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試題詳解

試卷:112年 - 112 台灣電力公司_大學及研究所獎學金甄選試題_再生能源發電系統整合應用:再生能源與程式設計#129387 | 科目:台電◆再生能源與程式設計

試卷資訊

試卷名稱:112年 - 112 台灣電力公司_大學及研究所獎學金甄選試題_再生能源發電系統整合應用:再生能源與程式設計#129387

年份:112年

科目:台電◆再生能源與程式設計

29.下列何種記憶體,是利用高電壓將資料寫入,但抹除時需將線路曝光於紫外線下一段時間,
資料始可被清空,再供重複使用?
(A) EPROM
(B) EEPROM
(C) SRAM
(D) DRAM

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詳解 (共 1 筆)

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