阿摩線上測驗
登入
首頁
>
初等/五等/佐級◆電子學大意
> 99年 - 99 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#22365
99年 - 99 鐵路特種考試_佐級_電子工程:電子學大意#22365
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意 |
年份:
99年 |
選擇題數:
40 |
申論題數:
0
試卷資訊
所屬科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
選擇題 (40)
1 如圖之電路,電晶體Q
n
之臨限電壓V
tn
=0.5 V,電晶體Q
p
之臨限電壓V
tp
=-0.5 V,當輸入電壓V
i
=3 V時, 輸出電壓V
o
為:
(A) 0 V (B) 0.5 V (C)2.5 V(D)3 V
2 圖示NMOS電晶體電路,V
DD
=5 V,閘極電壓v
G
=V
DD
,電晶體參數V
t
=1 V,其中電容C為輸出端的 雜散電容,下列敘述何者正確?
(A)輸入電壓v
I
=5 V,則輸出電壓v
O
=5 V (B)輸入電壓v
I
=5 V,則輸出電壓v
O
=0 V (C)輸入電壓v
I
=0 V,則輸出電壓v
O
=0 V (D)輸入電壓v
I
=0 V,則輸出電壓v
O
=1 V
3 一個 RC 相移振盪器正進行穩定的振盪,若放大器的轉移函數是 5∠140°,則 RC 相移網路的轉移函 數有可能是: (A) 0.2∠220° (B) 1∠0° (C) 2π∠140° (D) 5∠-140°
4 圖示電路,若運算放大器的正負輸出飽和電壓為 ±12 V、R
1
=10 kΩ、R
2
=40 kΩ,今若輸出電壓v
O
為 -12 V,下列輸入電壓v
I
何者可使輸出電壓由-12 V轉為+12 V?
(A)-4 V (B)-2 V (C) 2 V (D) 4 V
5 關於源極耦合(Source-Coupled)全差動式放大器(Fully Differential Amplifier)特性之敘述,下列何 者正確? (A)差動放大器之共模輸入對差模輸出增益(Differential to Common-Mode Gain)與匹配度無關 (B)差動放大器對電源雜訊之干擾免疫力較差 (C)共源極端利用定電流偏壓可抑制電路之共模增益(Common-Mode Gain) (D)在相同元件尺寸、負載電阻,與電晶體電流偏壓條件下,其增益為單端共源極放大器之二倍
6 如圖所示之接面場效電晶體(JFET)放大器,已知在工作點的轉移電導(Transconductance)gm為 2 mS, 電流I
DSS
為 8 mA,夾止電壓(Pinch-off Voltage)V
P
為-6 V,不考慮接面場效電晶體的交流輸出阻抗 rd的影響,則此放大器的電壓增益A
V
(=V
o
/V
i
)約為多少?
(A)-6 (B)-12 (C)-18 (D)-24
7 若圖中的N通道增強型MOSFET之V
t
=1 V,µ
n
C
ox
(W/L)=1 mA/V
2
,則RD及源極與汲極間的有效 電阻(rDS)之值分別約為:
(A) 20.5 kΩ、312 Ω (B) 12.4 kΩ、253 Ω (C) 10.3 kΩ、153 Ω (D)5.8 kΩ、105 Ω
8 下圖電路中,電晶體小訊號模型之r
e
=26 mV/I
E
,r
o
=50 kΩ,請判斷Z
i
及Z
o
約為何?
(A)Zi=1.4 kΩ,Zo=3.4 kΩ (B)Zi=2.4 kΩ,Zo=7.1 kΩ (C)Zi=1.4 kΩ,Zo=6.0 kΩ (D)Zi=2.4 kΩ,Zo=9.2 kΩ Vi
9 如圖所示為七節式(Seven Segment)LED的電路圖。已知LED點亮時的電流為 10 mA,電壓降約為 1.7 V,V
IK
,k=1, 2,⋯,7 在低位階(Low State)時約為 0.3 V,則限流電阻R約為:
(A) 100 Ω (B) 200 Ω 5 V (C) 300 Ω (D) 400 Ω
10 一個電流緩衝放大器,其輸入電阻R
in
與輸出電阻R
out
應具何種特性? (A)R
in
要小,R
out
要小 (B)R
in
要小,R
out
要大 (C)R
in
要大,R
out
要小 (D)R
in
要大,R
out
要大
11 MP3 隨身聽中通常使用何種記憶體來儲存音樂檔? (A) SRAM (B) Flash Memory (C) ROM (D) DRAM
12 如圖所示之數位電路由三個JK正反器(JK Flip-Flop)所組成,若三個正反器之輸入值皆為 1 且目前 輸出之狀態為Q
2
Q
1
Q
0
=100。試問當時脈(clock)再度觸發三個JK正反器時,下一個輸出之狀態值Q
2
Q
1
Q
0
為
何?
(A) 010 (B) 011 (C) 100 (D) 101
13 圖中邏輯電路輸出信號(Y)之布林函數為何?
14 某振盪電路之迴路增益為L,依巴克豪森準則(Barkhausen Criterion),若當該電路可維持振盪於頻 率ω0,則迴路增益L(jω0)應為: (A) 1∠0° (B) 1∠-90° (C) 2π∠0° (D)∞∠0°
15 圖中振盪器電路,其輸出電壓V
O
的波形為何?
(A)方波 (B)正弦波 (C)三角波 (D)脈衝波
16 如圖所示電路,其中R
1
C
1
<R
2
C
2
,下列何者錯誤?
(A)其頻帶寬度 BW 為
(B)其輸出入電壓之轉移函數為
(C)此為帶通濾波器(Band Pass Filter)電路 (D)其頻率響應圖為
17 圖中Q
A
的寬長比(Aspect Ratio,W/L)為 3 n,Q
B
的寬長比為 2 n,Q
C
的寬長比為n,當此三個電晶體 都導通時,其等效寬長比為:
(A) 6 n (B) 2.2 n (C) 1.2 n (D) 5 n/6
18 已知有一電路的轉移函數
,則當頻率為 100 rad/sec 時,該電路產生之相角變化約為: (A) 0° (B)-45° (C)-90° (D)-180°
19 分析圖中之電路,若運算放大器為理想,則I
i
值為何?
(A) 1 mA (B) 1.5 mA (C) 2 mA (D) 3 mA
20 如圖所示電路為由電阻R1、R2、R3、R4和理想運算放大器組成的加權加法器(Weighted Summer),若 R1=1 kΩ,R2=4 kΩ,R3=1 kΩ,R4=4 kΩ,V1=2 V,V2=3 V,則VO等於:
(A) 15 V (B) 12 V (C) 11 V (D) 10 V
21 如圖所示之雙極性接面電晶體(BJT)放大器,已知電晶體參數α(=I
c
/I
e
)為 0.98,以及電晶體集極到 基極的交流輸出阻抗r
o
為 1 MΩ,則此放大器的輸出阻抗Z
O
約為多少?
(A) 1.2 kΩ (B) 6 kΩ (C) 12 kΩ (D) 1 MΩ
22 如圖所示電路,電晶體皆為矽質,其中電晶體Q
1
與Q
2
有相同特性,若V
CC
=15 V,V
EE
=-10 V,電 阻R
1
=5 kΩ,R
2
=3 kΩ,R
3
=R
4
=3 kΩ,稽納二極體電壓V
Z
=7 V,V
i1
=V
i2
=0 V,若輸出電壓差V
O
= V
O1
-V
O2
,則V
O
約為何值?
(A)-4.2 V (B) 4.2 V (C)-2.1 V (D) 2.1 V
23 如圖所示為含主動負載的差分對(Differential Pair with Active Load),其中I=200 µA,並且電晶體 都具有相同的參數,β=100,r
o
=100 kΩ。此電路差模電壓增益(Differential Mode Voltage Gain) A
d
≣V
o
/(V
1
-V
2
)約為:
(A) 400 (B) 200 (C) 100 (D) 50
24 某電壓放大器以圖示電路模型表示,其中R
i
=4 kΩ、R
o
=1 kΩ,若將二個相同的此種電壓放大器串 接,問串接後電路的總電壓增益約為若干?
(A) 4000 (B) 5000 (C) 8000 (D) 10000
25 如圖所示之空乏(Depletion)型金氧半場效電晶體(MOSFET)放大器,已知工作點(Operating Point) 閘源極電壓VGS為 0.33 V,汲極電流I
D
為 7.6 mA,I
DSS
為 6 mA,夾止電壓(Pinch-off Voltage)V
P
為-3V,則此放大器的輸入阻抗Z
i
約為多少?
(A) 330 kΩ (B) 560 kΩ (C) 720 kΩ (D) 910 kΩ Vi
26 一N通道接面場效電晶體(JFET)的I
DSS
=4 mA,V
P
=-4 V,若I
D
=1 mA,則其V
GS
約為: (A) 2 V (B) 1 V (C)-1 V (D)-2 V
27 與 BJT 電路比較下列有關 CMOS 電路的特性,何者敘述錯誤? (A)交換速率較快 (B)製作容易,價格低廉 (C)消耗功率小 (D)雜訊免除佳
28 設V
BE
=0.7 V,V
C
=9 V,則圖中的電流I
B
約為:
(A) 0 µA (B) 2.3 µA (C) 13.8 µA (D) 15.0 µA
29 若圖中電晶體Q
1
及Q
2
之特性相同且V
BE
=0.7 V,則I
O
之電流大小約為:
(A) 5.45 mA (B) 4.35 mA (C) 2.15 mA (D) 1.25 mA Io
30 如圖所示電路,已知其中齊納(Zener)二極體的V
Z
=5 V,則該齊納二極體的消耗功率約為:
(A) 6 mW (B) 4 mW (C) 2 mW (D) 1 mW
31 下列何者二極體一般不是工作於逆向偏壓? (A)光二極體(Photo Diode) (B)齊納二極體(Zener Diode) (C)變容二極體(Varactor) (D)蕭基二極體(Schottky Diode)
32 PIN 感光二極體工作時,基本上是操作於那一偏壓下? (A)順向偏壓 (B)逆向偏壓 (C)零電壓下(短路) (D)不加電壓(開路)
33 如圖所示,利用電晶體及電阻組成之數位正邏輯電路,其中輸入為 A、B,輸出為 Y,問此為何種邏 輯閘?
(A) NAND 閘 (B) AND 閘 (C) NOR 閘 (D) OR 閘
34 圖為濾波器電路,其轉換函數(Transfer Function)為V
out
/V
in
。以下何者錯誤?
(A)轉換函數絕對值之大小不隨頻率變化 (B)轉換函數相位隨頻率變化 (C)本電路輸出無波形失真 (D)全通濾波器(All Pass Filter)
35 如圖所示電路,其電壓增益
之頻率響應圖是:
36 如圖所示運算放大器電路,若輸入電壓為VI=-4 V,試求其輸出電壓V
O
約為多少?
(A)-20 V (B)-15 V (C)+15V (D)+20 V
37 下列有關雙極接面電晶體三種組態放大器的敘述,何者錯誤? (A)共基極之輸入阻抗最高 (B)共射極為反相放大器 (C)共集極之電壓增益小於 1 (D)共射極的功率增益最高
38 有關下列增強型MOSFET之特性敘述,何者錯誤?(V
t
為臨限電壓(Threshold Voltage)) (A)於N通道,V
GS
>V
t
可感應通道 (B)於P通道,V
t
為一正值電壓 (C)於V
GS
=0,無感應通道 (D)於N通道,V
GS
電壓愈大(愈正),感應通道愈大
39 對於雙極性電晶體的工作模式,何者敘述正確? (A)飽和模式:射極接面導通,集極接面截止 (B)主動模式:射極接面導通,集極接面截止 (C)飽和模式:射極接面截止,集極接面導通 (D)主動模式:射極接面截止,集極接面截止
40 一般矽質 PN 接面二極體兩端的順向電壓,在某一特定電流值時,隨溫度變化的情形是: (A)-2 mV/℃ (B)-20 mV/℃ (C)+2 mV/℃ (D)+20 mV/℃
申論題 (0)