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99年 - 99 高等考試_三級_核子工程、輻射安全:輻射度量#40080
科目:
輻射度量 |
年份:
99年 |
選擇題數:
0 |
申論題數:
13
試卷資訊
所屬科目:
輻射度量
選擇題 (0)
申論題 (13)
一、⑴光子與物質作用之衰減係數(µ)及能量吸收係數(µ
en
)的定義有何不同?針對 光子與物質作用的三種主要方式,寫出µ與µen的關係式。(10 分)
⑵繪一示意圖,橫座標為光子能量(範圍為 10 keV至 100 MeV),縱座標為鋁、銅 、鉛的µ
en
/ρ,並解釋µ
en
/ρ與物質原子序的關係。(10 分)
⑴阿伐粒子進入空氣腔中的能量。(10 分)
⑵空氣腔中產生的離子對數目。(5 分)
三、一圓柱形充氣式偵測器之中心軸上的陽極絲半徑為 20 µm,偵測器的半徑為 30 mm, 外加電壓為 1000 V。問距離中心軸多遠處之電子行進 1 mm 後,獲得足夠的能量可 游離氦氣(游離能等於 23 eV)?(20 分)
⑴繪圖指出能譜中之光電峰(photopeak)、康普吞邊緣(Compton edge)及回散射 峰(backscatter peak)。(10 分)
【已刪除】 ⑵計算康普吞邊緣及回散射峰的能量。提示:
⑶解釋光電峰與康普吞邊緣之間的能譜意義。(5 分)
五、⑴寫出歸一化(normalized)之高斯分布函數 f(x)。(5 分)
⑵問 x 平均值加減正負一個標準差之曲線下的面積等於多少?(5 分)
⑶繪圖說明什麼是 type I error?(5 分)
⑷繪圖說明什麼是 type II error?(5 分)
⑸定義 LLD。(5 分)