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【段考】高二化學上學期
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101年 - 師大附中 高二(上學期) →第二次期中考化學試題(高二數資班)#38338
> 試題詳解
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37 如圖所示波形產生電路，U1為理想運算放大器，且飽和電壓（Saturation voltage）為 +10 V 與 -10 V。 對於電容 C 兩端電壓 VC可能之波形，下列敘述何者正確？(A)接近正弦波(B)接近方波(C)接近三角波(D)接近一直流準位
#1094300
38 如圖所示差動對電路，電晶體之 β = 100，ro →∞，RC = 4 kΩ，I = 2 mA，VCC = -VEE = 10 V，取 VBE(on) = 0.7 V，VCE(sat) = 0.3 V，VT = 25 mV，當 vB1 = vB2 = 0 時，iC1(iC2)之值約為何？ (A)0 mA (B)0.01 mA (C)1 mA (D)2 mA
#1094301
39 如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V，忽略其 輸出阻抗（ro），該放大器之高頻 3-dB 頻率（ωH）為何？(A) 1 GHz(B)20 MHz(C)1.59 MHz(D)318 kHz
#1094302
40 如圖所示放大器（其偏壓未示），若電晶體的轉導參數為 gm，輸出電阻為 ro，則此放大器的輸出電 阻 RO約為何？ (A)RC (B)RE (C)ro+ RC (D)ro+ RE
#1094303
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#1094305
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#1094306
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#1094307
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#1094308
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#1094309
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#1094310
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