試題詳解

 39 圖中電路，假設V_IN＝V_DD，V_G＝V_DD，VDD＝4V，C＝100fF。電晶體的臨限電壓（Threshold Voltage，V_TH ）為 1V，本體效應（Body Effect）可以忽略。製程跨導參數（Process Transconductance Parameter，μ_n C_ox）為 50 μA/V²。寬長比（Aspect Ratio，W/L）為 2。則此電路的V_O從 0 V升至V_DD/2 所需要的時間約 為：
(A) 1ns  
(B) 0.8ns
(C) 0.4ns
(D) 0.2ns