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初等/五等/佐級◆電子學大意
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102年 - 102 原住民族特種考試_五等_電子工程：電子學大意#36969
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試題詳解
試卷：
102年 - 102 原住民族特種考試_五等_電子工程：電子學大意#36969 |
科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意
試卷資訊
試卷名稱：
102年 - 102 原住民族特種考試_五等_電子工程：電子學大意#36969
年份：
102年
科目：
初等/五等/佐級◆電子學大意
22 一個增強型 N 通道 MOS 電晶體，其臨限電壓為 V
t
，當操作於飽和區時，其汲源間之電壓 V
DS
最小應為：
(A)V
DS
= V
GS
(B)V
DS
=V
t
(C)V
DS
= V
GS
-V
t
(D)V
DS
= V
GS
+V
t
正確答案：
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詳解 (共 1 筆)
leochan87
B1 · 2016/12/30
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未解鎖
N 通道 MOS 電晶體，當操作於飽和區...
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