33. 下列有關「半導體」製程之敘述,何者正確?
(A)乾式蝕刻比濕式蝕刻容易造成二氧化矽的過切問題
(B)蝕刻是將晶圓上未受光阻保護之氧化膜移除
(C)矽是半導體,如果摻雜硼或磷之後,就會變成導體
(D)微影製程通常是不需要經過光罩曝光就可以完成

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統計: A(4), B(32), C(3), D(0), E(0) #3647443

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#7021699
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私人筆記#7532631
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