114年 - 11700 數位電子乙級工作項目 05：電子學與電子電路 1-50（2025/12/12 更新）#134873

科目：技檢◆數位電子-乙級 | 年份：114年 | 選擇題數：50 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：技檢◆數位電子-乙級

選擇題 (50)

1. N 型半導體中，有較多的自由電子，因此其帶電性為 (A)帶有正電 (B)帶有負電 (C)偶而帶電 (D)電中性。

2. 有一共集極電晶體放大電路之負載電阻 R_L=1KΩ，且電流增益 hfe（或β值）為 100，假設電晶體的 hie 可忽略不計，則此放大電路輸入阻抗為(A)10KΩ (B)11KΩ (C)101KΩ (D)1MΩ 。

3. 欲使 P 通道增強型 MOSFET 導通，其閘極偏壓 V_gs應加 (A)正電壓 (B)負電壓 (C)正、負電壓均可 (D)零電壓。

4. 一般放大器之頻率響應曲線，在截止頻率處之電壓增益為最大電壓增益之多少倍？ (A)0.707 (B)0.632 (C)0.5 (D)0.25 。

5. 在三級 RC 相移振盪器中，其電路增益 A 必須 (A)小於 29 (B)大於 29 (C)等於 0 (D)近似於無限大。

6. 一個理想運算放大器共模訊號之拒斥能力以 CMRR 來表示，一般為 (A)小於 1 (B)等於 0 (C)近似於 1 (D)近似於無限大。

7. 下圖之電路，若採用理想的運算放大器，則輸出電壓為

(A)-2V (B)-1.5V(C)1.5V (D)2V 。

8. 全波整流電路中，輸出電壓的平均值為峰值的幾倍？ (A)1/π (B)2/π (C)3/π (D)4/π 。

9. 一個理想的互導放大器，其輸入阻抗 Ri 與輸出阻抗 Ro 應為 (A)Ri=∞，Ro=0 (B)Ri=0，Ro=∞ (C)Ri=0，Ro=0 (D)Ri=∞，Ro=∞ 。

10. 電波頻率為 1500KHz，其電波的波長為 (A)2 公尺 (B)20 公尺 (C)200 公尺(D)2 公里。

11. 共射極電晶體電路中，射極電流為 5mA，基極電流為 0.1mA，則其電流增益為 (A)39 (B)49 (C)59 (D)69 。

12. 巴克豪生振盪準則（Barkhausen Criterion）是 (A)βA＜1∠0° (B)βA=1∠0° (C)βA=1∠180° (D)βA＜1∠90° 。

13. 放大器中，加入負回授之主要目的是 (A)增加穩定度 (B)提高增益 (C)產生振盪 (D)增加功率。

14. 一個理想電壓放大器，其輸入電流 Ii 及輸入阻抗 Ri 分別為 (A)Ii=∞，Ri=0 (B)Ii=0，Ri=0 (C)Ii=∞，Ri=∞ (D)Ii=0，Ri=∞ 。

15. 下圖為 CE 放大電路之交流等效電路，hfe=50，hie=1KΩ，則基極的輸入阻抗為

(A)1KΩ (B)10KΩ (C)52KΩ (D)104KΩ 。

16. 在 CE 放大器上使用的射極旁路電容器，其作用是 (A)阻止直流電壓通過射極電阻 (B)濾波 (C)使電壓增益不致因射極電阻而大為降低 (D)抑制振盪。

17. 電晶體的 I_co為 10nA，而其 I_ceo為 1μA，由此可估計此電晶體的β約為(A)1 (B)10 (C)50 (D)100 。

18. 飽和型電晶體開關電路比非飽和型開關電路速度慢，其主要原因為前者(A)儲存時間較長 (B)上昇時間較長 (C)下降時間較長 (D)延遲時間較長。

19. 下圖之截波（Clipper）電路，若-6V≦Vi≦6V，二極體為理想二極體，則 Vo 的大小為

(A)1.5V≦Vo≦3V (B)3V≦Vo≦6V (C)-3V≦Vo≦-1.5V (D)-6V≦Vo≦-3V 。

20. 下圖之電路，欲使電晶體飽和，則 Rb 之值應小於

(A)βRc (B)Rc (C)2βRc(D)Rc/β 。

21. 就達靈頓對（Darlington-Pair）而言 (A)輸出阻抗低，電流增益小於 1 (B)輸出阻抗低，電流增益等於 1 (C)輸出阻抗低，電流增益甚高 (D)輸出阻抗及電流增益皆甚高。

22. 電晶體 CE 放大之混合參數（h 參數）等效之輸入電壓可等於 (A)VBE=hoeIB+hoeVCE (B)VBE=hieIB+hoeVCE (C)VBE=hoeIB+hreVCE (D)VBE=hieIB+hreVCE 。

23. 下圖之電路，依據米勒定理（Miller's Theorem），兩圖為等效電路，設

，則 Z₁及 Z₂分別為

24. 當共射極放大器之集極電流增大時，其集極功率損耗 (A)視工作點的位置決定增加或減少 (B)必然隨之增加 (C)必然隨之減少 (D)必將導致熱跑脫。

25. 有一電晶體β=100，測得基極電流 IB=0.4mA，集極電流 IC=4mA，則此電晶體工作於何區？ (A)工作區 (B)飽和區 (C)截止區 (D)電阻區。

26. 靴帶式（Bootstrap）射極隨耦器的主要特點為 (A)輸出阻抗極高 (B)輸入阻抗極高 (C)電壓增益極高 (D)輸入阻抗極低。

27. 下圖的箝位電路，當輸入為 10sinωt 時，則輸出 V_o為何？

28. 達靈頓對（Darlington-Pair）的總電流增益約為 (A)h_fe1‧h_fe2(B)h_fe1+hf_e2(C)

29. 電晶體放大電路中，下列何者是影響放大器高頻響應的主因？ (A)電晶體的極際電容 (B)耦合電容 (C)射極傍路電容 (D)反耦合電容。

30. 產生 B 類推挽放大器交叉失真的原因為 (A)輸入信號過大 (B)阻抗不匹配(C)功率放大倍數過大 (D)電晶體 B-E 偏壓過低。

31. 在工作中之功率電晶體，若已知其接合面溫度 Tj=120°C，周圍溫度Ta=20°C，接合面消耗功率 Pd=40W，則其熱阻θja 為 (A)2°C/W (B)2.5°C/W (C)3.5°C/W (D)4°C/W 。

32. 輸入信號為 5Sin10t+6Sin20t，而輸出信號為 20Sin10t+18Sin20t，則此放大器具有下列何種失真？ (A)頻率失真 (B)非線性失真 (C)波幅失真 (D)互調失真。

33. 放大器在其高頻或低頻截止頻率時的功率增益，為其中頻段功率增益的多少倍？ (A)

34. FET 的 IDSS 是在下列何種條件下所測得的 VDS？ (A)IDS=0V (B)VGS=0V (C)VGG=0V (D)VDD=0V 。

35. 某一放大器其頻帶寬為 20KHz，若加上負回授使其雜訊衰減了 10 倍，則此放大器的頻寬變為 (A)40KHz (B)100KHz (C)120KHz (D)200KHz 。

36. 電流串聯負回授，會使電路的輸入阻抗 Ri、及輸出阻抗 Ro 產生何種變化？ (A)Ri 增加、Ro 增加 (B)Ri 增加、Ro 減低 (C)Ri 減低、Ro 增加 (D)Ri減低、Ro 減低。

37. 下圖之電路為何種負回授電路？

(A)電壓串聯負回授電路 (B)電壓並聯負回授電路 (C)電流串聯負回授電路 (D)電流並聯負回授電路。

38. 下列何者較適合做互導放大器？ (A)電壓串聯負回授電路 (B)電壓並聯負回授電路 (C)電流串聯負回授電路 (D)電流並聯負回授電路。

39. 下圖之電路，其振盪頻率 f 為何？

40. 有關韋恩電橋振盪器之敘述，下列何者錯誤？ (A)正回授量β=1/3 (B)同時具有正、負回授 (C)屬於 RC 振盪電路的一種 (D)其負回授是經由電抗臂完成。

41. 石英晶體振盪器較 LC 振盪器之優點為何？ (A)振盪頻率範圍較廣 (B)振盪頻率較穩定 (C)振盪頻率較於調整 (D)振盪器信號的振幅較大。

42. 採用電容分壓方式來做正回授的是下列何種振盪器？ (A)考畢子振盪器(B)哈特萊振盪器 (C)阿姆斯壯振盪器 (D)負電阻振盪器。

43. 下圖之電路，若 Q1、Q2 導通時之 Vbe=0.5V，飽和時 Vce(sat)=0V，則此電路之上限觸發電壓為

(A)0.5V (B)2.5V (C)4.5V (D)6.5V 。

44. 下圖之無穩態多諧振盪器，電晶體的β、Rb、及 Rc 間的關係為何？

(A)Rc＜βRb (B)Rc＞Rb (C)βRc＜Rb (D)βRc＞Rb 。

45. 下圖為 IC 555 所構成的電路，下列敘述何者錯誤？

(A)為一無穩態多諧振盪器 (B)振盪週期 T=0.7(Ra+2Rb)C (C)Vo 為高電位的時間th=0.7(Ra+Rb)C (D)Vo 為低電位的時間 tl=0.7RaC 。

46. 下圖之電路，其 h 參數中的 h11 為

(A)5KΩ (B)10KΩ (C)15KΩ (D)20KΩ 。

47. 下圖之偏壓電路，其熱穩定因數 ST 為

(A)0 (B)1 (C)Rc/Rb (D)1+β 。

48. 一個二極體的直流工作電流為 Id，則在常溫下，此二極體對交流小信號而言，所呈現的交流動態電阻 r 約為 (A)25mv/Id (B)25mv×Id (C)Id/25mv(D)25mv(Id+1) 。

49. 下圖之電路，若 Vo(sat)=±12V，則此電路的上限電壓 Vut、及下限電壓

(A)±1V (B)±4V (C)±9V (D)±12V 。

50. 下圖之電路，若 V1=3V、V2=-1V，則 Vo 為

(A)-8V (B)-4V (C)4V (D)8V 。

申論題 (0)