24 設計 β 射源屏蔽時，內層先用低原子序物質之主要原因是：
(A)產生中子的能量較高
(B)產生中子的能量較低
(C)產生制動輻射的能量較高
(D)產生制動輻射的能量較低

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統計： A(15), B(25), C(28), D(184), E(0) #1039042