試題詳解

試卷：114年 - 11600 電力電子甲級工作項目 05：電子學 1-50（2025/12/08 更新）#134452 | 科目：技檢◆電力電子-甲級

試卷名稱：114年 - 11600 電力電子甲級工作項目 05：電子學 1-50（2025/12/08 更新）#134452

年份：114年

科目：技檢◆電力電子-甲級

19. 關於 FET 之特性，下列敘述何者有誤？
(A)JFET 常用於線性放大之前置級，有較佳之信號雜音比
(B)MOSFET 常見於數位 IC 中，亦用於射頻放大器中
(C)FET 為單載子元件，可用為壓控電阻器
(D)大功率 MOSFET 之飽和電壓較 IGBT 為低。

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