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試題詳解

試卷:112年 - 112 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試試題_電機、儀電:1.電路學 2.電子學#116960 | 科目:國營事業◆1.電路學 2.電子學

試卷資訊

試卷名稱:112年 - 112 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試試題_電機、儀電:1.電路學 2.電子學#116960

年份:112年

科目:國營事業◆1.電路學 2.電子學

37. 有一空乏型 n 通道 MOSFET,Kn ' W L = 2 mA V2 ⁄ ⁄ ,Vt = -3 V,其源極與閘極均接地。下列敘述何者有誤?(忽略通道長度調變效應)
(A)當VD = 0.1 V,操作區為三極管區(Triode Region),ID = 0.59 mA
(B)當V D = 1 V,操作區為三極管區(Triode Region),ID = 5 mA
(C)當VD = 3 V,操作區為飽和區(Saturation Region),ID = 9 mA
(D)當VD = 5 V,操作區為飽和區(Saturation Region),ID = 10 mA
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