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試題詳解

試卷：105年 - 105-2 專技高考_醫事放射師：放射線治療原理與技術學#54779 | 科目： 放射線治療原理與技術學

試卷資訊

試卷名稱：105年 - 105-2 專技高考_醫事放射師：放射線治療原理與技術學#54779

年份：105年

科目： 放射線治療原理與技術學

11.處在生長飽和狀態的細胞，經照射並放置6小時後移至良好的環境進行次培養，其細胞存活分率比照射後馬上移植的結果更 高，是因為下列何種現象？
(A)潛在致死損傷修復（PLDR）
(B)次致死損傷修復（SLDR）
(C)再分布
(D)再氧化
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