試題詳解

106. 半導電製程中的化學機械研磨（Chemical Mechanical Polishing，CMP）是利用機械配合適當的化學助劑，以將 高低起伏不一的晶片表面、輪廓一併加以磨平。下列何項是化學機械研磨時常用的金屬膜研磨液？
(A)SiO₂系
(B)Al₂O₃系
(C)SiF₄系
(D)H₃PO₄系。