98年 - 98 身心障礙特種考試_五等_電子工程：電子學大意#47076

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意 | 年份：98年 | 選擇題數：40 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

選擇題 (40)

1 在共射極放大器組態中，經常會在射極端接上一電阻。此電阻最主要功能為何？ (A)增加增益 (B)降低輸入阻抗 (C)節省晶片面積 (D)穩定直流偏壓

2 右圖中，若電晶體之V_BE =0.7 伏特時，則電晶體對地電壓Vc約為多少伏特？

(A) 8.42 伏特(B) 12.28 伏特 (C) 7.72 伏特(D) 11.58 伏特

3 電流增益及電壓增益均大於一的放大器組態為： (A)CE (B)CC (C)CB (D)CS

4 如右圖所示的振盪器電路，則v_o的波形為何？

(A)三角波 (B)方波 (C)鋸齒波(D)弦波

5 若一單極點（one pole）RC 低通濾波器時間常數為 0.318ms，則其三分貝頻帶寬應為： R2(A) 250 Hz (B) 500 Hz (C) 2 kHz (D) 5 kHz

6 下列有關右圖電路之敘述，何者正確？

(A)輸出為正弦波(B)為單穩態電路 (C)C1增大則輸出訊號頻率增大(D)R3降低則輸出訊號頻率增大

7 若一固定電流源差動放大器的各個BJT參數均相同（β₀ = 100、r_π = 1 kΩ），則此放大器的差模（differential mode）輸入端阻抗值約為：(A) 200 Ω (B) 2 kΩ (C) 20 kΩ (D) 200 kΩ

8 右圖所示電路為何種濾波器（Filter）？

(A)高通(B)低通(C)帶通(D)帶拒

9 一般而言，石英振盪器的振盪頻率，主要是由下列何項所決定？ (A)直流偏壓工作點 (B)石英晶體的特性 (C)接地電阻 (D)輸出電壓大小

10 如右圖所示為主動高通濾波器電路，則低頻截止頻率與低頻增益衰減率為：

11 四個完全相同的揚聲器同時響時，其音量比兩個完全相同的揚聲器同時響時，高出多少分貝（dB）？ (A) 3 (B) 6 (C) 9 (D) 2

12 下列有關金氧半場效電晶體之敘述，何者正確？ (A)閘極至源極電容（C_gs）與汲極電流成正比(B)閘極至汲極電容（C_gd）與電晶體閘極寬度成正比(C)輸出電阻（r_o）與汲極電流成正比(D)互導（g _m）與汲極電流成正比

13 如右圖所示，電路使用一個 4X1 多工器可執行下述何交換函數 f (x, y, z)？

(A) Σ(0,2,3,5,7)(B) Σ f (x, y, z) (0,1,3,7)(C) Σ(0,2,3,5)(D) Σ(0,2,3,4,5,7)

14 如右圖所示，利用電晶體、二極體及電阻組成數位正邏輯電路，則此為何種邏輯閘？

(A) OR 閘(B) NOR 閘 (C)AND 閘 (D) NAND 閘

15D型正反器（D-type flip-flop）主要是使用下列何項功能？ (A)延遲 (B)加法 (C)乘法 (D)及閘（AND GATE）

16 如右圖之CMOS靜態隨機存取記憶元（SRAM cell）中，若V₁=0V，則V₂=？

(A) 0 (B)V_DD/2 (C)V_DD(D) 2 V_DD

17 下列有關雙極性接面電晶體射極接面小訊號擴散電容之敘述，何者正確？ (A)隨射極電流上升而上升 (B)隨基極電流上升而下降(C)隨基極摻雜濃度上升而下降 (D)與集極之多數載子濃度之變化有關

18 發光二極體（light emitting diode）所發光的顏色，主要是由下列何者所決定？ (A)外加電壓的大小 (B)外加電流的大小(C)操作溫度 (D)材料本身能隙（energy bandgap）的大小

19 右圖電路可執行何種邏輯運算？

(A)AND(B) OR(C) NAND(D) NOR

20 由 p-n 接面二極體所形成的太陽電池和光偵測器，在操作上最大的差異為何？ (A)太陽電池在順偏操作，而光偵測器通常在逆偏操作(B)太陽電池需要較大逆向偏壓，而光偵測器通常需要較小的反偏(C)太陽電池需要產生光子，而光偵測器為接受光子(D)太陽電池消耗功率較小，而光偵測器較大

21 下列那一種二極體具有穩壓功能？ (A)隧道二極體（tunnel diode） (B)發光二極體（light emitting diode）(C)稽納二極體（Zener diode） (D)蕭特基二極體（Schottky diode）

22 一般而言，下列何者為射極隨耦器（Emitter Follower）之性質？ (A)電壓增益 ≈ 1 (B)電壓增益> 1 (C)電流增益 ≈ 1 (D)電流增益< 1

23BJT直流工作特性曲線中，在順向作用區（forward active region）時其IC值會隨VCE值增加而微增，此乃因何效應？(A)歐姆效應 (B)布朗克效應（Planck effect）(C)爾利效應（Early effect） (D)愛因斯坦效應（Einstein effect）

24 某雙極性接面電晶體工作在VCE =10 V, IB =10 µA, IC =10 mA情況下，此電晶體之α值應為： (A) 0.968 (B) 0.976 (C) 0.989 (D) 0.999

25 在雙極性接面電晶體中為了獲得整體特性的最佳設計，其射極（E）、基極（B）、集極（C）的摻雜濃度情況應為：(A)E >B >C (B)C>B >E (C)B>E >C (D)B >C >E

26 一負回授放大器的系統方塊圖如下所示，如與無回授放大器比較，下列何者不為此種系統具有之特性？

(A)頻寬增加(B)雜訊減少(C)失真減少(D)增益增加

27 如右圖所示電路，電晶體之β=100，在v_s=0 時，I_B約為：

(A) 10 mA(B) 10μA(C) 5μA(D) 1μA

28 如右圖所示電路，其中V_ref>0 下列敘述何者為非？

(A)當V_i > -V_ref時，V_o為負飽和(B)當V_i < -V_ref時，V_o為正飽和(C)當V_i + V_ref> 0 時，V_o為負飽和(D)當V_i< V_ref時，V_o為正飽和

29 若右圖電路之輸入為一弦波，則輸出波型為：

(A)弦波(C)方波 (C)三角波 (D)定電壓

30 為使一差動放大器（Differential amplifier）的共模拒斥(CMRR 值變大，則應如何為之？ (A)減少基極電阻 (B)減少射極電阻 (C)加大射極電阻 (D)加大集極電阻

31 運算放大器的轉動率（slew rate）的單位為： (A) RPM (B) V/µs (C) km/s (D) rad/s

32 如右圖示之電路，若電晶體之 β = 100，則此電晶體操作於：

(A)截止模式（cut-off mode）(B)作用模式（active mode） (C)飽和模式（saturation mode）(D)反轉模式（inverted mode）

33 如右圖所示電路，若輸入電壓Vi為具正負值之弦波，則下列敘述何者為非？

(A)此電路為精密全波整流電路

(B)當輸入為正半週時（V_i>0），則D₁導通，D₂截止

(C)當輸入為負半週時（V_i<0），則D₁截止，D₂導通

(D)當輸入為負半週時（V_i<0），則輸出

34 若一個非理想運算放大器之差動電壓增益為 100，則當右圖電路之Vi =1V時，輸出電壓（Vo）約等於：

(A) 9.9 V(B) 1 V(C) 0.99 V(D) 0.9 V

35 右圖為一半波整流電路，設vs的頻率為 60 Hz，請問整流後vo的漣波頻率為多少？

(A) 30 Hz(B) 60 Hz(C) 120 Hz(D) 240 Hz

36 下列何者不是理想運算（OP）放大器之特性？ (A)開路增益無窮大 (B)頻寬無窮大 (C)輸出阻抗無窮大 (D)輸入阻抗無窮大

37 要構成一個全波整流電路至少要使用幾個 p-n 接面二極體？ (A)一個 (B)二個 (C)三個 (D)四個

38 二極體變容器（varactor）使用時，應加上何種偏壓？ (A)逆向偏壓 (B)順向偏壓 (C)順逆向偏壓均可 (D)無需偏壓

39 如右圖所示為一個MOSFET放大器的小信號等效電路模型，此電路的電壓增益（v_o / v_i）為何？

(A)-gm(r_o + R_D)

(D)-gm(r_o // R_D)

40 一般而言，增強型 MOSFET 的通道為下列何種物理機制所形成？ (A)電場所產生的半導體型態反轉 (B)電場所產生的崩潰(C)電場所產生的漏電流 (D)電場所產生的發光

申論題 (0)