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104年 - 104 原住民族特種考試_五等_電子工程:電子學大意#36418
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試題詳解
試卷:
104年 - 104 原住民族特種考試_五等_電子工程:電子學大意#36418 |
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
試卷資訊
試卷名稱:
104年 - 104 原住民族特種考試_五等_電子工程:電子學大意#36418
年份:
104年
科目:
初等/五等/佐級◆電子學大意
21 一個操作於飽和區的 MOS 電晶體,其汲極電流 I
D
與過激電壓 V
ov
(Overdrive Voltage, V
GS
-V
t
)的關係為:
(A)
(B)
(C)
(D)
正確答案:
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