i
)為800 (B)C
2
的目的為提高電壓增益 (C)C
1
的目的為隔離直流信號 (D)電流增益(i
o
/i
i
)為 4800 。
複選題
56. 有關雙極性電晶體(BJT)三種基本放大器特性之敘述,下列哪些正確? (A)共集極之輸入阻抗最高 (B)共射極之功率增益最高 (C)共基極之輸出阻抗最低 (D)共射極為反相放大 。
複選題
57. 常見的邏輯閘 IC,如 AND、OR 及 NOT 的包裝,下列敘述哪些正確? (A)並排式包裝(DIP) (B)圓型(TO-5) (C)平面型(FLATPACK) (D)橢圓型(TO-3) 。
複選題
58. 對於放大器之頻率響應,下列敘述哪些正確? (A)耦合及旁路電容會使高頻響應不良 (B)放大器之極間電容、雜散電容會使高頻響應不良 (C)所謂轉折點(-3dB 點)頻率,是指當電壓增益降為中頻段
倍時之頻率 (D)頻率響應只會發生於電晶體放大器 。
複選題
59. 下列各電路圖連接,哪些可作為高通電路設計使用?(A)
(B)
(C)
(D)
。
複選題
60. 變壓器耦合之優點,下列敘述哪些正確? (A)可隔絕直流 (B)一定具有高效率 (C)阻抗匹配容易 (D)頻率響應佳 。
複選題
61. 對一個放大器電路,下列敘述哪些正確? (A)輸入功率為 0.1W,輸出功率為 10W,則功率增益為 20dB (B)將 1mV 信號放大至 10V,其電壓增益為80dB (C)電壓增益為 40dB,當輸入電壓為 2mV,則輸出電壓為 200mV (D)輸入的電壓為 10mV,雜訊電壓為 0.1mV,則放大器的電壓增益為 100,輸出端的信號雜訊比(S/N)為 60 。
複選題
62. 有關濾波的說明,下列敘述哪些正確? (A)濾波就是將脈動直流電壓濾為一較平穩的直流電壓 (B)重載(Heavy Load)時應採用電感式濾波器 (C)重載時應採用電容式濾波器 (D)重載時應採用諧振濾波器 。
複選題
63. 在 RC 耦合的電路中,下列敘述哪些正確? (A)為防止低頻衰減,應選用較大的電容值 (B)元件種類多,選用容易 (C)相較於變壓器耦合電路,有較佳的頻率響應 (D)要濾除高頻雜訊時,選用較大的耦合電容 。
複選題
64. 如下圖電路所示,達靈頓電路中,h
ie
忽略,下列敘述哪些正確?
(A)輸入阻抗 R
i
近似 400kΩ (B)電流增益近似 400 (C)V
o
=100V
i
(D)電壓增益為200 。
複選題
65. 半導體的特性,下列敘述哪些正確? (A)載子濃度愈高,則電阻係數愈低(B)載子移動率愈快,則電阻係數愈低 (C)溫度上升時,電阻係數一定下降(D)電壓(V)與電流(I)的關係呈線性 。
複選題
66. 於一純矽半導體,其本質濃度 n
i
為 1.5×10
10
原子/㎝
3
,密度為 5×10
22
原子/㎝
3
,若每 108 個矽原子加入一個硼原子,下列敘述哪些正確? (A)電洞濃度為 5×10
14
(電洞/㎝
3
) (B)電子濃度為 4.5×10
5
(電子/㎝
3
) (C)形成 P型半導體 (D)形成 N 型半導體 。
複選題
67. 對 PN 二極體的操作說明,下列敘述哪些正確? (A)當外加電源的正極性接在 P 側,負極性接在 N 側,是為順向偏壓 (B)加順向偏壓時,空乏區寬度減少 (C)順向偏壓時的順向電阻 Rf很小 (D)加逆向偏壓時,空乏區寬度會變小 。
複選題
68. 對於二極體的功能和作用的說明,下列敘述哪些正確? (A)檢波二極體適用於高頻檢波電路 (B)整流二極體適用於低頻整流電路 (C)偏壓二極體適用於音響電路 (D)檢波二極體適用於穩壓電路 。
複選題
69. 對於串級放大系統,下列敘述哪些正確? (A)總電壓增益為各級增益的乘積 (B)功率增益為電壓增益與電流增益的乘積 (C)可使頻寬增大 (D)RC 耦合為最常用的串級方式 。
複選題
70. 於相同的條件下,CB、CE、CC 三種電晶體放大器電路組態的特性比較,則下列敘述哪些正確? (A)電流增益 Ai:CC>CE>CB (B)輸出阻抗Ro:CB>CE>CC (C)電壓增益 Av:CE>CB>CC (D)功率增益 Ap:CE>CB>CC 。
複選題
71. 如下圖電路所示,若β=45,下列敘述哪些正確?
(A)I
B
≒40μA (B)I
E
≒1.8mA (C)V
o
≒4.5V (D)I
C
≒3.8mA 。
複選題
72. 依 JIS(日本工業標準)規定,電晶體的編號,下列敘述哪些正確? (A)分為五段標示 (B)第 1 段以數字表示 (C)第 2 段以數字表示 (D)第 3 段以英文字母表示 。
複選題
73. 如下圖電路所示,電晶體的β=10,V
BE
=0.7V,V
C
=10V,則下列各值哪些正確?
(A)I
C=
10mA (B)R
B=
9.3kΩ (C)V
CE=
10V (D)I
B
=0.1mA 。
申論題 (0)