13. 有關新興製造技術的敘述，下列何者正確？
(A) 薄膜製程之氧化法適用於產生非矽質基板的沉積層
(B) 摻雜之目的在不受保護的矽基板上產生 B 型或 C 型半導體
(C) 非等向性蝕刻較等向性蝕刻容易在晶圓上產生過切現象
(D) 晶粒經電路測試完成後，再從晶圓切離

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統計： A(123), B(75), C(214), D(266), E(0) #2283136

詳解 (共 2 筆)

#4181375
(A)氧化法只能產生與基板相同材質的氧化...
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#5483204
摻雜：在不受保護的矽基板上產生N型或P型

乾式蝕刻：具有高度方向性，可形成高度的非等向性蝕刻，電路線條精度較高
濕式蝕刻：等向性、腐蝕非常慢會過切，電路線條精度較差
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