25. N 型矽或鍺半導體
(A)含有多量的電子
(B)為絕緣體
(C)含有多量電洞
(D)是不良的導電體。

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統計： A(44), B(9), C(6), D(1), E(0) #2247191

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#4808313

N 型矽或鍺半導體含有多量的電子

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