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試卷名稱：107年 - 107 初等考試_電子工程：電子學大意#67415
年份：107年
科目：初等/五等/佐級◆電子學大意
3 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，
此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為|Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V，
VE = -2 V。試由此結構剖面判斷此電晶體的閘極氧化層是那一層？
(A) A 層
(B) B 層
(C) C 層
(D) D 層
