17.下列有關剖面線的繪法,何者不正確 ? (A)(B)(C)(D)

17.下列有關剖面線的繪法,何者不正確 ?
(A)
(B)
(C)
(D)

答案：登入後查看
統計： A(0), B(0), C(0), D(1), E(0) #3537643

詳解 (共 1 筆)

MoAI - 您的AI助手

B1 · 2025/09/06

#6647632

1. 題目解析: 這道題目要求判斷哪一個...

(共 374 字，隱藏中）

前往觀看

39.結合化學加工 (chemical machining)與精密抛光(polishing) 兩種加工方法,可發展出半導體製造業使用之化學機械研磨(chemical mechanical polishing,簡稱 CMP) 技術。此方法係使用強酸或強鹼液體,在堅硬之矽晶圓(wafer)表面腐蝕出一層薄而軟的氧化層 ,再用絨布以抛光方式抛除此氧化層,使底部未被氧化之基材顯露,之後由強酸鹼液體繼續腐蝕;如此週而復始,一直加工到所需尺寸為止。針對這種複合加工方法,下列敘述何者不正確 ? (A) CMP是一種高精密之加工方法 (C) CMP產生之廢液污染性相當高 (B) CMP 需要使用大量清水 (D) CMP 需使用大量人力

17.下列有關剖面線的繪法,何者不正確 ?
(A)
(B)
(C)
(D)

詳解 (共 1 筆)

相關試題

相關試卷

17.下列有關剖面線的繪法,何者 不正確 ? (A)(B)(C)(D)

詳解 (共 1 筆)

相關試題

相關試卷

17.下列有關剖面線的繪法,何者不正確 ?
(A)
(B)
(C)
(D)