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98年 - 98 公務升官等考試_簡任_電子工程：積體電路技術研究#47715

科目：積體電路技術 | 年份：98年 | 選擇題數：0 | 申論題數：8

試卷資訊

所屬科目：積體電路技術

選擇題 (0)

申論題 (8)

一、何謂 silicide？何謂 salicide？試繪圖說明形成 silicide 的重要步驟。（20 分）
二、試繪出 SoI（silicon-on-insulator）CMOS 元件的基本結構，並說明其重要特性。 （20 分）
三、何謂 triple-well 技術？試繪剖面圖（cross-sectional view）說明 triple-well 的結構。 （20 分）
四、何謂 reticle？與傳統的 mask 比較下，它具有何重要特性？（20 分）
⑴ Ion channeling effect
⑵ MEMS（microelectromechanical system）
⑶ OPC（optical proximity correction）
⑷ SiGe-Base transistor