96年 - 96 專利商標審查特種考試_三等_電子工程、光電工程：半導體製程#49315

科目：半導體製程 | 年份：96年 | 選擇題數：0 | 申論題數：5

試卷資訊

所屬科目：半導體製程

選擇題 (0)

申論題 (5)

一、一般光微影（photo-lithography）製程主要包含那些步驟？每個步驟的功能為何？光微影（photo-lithography）製程實驗室環境有那些重要因素須控制？（20 分）

二、在矽晶圓（Si wafer）上形成二氧化矽（SiO₂）膜之製程方式一般有那些？各製程形成之二氧化矽（SiO2）膜品質有何不同？各應用在矽半導體元件之何處？（20 分）

三、二氧化矽（SiO2）膜蝕刻（etching）製程方式一般有那些？其特性與優缺點各為何？（20 分）

四、金屬化（metalization）製程方式一般有那些？其特性有何不同？各適用在何處？（20 分）

五、請以剖面圖（cross section）敘述在矽晶圓（Si wafer）上製作 CMOS 元件之基本製程步驟。（20 分）