阿摩線上測驗 登入

試題詳解

試卷：109年 - 109 台灣中油股份有限公司_雇用人員甄選_探採鑽井類：電工原理、機械常識#95068 | 科目：A.電工原理、B.機械常識

試卷資訊

試卷名稱：109年 - 109 台灣中油股份有限公司_雇用人員甄選_探採鑽井類：電工原理、機械常識#95068

年份：109年

科目：A.電工原理、B.機械常識

33. 下列有關「半導體」製程之敘述，何者正確？
(A)乾式蝕刻比濕式蝕刻容易造成二氧化矽的過切問題
(B)蝕刻是將晶圓上未受光阻保護之氧化膜移除
(C)矽是半導體，如果摻雜硼或磷之後，就會變成導體
(D)微影製程通常是不需要經過光罩曝光就可以完成
正確答案：登入後查看

詳解 (共 1 筆)

推薦的詳解#4815057
未解鎖
濕式容易過切矽是絕緣體微影需要紫外線曝光...
(共 25 字，隱藏中）
前往觀看
1
0

私人筆記 (共 2 筆)

私人筆記#7532628
未解鎖
下列有關「半導體」製程之敘述，何者正確...
(共 189 字，隱藏中）
前往觀看
1
0
私人筆記#5012877
未解鎖
濕式蝕刻會過切 矽是加鋁(Al)、鎵(G...
(共 50 字，隱藏中）
前往觀看
1
0