試卷名稱：113年 - 113 教育部自學進修專科學校學力鑑定考試試題_冷凍空調、電機工程、電子工程、 電訊工程、資訊工程：電子學#125603
年份：113年
科目：專科學力鑑定◆專(一、二)：電子學
26. 金氧半場效應電晶體(MOSFET)的工作特性，下列敘述何者錯誤？(A) N通道增強型MOSFET，VGS＞VT才能導通ID電流(B) P通道增強型MOSFET，其臨界電壓VT為正值(C) VGS為零時，N通道增強型MOSFET沒有通道(D) N通道空乏型MOSFET之夾止電壓VGSP為負值
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