106. 半導電製程中的化學機械研磨（Chemical Mechanical Polishing，CMP）是利用機械配合適當的化學助劑，以將高低起伏不一的晶片表面、輪廓一併加以磨平。下列何項是化學機械研磨時常用的金屬膜研磨液？ (A)SiO2系(B)Al2O3系 (C)SiF4系 (D)H3PO4系。

108. 塑膠系光纖雖不適合長距離的光傳遞，但卻具有價格低廉及操作容易的優點。下列各項中何者是塑膠光纖的材料？ (A)聚乙烯（PE）和聚乙烯對苯二甲酸酯（PET） (B)聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚苯乙烯（PS） (C)聚乙烯醇（PVA）和聚四氟乙烯（PTFE） (D)聚丙烯（PP）和丙烯（Acrylnitrile）、丁乙烯（Butadiene）及苯乙烯（Styrene）之共聚物（ABS 樹脂）。