試題詳解

22. 現在的智慧手機之主機板以 HDI 為主，iPhone X 開始大量導入 SiP 技 術，共有 6 個 SiP 次系統模組，較 iPhone8 成長 1 倍。為了配合 SiP 技 術，須將電路板上線距、線寬朝向細間距（fine pitch）方向發展，一般多 層 HDI 的製程無法達到如此的細間距要求，此類 HDI 需要採用類似 IC 載 板製程生產（Substrate-like PCB），下列何者為正確？
(A)線寬間距 60 微米（μm）以下；
(B)線寬間距 50 微米（μm）以下；
(C)線寬間距 35 微米（μm）以下；
(D)線寬間距 80 微米（μm）以下。