28. 有關 PN 接面的二極體，下列敘述何者有誤？
(A)矽二極體的障壁電壓(Barrier Potential)較鍺二極體高
(B)二極體加順向偏壓後，空乏區變窄
(C)溫度上升時，障壁電壓上升
(D)溫度上升時，漏電流上升

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統計： A(7), B(5), C(62), D(12), E(0) #3160057

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#7026775
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私人筆記#6338519
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