36. 增強型MOSFET的臨界電壓VT之大小主要由下列何者決定？
(A) 半導體層厚度
(B) 金屬導電層厚度
(C) 二氧化矽層厚度
(D) 以上皆非

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統計： A(42), B(21), C(145), D(30), E(0) #2570650