試題詳解

試卷：99年 - 99 原住民族特種考試_五等_電子工程：電子學大意#46825 | 科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷名稱：99年 - 99 原住民族特種考試_五等_電子工程：電子學大意#46825

年份：99年

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

7 在矽晶接面二極體中，若增加 p 型區和 n 型區的摻雜濃度，下面那一項物理量會隨之上升？
(A)空乏區厚度
(B)內建電壓（Built-in potential）
(C)導通時的微分電阻
(D)崩潰電壓

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