31.左圖立方體第三角法表示之各投影視圖,下列何者正確?
(A)
(B)
(C)
(D)

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統計： A(57), B(20), C(19), D(20), E(0) #2689070

相關試題

1. 有關軟銲及硬銲之敘述，下列何者不正確？ (A) 軟銲常使用鋁及其合金為銲料 (B) 軟銲可以使用電烙鐵熔化銲料 (C) 硬銲銲料常使用銅合金 (D) 硬銲使用硼砂當銲劑

2. 鎢系高速鋼，常見標準型為 18-4-1，其中代號 4 表示： (A) 鉻含量 4 % (B) 鎢含量 4 % (C) 鉬含量 4 % (D) 鐵含量 4 %

3. 有關非傳統加工之敘述，下列何者不正確？ (A) 熱固性塑膠在固化成形後，即使再加熱也無法再度軟化 (B) 粉末冶金燒結之目的是加熱粉末使其互相結合 (C) 電子束加工不需要在真空中進行 (D) 超音波加工適合加工硬脆材料

4. 有關材料之表面硬化處理，下列敘述何者不正確？ (A) 表面硬化處理可使表面硬度提高，而心部具有適當的韌性 (B) 氮化處理可適用於任何材料 (C) 將碳、氮、硫等元素，經適當處理滲入鋼鐵表面，可增加表面硬度 (D) 鋼鐵表面淬火硬化處理，其過程須配合表面快速升溫及急速冷卻

5. 有關放電加工之敘述，下列何者正確？ (A) 環氧樹脂可以當作工具電極 (B) 加工時通常工件及工具電極都會消耗 (C) 線切割放電加工通常使用鐵線作為工具電極 (D) 不可以加工碳化鎢材料

6. 有關半導體製程之敘述，下列何者正確？ (A) 乾式蝕刻比濕式蝕刻容易造成二氧化矽的過切問題 (B) 蝕刻是將晶圓上未受光阻保護之氧化膜移除 (C) 微影製程通常是不需要經過光罩曝光就可以完成 (D) 矽是半導體，如果摻雜硼或磷之後，就會變成導體

7. 有關研磨加工之敘述，下列何者不正確？ (A) 擦光 ( Buffing ) 與拋光 ( Polishing ) 的差異，在於拋光所使用的磨粒比較細 (B) 化學機械拋光 ( Chemical Mechanical Polishing ) 常用於矽晶圓片之研磨 (C) 超光 ( Super Finishing ) 使用油石在工件表面往復振動的方向，通常與工件旋轉方向垂直 (D) 外圓磨削加工時，工件不用兩頂心支持，稱為無心研磨

8. 下列敘述何者不正確？ (A) 搪孔是將已經鑽好的孔擴大到正確的尺寸 (B) 軸與孔的配合裕度＝孔最小尺寸－軸最大尺寸 (C) 銑削加工之逆銑法是銑刀迴轉方向與工件進給方向相同 (D) 以斜角較大的刀具切削延性材料時，比較容易形成連續切屑

9. 有關螺紋及其加工之敘述，下列何者正確？ (A) 導程是指螺紋旋轉一圈，沿徑向移動的距離 (B) 車削時，工件作等速的旋轉及刀具作等速的移動 (C) 冷作滾軋時，胚料的表面及內部一定都會產生塑性變形 (D) 公製螺紋之螺旋角為 60°，符號為 M

10. 材料塑性加工包括冷加工及熱加工，下列敘述何者不正確？ (A) 熱加工時材料常加熱至接近熔點溫度 (B) 冷加工較熱加工所需的作用力大 (C) 冷加工可以提昇金屬材料的強度 (D) 冷加工後金屬材料內部會產生殘留應力

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