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試題詳解

試卷：100年 - 100 原住民族特種考試_五等_電子工程：電子學大意#48467 | 科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱：100年 - 100 原住民族特種考試_五等_電子工程：電子學大意#48467

年份：100年

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

17 在室溫下，考慮一pn接面矽半導體，p側之電子濃度為 1×107 cm -3，n側之電洞濃度為 1×105 cm -3，當 施加一逆向偏壓時，空乏區之分布應為下列何者？
(A)大部分空乏區位於 n 側
(B)大部分空乏區位於 p 側
(C)n 側空乏區與 p 側空乏區一樣大
(D)p 側沒有空乏區
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詳解 (共 2 筆)

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參雜濃度高 空乏區寬 這樣ㄇ?有錯鞭打 
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