13. 有關半導體製程的敘述，下列何者正確？ (A) 柴可斯基法(Czochralski Process)拉晶形成的矽晶棒，其直徑精度很難控制 (B) 半導體薄膜製作，通常採用氣相沈積和還原法 (C) 半導體蝕刻製程是將顯影後晶片表面光阻覆蓋區域蝕除，露出矽晶材料 (D) 半導體以離子植入法摻入碳原子至矽基板，可以製造 P 型半導體