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98年 - 98 地方政府特種考試_五等_電子工程：電子學大意#48252

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意 | 年份：98年 | 選擇題數：40 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

選擇題 (40)

1 關於快閃（Flash）記憶體，下列敘述何者正確？ (A)不能讓使用者寫入資料 (B)只能寫入一次 (C)它是揮發性記憶體 (D)可由使用者多次讀寫資料
2 Bipolar 製程最快的數位邏輯電路為： (A) TTL (B) ECL (C) DTL (D) RTL
3 如圖所示電路為何種濾波器？(A)低通濾波器（Low Pass Filter） (B)高通濾波器（High Pass Filter） (C)帶通濾波器（Band Pass Filter） (D)帶拒濾波器（Band Reject Filter）
4 圖示為韋恩電橋振盪器（Wien-bridge Oscillator），其所產生的波形為： (A) 方波 (B)弦波  (C)鋸齒波  (D)三角波
5 造成放大器在高頻與低頻響應衰減的主要因素為： (A) 電阻 (B)電容 (C)崩潰效應 (D)電荷
6 由 4 個電阻（R、2R、10R、R1）和 1 個理想運算放大器組的差分放大器（Difference Amplifier）， 如圖所示。當輸入電壓V1 = V2時，輸出電壓VO = 0，則R1的電阻為何？ (A) 2R (B) 5R (C) 10R (D) 20R 
7 圖為差動放大器（Differential Amplifier）。其中VDD為電壓源，I為偏置電流源（Bias Current Source），I = 1 mA。RD1 = RD2 =2 kΩ，電晶體Q1、Q2的驅使電壓（Overdrive Voltage, VGS-VTH）為 0.2 V。差動 放大器的電壓增益約為：  (A) 50 (B) 40 (C) 30 
 (D) 10 
8 以N通道增強型MOSFET而言，臨限電壓VTH = 2V，則： (A)VGS ＞ 2 V, VDS = 0 V時，通道不導通 (B)VGS ＞ 2 V時，通道導通 (C)VGS ＞ 4 V, VDS = 1 V時，電晶體工作在飽和區 (D)VGS ＜ 2 V, VDS = 2 V時，電晶體工作在飽和區
9 MOSFET 電晶體的放大電路中，下列那一個組態的輸出信號為反相？ (A) 共汲極（Common Drain）放大電路 (B)共源極（Common Source）放大電路 (C) 共閘極（Common Gate）放大電路 (D)共射極（Common Emitter）放大電路
10 下列何種組態可供射極隨耦器（Emitter Follower）使用： (A)共集極（Common Collector）組態 (B)共射極（Common Emitter）組態 (C)共基極（Common Base）組態 (D)共閘極（Common Gate）組態
11 常用矽PN二極體之ID-VD順向導通電壓約為何？ (A) 0.1V (B) 0.7V (C) 1.1V (D) 1.5V
12 下列何種雙極性接面電晶體的組態，適合做為電壓緩衝器（buffer）電路？ (A) 共射極組態 (B)共基極組態 (C)共集極組態 (D)共射極串接組態
13 下列那一種記憶體需要週期性更新（Refresh）以防止儲存資料流失？ (A) SRAM（靜態隨機存取記憶體） (B) ROM（唯讀記憶體） (C) DRAM（動態隨機存取記憶體） (D) EPROM（可擦式及可程式唯讀記憶體）
14 如圖電路，下列何者為非？(A) 輸出VO為對稱方波 (B)振盪頻率約為 (C)VC為近似三角波型 (D)為單穩態多諧振盪器（Monostable Multivibrator）
15 N 通道場效電晶體之傳導載子為： (A)電洞 (B)電子 (C)聲子 (D)中子 Vo (s)
16 下列電路，電壓轉移函數（Transfer Function） 為何？ (A) (B)  (C)  (D) 
17 下列有關 ECL 數位電路之敘述，何者錯誤？ (A) 訊號擺幅（Swing）小 (B) BJT 電晶體不工作在飽和區（Saturation Region） (C)以共基極（Common Base）組態為核心電路 (D)使用電流切換的工作模式
18 如圖所示運算放大器電路，若輸入電壓為V1= 1V、V2 = 1V，試求其輸出電壓Vo應為多少？ (A)-6V  (B) 6V (C)-12V  (D) 12V 
19 如圖中之電路，若運算放大器為理想，則Vo為何？ (A) 2.5V  (B) 0V (C) 6V (D)-6V 
20 圖示理想運算放大器電路，若R1 = 3kΩ、R2 = 9kΩ、R3 = 3kΩ、R4 = 9kΩ，今輸入訊號vi = 1V，則電流 i為若干mA？  (A)-2 (B)-1  (C)1  (D)3
21 圖中邏輯電路，其最長的傳播延遲（Propagation Delay）與一個基本 CMOS 反向器（Inverter）相同。 在此反向器中， N 型金氧半（ NMOS）電晶體的寬長比（ Aspect Ratio， W/L）為 n， P 型金氧半 （PMOS）電晶體的寬長比為 p，則以下敘述何者為錯誤？ (A) QN,C的寬長比為n (B) QN,A與QN,B的寬長比都是 2n (C) QP,A與QP,B的寬長比都是 2p   (D)QP,C的寬長比是 2p
22 圖為含射極電阻RE的差動放大器（Differential Amplifier）。其中RC1＝RC2＝8kΩ，RE＝100Ω， IB1＝IB2＝0.5mA，電晶體的β為 100。則差動放大器的差模輸入阻抗約為： (A) 30kΩ  (B) 20kΩ (C) 15kΩ  (D) 10kΩ 
23 雙極性電晶體（BJT）在何種情況下，可用小訊號線性模型電路分析？ (A)輸入訊號振幅大 (B)輸入訊號＜＜VT（熱電壓） (C)輸入訊號可在主動區與截止區間工作 (D)輸入訊號可在主動區與飽和區內工作
24 在下列電路中電阻的功能為： 
 (A)分壓 (B)分流 (C)限流 (D)提升電阻值 
25 N通道增強型（Enhancement type）MOSFET通道導通的條件是（VTH：臨限電壓）： (A)VGS＝0 (B)VGS＞VTH (C)VGS＜0 (D)VGS＜VTH
26 某一個N通道空乏型MOSFET之IDSS＝12mA，VGS(OFF)＝-4.5V，在VGS＝0V時，其ID值為若干？ (A) 0.15mA (B) 3.7mA (C) 6mA (D) 12mA
27 圖a為共射極偏壓組態的放大器，圖b為其交流等效電路，設re＝5Ω、rπ＝(1+β)re、ro＝∞Ω、β＝90，則其 電壓增益（Av）約為： (A) -1.0 
 (B)-100 (C)-400 (D)-3600
28 共射極電路之直流負載線（DC load line）方程式為： (A) VCC＝ICRL+VBE (B)Vcc＝ICRL+VBC (C)VCC＝ICRL+VCE (D)VCC＝
29 砷化鎵之能帶間隙在 300K 時為 1.424 eV，其發光二極體發光波長約為： (A) 0.55 µm (B) 0.87 µm (C) 1.15 µm (D) 1.55 µm
30 如圖所示，已知齊納（Zener）二極體的Vz＝10V，則負載RL兩端的電壓應為： (A) 12V (B) 10V  (C) 8V  (D) 4V 
31 IC 產業中之 Pseudo SRAM 的敘述，那一個是錯的？ (A)它是揮發性記憶體的一種 (B)它用 1T（一個電晶體）DRAM 的技術去取代 6T SRAM 的架構 (C)它的 I/O 與控制介面為 SRAM 架構 (D)它的儲存架構其實為 SRAM
32 圖中邏輯電路輸出信號（Y）之布林函數為何？ (A) (B)  (C) (D)
33 輸入電壓vi經過圖中電路處理後（二極體為理想二極體），輸出電壓vo波形中之V1及V2為何？ (A)V1＝20 V; V2＝4 V (B)V1＝12 V; V2＝4 V (C)V1＝16 V; V2＝4 V (D)V1＝12 V; V2＝0 V
34 圖示電路為何種濾波器？ (A)高通  (B)帶通  (C)低通  (D)帶拒
35 某電路之高頻轉移函數為 FH ( s ) = 100 ，則此電路之 3dB 頻率約為若干 rad/sec？(A) 102 (B) 103 (C) 105 (D) 106
36 對唯讀記憶體（ROM, Read Only Memory）而言，如果其位址線有 16 條，則其記憶位址有： (A) 32 個 (B) 16 個 (C) 16K 個 (D) 64K 個
37 圖為含主動負載的差分對（Differential Pair with Active Load）。若電晶體都有相同的爾利電壓（Early Voltage，VA）100V；且都設計在相同的驅使電壓（Overdrive Voltage, VGS-VTH）0.2V。此電路差模 電壓增益（Differential Mode Voltage Gain）Ad≣Vo / (V1-V2) 約為： (A) 1000 (B) 500 (C) 250 (D) 125 
38 有一空乏型P通道MOSFET，VGS(off)＝4V，IDSS＝8 mA，則當此MOSFET的VGS＝-1V時，汲極電流ID為 ： (A) 4mA (B) 8mA (C) 10mA (D) 12.5mA
39 如圖所示運算放大器電路，若輸入電壓範圍為V1＝1V~2V，試求其輸出電壓範圍Vo應為多少？ (A)-12V ~ -6V(B)-10V ~ -6V(C) 6V ~ 12V  (D) 6V ~ 10V 
40 如圖a所示為一個達靈頓（Darlington）射極隨耦器電路，而圖b為其交流等效電路。其中達靈頓電晶 體的電流增益βD（ ≈ Io / Ib）值遠大於 1，則圖b的電流增益Ai（=Io / Ii）為： 圖 a 達靈頓射極隨耦器電路 圖 b 交流等效電路 (A)βD (B)βDRB / (ri+βDRE) (C)βDRE / (ri+βDRE) (D)βDRB / [(ri+βDRE)+RB]

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