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初等/五等/佐級◆電子學大意
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99年 - 99 初等考試_電子工程：電子學大意#38374
科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意 |
年份：
99年 |
選擇題數：
40 |
申論題數：
0
試卷資訊
所屬科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意
選擇題 (40)
1 關於 CMOS 反相器（Inverter）之功率消耗，下列敘述何者錯誤？ (A)其動態功率消耗與頻率成正比 (B)其動態功率消耗與負載電容成正比 (C)其動態功率消耗與操作電壓一次方成正比 (D)切換過程可能形成導通電流之功率消耗
2 當雙極性接面電晶體放大器工作在主動區（Active region）時，則： (A)| I
C
|＝| I
E
|＋| I
B
| (B)| I
E
|＝| I
C
|＋| I
B
| (C)| I
B
|＝| I
E
|＋| I
C
| (D)| I
E
|＋| I
C
|＋| I
B
|＝0
3 一增強型 N 通道 MOSFET 作開關元件應用時，使其成短路（ON）狀態，則所外加偏壓 V
GS
的大小及電壓 V
DS
的值為何？（V
t
為臨限電壓(Threshold Voltage)） (A)V
GS
＜0；V
DS
＝0 (B)V
GS
＝0；V
DS
＝V
DD
(C)V
GS
＞V
t
；V
DS
＝0 (D)V
GS
＜V
t
；V
DS
＝V
DD
4 關於共基極（Common Base）放大器之敘述，下列何者正確？ (A)放大器本身之輸入阻抗為高阻抗 (B)放大器本身之輸出阻抗為低阻抗 (C)作為電壓放大器時，輸出電壓與輸入電壓為反相放大 (D)適合作為電流緩衝器
5 下列何者為振盪器之必要條件？ (A)振盪器迴路增益≧1 (B)振盪器迴路相位移＝270° (C)振盪器迴路增益＜1 (D)振盪器迴路相位移＝100°
6 一般矽質雙極性接面電晶體之基、射極電壓，在正常順向電壓工作情況下約為： (A) 0.1V (B)0.7V (C)1.2V (D)2.4V
7 某單極點放大器的中頻電壓增益為 40dB，高 3dB 頻率（Upper 3dB Frequency）為 10kHz，則其單增益頻率（Unity Gain Frequency）為若干 Hz？ (A)10k (B)100k (C)1M (D)10M
8 下列何種 MOSFET 只有在加入 VGS＞Vt＞0 時，才有通道存在？（Vt為臨限電壓） (A)空乏型 P 通道 MOSFET (B)空乏型 N 通道 MOSFET (C)增強型 N 通道 MOSFET (D)增強型 P 通道 MOSFET
9 對共集極（CC）電晶體電路，下列敘述何者正確？ (A)電流放大率接近 1，輸入阻抗小 (B)電壓放大率接近 1，輸入阻抗小 (C)電流放大率接近 1，輸入阻抗大 (D)電壓放大率接近 1，輸入阻抗大
10 串級（Cascade）放大器在中頻段工作時，為了使訊號在最後放大級之功率最大： (A)最後放大級之輸入電阻越大越好 (B)最後放大級之輸入電阻越小越好 (C)最後放大級之輸入電阻要等於前一級放大器之輸出電阻 (D)前一級放大器輸出電阻要遠大於輸出放大級之輸入電阻
11 以 BJT 電晶體構成的數位電路和 CMOS 數位電路比較，主要的優點是： (A)輸入阻抗高 (B)電晶體密度高 (C)速度快 (D)功率省
12 一個 RS 正反器，若在記憶狀態（即正反器的輸出狀態不改變）時，則 R 和 S 端的輸入分別為： (A) R＝0，S＝0 (B) R＝1，S＝0 (C) R＝0，S＝1 (D) R＝1，S＝1
13 一個放大器的電壓增益為 1000，則其分貝（dB）數為： (A)3dB (B)30dB (C)60dB (D)300dB
14 某一多級放大器是由多個子電壓放大器串接而成，欲此整體有較大的電壓增益，則其子電壓放大器 的輸入阻抗、輸出阻抗特性應如何？ (A)輸入阻抗愈大愈好、輸出阻抗愈大愈好 (B)輸入阻抗愈小愈好、輸出阻抗愈大愈好 (C)輸入阻抗愈小愈好、輸出阻抗愈小愈好 (D)輸入阻抗愈大愈好、輸出阻抗愈小愈好
15 在實驗室新領到 MOSFET IC 時，若見到 IC 接腳用一細鐵絲綁在一起，其目的是： (A)避免 IC 腳弄斷 (B)證明它是新品 (C)避免因靜電而遭破壞 (D)增加美觀
16 MOSFET 通道汲極端夾止（Pinch-off）後（不考慮通道調變效應(channel length modulation)）： (A)汲極電流下降為零 (B)汲極電流約維持固定 (C)V
DS
下降為零 (D) MOSFET 接近破壞狀態
17 若溫度每增高 10°C，矽二極體的逆向飽和電流 I
S
值會增為兩倍，則當溫度增高 40°C，I
S
會增為： (A) 4 倍 (B) 8 倍 (C)16 倍 (D)32 倍
18 某數位電路之 V
OH
＝3V，V
IH
＝1.6V，V
OL
＝0.3V，V
IL
＝0.8V。下列有關其雜訊邊限（Noise Margin）的敘述，何者正確？ (A)高雜訊邊限 NM
H
＝4.8V (B)高雜訊邊限 NM
H
＝2.4V (C)低雜訊邊限 NM
L
＝3.3V (D)低雜訊邊限 NM
L
＝0.5V
19 圖示電路為何種濾波器？
(A)高通 (B)帶通 (C)低通 (D)帶拒
20 如圖所示為一個共射極組態電路，其輸入訊號（V
i
）與輸出訊號（V
o
）的相位差為 (A) 0 度 (B)90 度 (C)180 度 (D) 270 度
21 圖示理想運算放大器電路為：
(A)反相放大電路（Inverting Amplifier） (B)非反相放大電路（Non-inverting Amplifier） (C)電壓緩衝器（Voltage Buffer） (D)雙穩態電路（Bistable Circuit）
22 圖 a JFET 的直流偏壓工作點為圖 b I
D
-V
GS
曲線中的那一點？
(A)P1 (B)P2 (C)P3 (D)P
23 如圖所示電路，下列何者為非？
(A)當輸入訊號 V
i
的頻率 f 極小時（f ≅ 0），電壓增益
(B)當輸入訊號 V
i
的頻率 f 極大時（f ≅ ∞ ），電壓增益
(C)此電路低頻截止頻率為
(D)此電路低頻電路衰減為 40dB/decade
24 如圖所示電路，為何種振盪器？
(A)韋恩電橋（Wien Bridge）振盪器 (B)積分相位落後型 RC 相移振盪器 (C)微分相位超前型 RC 相移振盪器 (D)雙 T 電橋振盪器
25 圖 b 電路為圖 a 之小訊號等效電路，其中電流源應為：
(A)-g
m
V
ds
(B)＋g
m
V
ds
(C)-g
m
V
gs
(D)＋g
m
V
gs
26 如圖所示之橋式整流電路，若輸入 AC 電源之最大峯值為 10.4V，則二極體的崩潰電壓至少應為：
(A)5V (B)10V (C)15V (D)20V
27 圖中電路 V
GS
＝V
p
/3（V
p
＝-3V），如 A
v
＝10，R
D
及 R
S
必須是何值？
(A)R
D
＝3.5kΩ；R
S
＝250Ω (B)R
D
＝2.0kΩ；R
S
＝180Ω (C)R
D
＝1.5kΩ；R
S
＝200Ω (D)R
D
＝5.1kΩ；R
S
＝250Ω
28 關於圖中電路，下列敘述何者錯誤？
(A)此為低通濾波器 (B)其低頻增益為 1 (C) L 越小頻寬越大 (D) R 越大頻寬越小
29 圖示 FET 電晶體組成的差動放大器，若電晶體參數 g
m
＝0.5mA/V，R
D
＝20kΩ，差模電壓增益 v
o
/v
id
＝？
(A)-10 (B)-5 (C) 5 (D)10
30 有一運算放大器電路如圖所示，其中可變電阻值調整範圍為 0～10kΩ且電源接±15V，設 V
i
＝2V，則輸出 Vo電壓範圍為：
(A)-20V～-10V (B)＋10V～＋20V (C) 0V～-10V (D)＋10V～＋15V
31 如圖所示之雙極性接面電晶體（BJT）放大器，已知電晶體參數β（＝I
c
/I
b
）為 120，以及電晶體集極到射極的交流輸出阻抗 r
o
為 100kΩ，則此放大器的電壓增益 AV（＝V
o
/V
i
）約為多少？
(A)1 (B)10 (C)20 (D)40
32 關於圖中電路功能之敘述，下列何者正確？
(A)單穩態電路 (B)雙穩態電路 (C)微分器 (D)積分器
33 由電晶體組成的電路，如圖所示。其輸出 Y 為：
34 如圖所示，齊納（Zener）二極體之 V
Z
＝8V，則輸出電壓 V
o
為：
(A)12V (B) 8V (C) 6V (D) 0V
35 圖示電路的輸出數位邏輯 Y＝？
36 圖中 MOSFET 的 g
m
為互導，r
o
為輸出電阻，此電路工作在電晶體飽和區之電壓放大率 A
v
有何特性？
(A)與 g
m
無關 (B)與 R
S
無關 (C)與 R
D
無關 (D)與 r
o
無關
37 如圖所示的電路為電流鏡電路，設兩個雙極性接面電晶體的射極電流（I
E
）相同，V
BE
＝0.7V，則電 流 I 約為：
(A)0mA (B)1.8mA (C) 5.1mA (D)無限大
38 圖中電路之功能為：
(A)放大器 (B)積分器 (C)濾波器 (D)振盪器
39 圖 a 為一個共射極（Common Emitter）放大器電路，假設 R
E
≫re，則其電壓增益A
v
-R
C
/r
e
。若利用一個共基極（Common Base）放大器電路取代圖 a 中的電阻 RC，其電路如圖 b 所示，而已知共基極放大器電路的輸入阻抗為 r
e
，則圖 b 電路的電壓增益（A
v
＝V
o2
/V
i
）約為
(A)-1 (B)-R
C2
/r
e
(C) 0 (D)-(R
C2
||R
E
)/r
e
40 以開路時間常數法分析，則此電路在高三分貝頻率（Upper 3dB Frequency）的時間常數為：
(A) C
2
R
2
＋C
1
R
1
(B)C
2
R
2
＋C
1
R
1
R
2
/(R
1
＋R
2
) (C)C
1
R
1
＋C
2
(R
1
＋R
2
) (D) C
1
R
2
＋C
2
R
1
申論題 (0)
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(A)高通 (B)帶通 (C)低通 (D)帶拒 
(A)反相放大電路（Inverting Amplifier） (B)非反相放大電路（Non-inverting Amplifier） (C)電壓緩衝器（Voltage Buffer） (D)雙穩態電路（Bistable Circuit） 
(A)P1 (B)P2 (C)P3 (D)P 
(B)當輸入訊號 Vi的頻率 f 極大時（f ≅ ∞ ），電壓增益
(C)此電路低頻截止頻率為
(D)此電路低頻電路衰減為 40dB/decade
(A)韋恩電橋（Wien Bridge）振盪器 (B)積分相位落後型 RC 相移振盪器 (C)微分相位超前型 RC 相移振盪器 (D)雙 T 電橋振盪器 
(A)-gm Vds (B)＋gm Vds (C)-gm Vgs (D)＋gm Vgs 
(A)5V (B)10V (C)15V (D)20V 
(A)RD＝3.5kΩ；RS＝250Ω (B)RD＝2.0kΩ；RS＝180Ω (C)RD＝1.5kΩ；RS＝200Ω (D)RD＝5.1kΩ；RS＝250Ω 
(A)此為低通濾波器 (B)其低頻增益為 1 (C) L 越小頻寬越大 (D) R 越大頻寬越小 
(A)-10 (B)-5 (C) 5 (D)10 
(A)-20V～-10V (B)＋10V～＋20V (C) 0V～-10V (D)＋10V～＋15V 
(A)1 (B)10 (C)20 (D)40 
(A)單穩態電路 (B)雙穩態電路 (C)微分器 (D)積分器 
(A)12V (B) 8V (C) 6V (D) 0V 
(A)與 gm無關 (B)與 RS無關 (C)與 RD無關 (D)與 ro無關 
(A)0mA (B)1.8mA (C) 5.1mA (D)無限大 
(A)放大器 (B)積分器 (C)濾波器 (D)振盪器 
-RC/re 。若利用一個共基極（Common Base）放大器電路取代圖 a 中的電阻 RC，其電路如圖 b 所示，而已知共基極放大器電路的輸入阻抗為 re，則圖 b 電路的電壓增益（Av＝Vo2/Vi）約為 
(A)-1 (B)-RC2/re (C) 0 (D)-(RC2 ||RE)/re 
(A) C2R2＋C1R1 (B)C2R2＋C1R1R2/(R1＋R2) (C)C1R1＋C2(R1＋R2) (D) C1R2＋C2R1