24. 根據程序控制的原理與方法，下列敘述何者正確？

(A) 溫度感測器在管線儀表圖裡的符號為TY

(B) 溫度指示控制器所輸出的直流電流會轉換成電壓訊號到氣動式控制閥

(C) 控制元件輸出指令大小除了與設定值有關外，還受輸出的控制結果影響

(D) 當此程序過程中存在延遲過大的情況，該溫度指示控制器模式會完全消除延遲問題

1. 有一批次絕熱反應器進行兩次實驗，其反應式為A+2B→AB2，平均反應熱為−0.1kJ∙mol −1。 第一次實驗反應前以 1 mol 反應物 A 與 2 mol 反應物 B 進入該反應器，而且 A 和 B 的溫度 皆固定為 300 K，反應後溫度為 310 K。第二次實驗反應前 A 之進料莫耳數與 A 和 B 溫度 跟第一次實驗相同，但改變反應物B之進料莫耳數，並假設反應後的溫度同樣為310K， 下列敘述何者正確？( A 的平均定壓莫耳熱容量為 1 J∙ mol−1 ∙ K−1 ，B 的平均定壓莫耳熱容 量為2 J∙mol−1 ∙K−1 ，AB2 的平均定壓莫耳熱容量為5J∙mol−1 ∙K−1) (A) B之進料莫耳數從2mol減少為1mol，AB2之選擇性上升 (B) B之進料莫耳數從2mol減少為1mol，B之轉化率不變 (C) B之進料莫耳數從2mol減少為1mol，B之轉化率上升 (D) B之進料莫耳數從2mol增加為3mol，B之轉化率上升

2. 一熱交換器進行能量交換，假設設備無熱量損失，且流體沒有發生相變化也沒有磨擦損失， 下列敘述何者正確？ (A) 比熱較高的流體，必定獲得較多熱量 (B) 質量流率較快的流體，必定獲得較多熱量 (C) 冷流體的溫度變化量一定等於熱流體的溫度變化量 (D) 冷流體得到的熱量等於熱流體失去的熱量

3. 下列關於壓縮因子 ( Z ) 的敘述，何者正確？ (A) 當壓力趨近於零時，Z 值皆接近於零 (B) 當壓力從趨近於零開始逐漸增加時，所有真實氣體的 Z 值呈直線上升 (C) 壓縮因子被用來修正理想氣體狀態方程式，以描述真實氣體行為，故 Z 值僅受到溫度 與壓力影響 (D) 無論在低壓或高壓時，同體積及同莫耳數的理想氣體之 Z 值皆保持不變

4. 下列有關理想氣體之敘述，何者正確？ (A) 氣體分子的平均動能與絕對溫度成反比 (B) 氣體分子作同方向的直線運動 (C) 氣體分子碰撞前後總動能不變 (D) 氣體分子間具有作用力

5. 依據克勞修斯-克拉伯隆方程式(Clausius-Clapeyron equation )，下列有關單一成分液體的 蒸氣壓與溫度之敘述，何者正確？ (A) 蒸氣壓為物質的固有性質，與溫度無關 (B) 蒸氣壓隨絕對溫度上升而呈指數型增加 (C) 蒸氣壓與絕對溫度的倒數呈正比關係 (D) 蒸氣壓與絕對溫度呈正比關係

6. 研究生在研究香水配方時發現，香水隨時間會呈現不同層次的香氣變化。當香水噴灑於 皮膚表面時，前調香味短時間內散去，而後調香味則可長時間留存。關於構成前調與 後調之兩種液體性質，下列何者敘述正確？ (A) 後調成分之香味可在皮膚上長時間留存，代表其揮發時不需吸收熱量 (B) 後調成分在常溫下的飽和蒸氣壓顯著高於前調成分 (C) 前調成分相較於後調成分，具有較大的汽化熱 (D) 前調成分的沸點通常低於後調成分

7. 以 X 光繞射儀分析晶體時，會使用到布拉格 ( Bragg ) 方程式，發生第一級反射時可表示 為：λ=2dsinθ，其中的 λ 是X光的波長，d是同類型晶面的平面間距，則下列何者正確？ (A) X光繞射儀最常用來分析材料的官能基種類 (B) θ 等於被晶面反射的光線與入射光的夾角 (C) 相鄰兩晶面的反射光產生破壞性干涉 (D) 方程式右側代表相鄰兩晶面的X射線之光程差

8. 以X光繞射儀分析某種立方晶系的晶體時，使用同一種波長的X光可測得晶面A與晶面B 的第一級的反射角分別為30 °和60 °，則下列何者可能是晶面A和晶面B的米勒指數？ (A) A(100)、B(111) (B) A(110)、B(100) (C) A(101)、B(111) (D) A(111)、B(010)

9. 在定溫條件下，下列關於郎謬 ( Langmuir ) 吸附理論的敘述，何者正確？ (A) 當壓力增加至一定程度時，吸附量幾乎不再隨壓力持續增加 (B) 吸附質分子均勻分布於吸附劑表面，並形成多層吸附結構 (C) 吸附質分子之間存在交互作用力，因此不會發生脫附行為 (D) 吸附熱會隨著表面覆蓋率提升而顯著降低

10. 研究生在實驗室測得某液體在固體表面上的接觸角為120°，則該固體表面對於此液體呈現 何種潤濕現象？ (A) 液體可以完全潤濕固體表面 (B) 液體較容易潤濕固體表面 (C) 液體完全不潤濕固體表面 (D) 液體較難以潤濕固體表面

115年 - 115 四技二專統測_化工群_專業科目(一)：基礎化工、化工裝置#139316

114年 - 114 身心障礙學生升學大專校院甄試試題_四技二專組(化工群)：基礎化工、化工裝置#137228

114年 - 114 四技二專統測_化工群_專業科目(一)：基礎化工、化工裝置#134062

113年 - 113 四技二專統測_化工群_專業科目(一)：基礎化工、化工裝置#125703

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112年 - 112 四技二專統測_化工群_專業科目(一)：基礎化工、化工裝置#116834

111年 - 111 身心障礙學生升學大專校院甄試試題_四技二專組_化工群_專業科目(一)：基礎化工、化工裝置#118887

111年 - 111 四技二專統測_化工群：專業科目(一)基礎化工、化工裝置#107816

110年 - 110 四技二專統測_化工群_專業科目(二)：化工原理(基礎化工、化工裝置)#98531

109年 - 109 四技二專統測_化工群_專業科目(二)：化工原理(基礎化工、化工裝置)#85137